#長鑫記憶體
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中國國產半導體裝置重大突破！3D DRAM刻蝕宣佈突破：沒有EUV也能造先進記憶體

中國半導體裝置龍頭北方華創近日在IEEE期刊發表學術論文，宣佈在3D DRAM製造工藝上取得重大技術突破。 該公司開發出一種創新的兩步循環刻蝕工藝，有望幫助長鑫記憶體繞過EUV光刻機封鎖，推進3D DRAM自主量產。 3D DRAM被視為DRAM技術演進的下一階段，其核心理念是將電晶體從傳統的二維平面微縮轉向三維垂直堆疊，通過層層堆疊電晶體來提高記憶體單元密度。 在西方對華EUV光刻機出口管制持續收緊的背景下，這一技術路線為中國記憶體晶片產業開闢了一條避開光刻壁壘的新路徑。
中國國產半導體裝置重大突破！3D DRAM刻蝕宣佈突破：沒有EUV也能造先進記憶體
科技#3D DRAM#北方華創#長鑫記憶體
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加倉加倉：消息透露長鑫記憶體開始試產 HBM3E 記憶體，有望數周內大規模量產

據《The Information》報導，長鑫記憶體已啟動 HBM3E 記憶體的風險試產工作。 據報導，長鑫記憶體當前計畫擴大產能。預計到今年年底，該公司的 DRAM 製造能力將達到每月 35 萬片晶圓，未來幾年的產能還將繼續提高。目前長鑫的 HBM3E 生產規模依然十分有限，這意味著他們剛剛進入風險試產階段。 雖然還不清楚長鑫記憶體 HBM3E 的具體規格，但根據 JEDEC（固態技術協會）規範，HBM3E 應採用 1024-bit 位寬，單引腳速率介於 9.2Gbps 至 12.4Gbps 之間，大多數標準配置的目標速率為 9.6Gbps。 在 9.6Gbps 的典型配置下，HBM3E 的總頻寬可達 1.2TB/s。在採用 8 層堆疊（8-Hi）、單層 24Gb DRAM 晶片的情況下，其單個堆疊容量為 24GB；採用 12 層堆疊時，容量可達 36GB。
加倉加倉：消息透露長鑫記憶體開始試產 HBM3E 記憶體，有望數周內大規模量產
科技#HBM3E#長鑫記憶體#CXMT
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鍵合 DRAM—長鑫記憶體繞開EUV的換道實踐

鍵合DRAM—長鑫記憶體繞開EUV的換道實踐 當美國出口管制切斷EUV光刻機的供應，全球記憶體行業都認為：中國的DRAM先進製程，將被鎖死在"中世紀"。但長鑫記憶體選擇了一條"非對稱"的突圍路徑——鍵合DRAM。它把記憶體單元陣列和外圍控制邏輯分開製造，再用晶圓對晶圓混合鍵合貼合，僅靠DUV裝置配合多重曝光，就能造出超高密度DRAM。而這項技術的核心——混合鍵合——恰好是長江記憶體的專利強項。這是一場繞開EUV的換道實踐，它可能徹底改寫DRAM的技術路線圖。 開篇：EUV被切斷的"絕境" 對DRAM產業來說，EUV（極紫外光刻機）是通往先進製程的"必經之路"。1α、1β、1γ……每一次微縮都越來越依賴EUV。而中國記憶體廠商恰恰被卡在這條路上——美國出口管制切斷了EUV供應。
鍵合 DRAM—長鑫記憶體繞開EUV的換道實踐
科技#長鑫記憶體#長鑫存儲 (688825.SH)#長鑫存儲
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大摩首覆長鑫記憶體：中國DRAM的"錯位突圍"

導語：8月26日，摩根士丹利發佈兩份重磅報告——一份68頁的長鑫記憶體（CXMT，688825.SS）首次覆蓋報告，一份《中國記憶體：重塑全球競爭格局》行業深度。大摩不僅給了長鑫"增持"（OW）評級和88元目標價，更給出了一個與市場慣性認知不同的判斷：中國DRAM的威脅不在於技術追平，而在於規模錯位。本文把兩份報告的核心邏輯拆開揉碎，講清楚三個問題：長鑫現在到底站在什麼位置？AI缺芯為何反而給它打開了窗口？以及，全球記憶體行業的遊戲規則會因此如何改寫？ 大摩首覆長鑫記憶體：中國DRAM的"錯位突圍" ——800k片月產能路線圖背後，一場關於規模、地緣與周期的三重博弈 一、一份罕見的"首次覆蓋"
A股#DRAM#HBM#半導體
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長鑫記憶體DDR5良率提升，PC大廠採購策略差異大

8月10日消息，根據供應鏈消息指出，中國記憶體晶片大廠長鑫記憶體（CXMT）的DDR5晶片因生產良率提升，整體供應狀況已有所改善。然而，受地緣政治與合規要求影響，美國與台灣PC大廠在DRAM採購策略上，呈現截然不同的選擇。 消息顯示，雖然長鑫記憶體改善了DDR5供應，但三星、海力士、美光這三大DRAM原廠的整體產能目前依舊偏緊。現階段長鑫記憶體主要是華南現貨市場的貨源相對較多，各品牌廠商可依其特定的價格與規格需求進行採購。不過，當前美系大廠規定嚴格，其中戴爾（Dell）全面停用、惠普僅限用於中國市場。 整體來說，在中美地緣政治影響下，美系PC大廠的採購合規限制非常明確，戴爾因其美系公司身份採取嚴格的審查，因此完全無法採用長鑫記憶體產品，其內部政策為只要是黑名單，就不能用。同為美系PC大廠的惠普（HP）則具有些許彈性，只要產品非提供給美國政府或特定敏感企業即可使用。但由於長鑫記憶體本身無意分配太多產能給惠普，惠普搭載長鑫記憶體晶片的機型目前主要仍是針對中國市場進行銷售。 相較於美系PC大廠，台系品牌宏碁（Acer）、華碩（Asus）在採購決策上顯得靈活許多，均能順利採用長鑫記憶體的DRAM晶片。不過，宏碁和華碩也主要將其搭載在銷往中國本土以及“新興市場”的筆記型電腦機型當中，借此在價格與規格之間取得最佳平衡。
長鑫記憶體DDR5良率提升，PC大廠採購策略差異大
科技#長鑫#記憶體#DDR5
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高盛詳解韓國記憶體「8大焦點」：估值、長協、庫存、長鑫衝擊、回購等

高盛報告系統回應市場八大疑慮：HBM價格2027年有望翻倍、長期協議條款向供應商傾斜、行業庫存健康、NAND供需不會逆轉、股東回報將超預期、ADR溢價短期持續、二季度業績低於預期屬一次性因素、長鑫衝擊侷限於中國本土市場。高盛認為上述擔憂均被市場過度解讀，真實供需格局依然支撐記憶體價格維持高位。 三星電子和SK海力士股價近月大幅回調，估值已跌至極度悲觀水平，但高盛認為基本面並不支援如此低廉的定價，並重申對兩家公司的買入評級。 8月4日，高盛Giuni Lee團隊發表研報，系統梳理了市場當前對韓國記憶體行業的八大核心疑慮，涵蓋HBM定價前景、長期協議結構、庫存狀況、長鑫衝擊、股東回報及SK海力士美股ADR的影響等議題。 分析師認為，上述擔憂大多被市場過度解讀，真實的供需格局依然支撐記憶體價格處於高位。
科技#長鑫#記憶體#閃迪
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長鑫上市大漲，三星和SK海力士又大跌：記憶體晶片市場在擔心什麼？

一家中國記憶體晶片企業在上海上市，首日股價上漲466%。第二天，韓國兩家最重要的記憶體晶片公司——三星電子和SK海力士分別下跌13.4%和14.7%，韓國綜合股價指數收跌10.8%。 兩組畫面很容易被拼成一句話：長鑫來了，韓國廠商慌了。 但記憶體晶片市場沒有這麼簡單。7月28日的亞洲晶片股下跌，還疊加了AI基礎設施融資風險、前期估值偏高、中國半導體技術進展以及企業財報窗口等多重擔憂。長鑫上市是其中一個重要變數，很難解釋全部跌幅。 資本市場敏感的通常不是今天少了一張訂單，而是三五年後會不會多出一家能夠持續融資、擴產、進入頭部客戶名單，並在行業低谷中繼續投入的競爭者。
長鑫上市大漲，三星和SK海力士又大跌：記憶體晶片市場在擔心什麼？
科技#長鑫#記憶體晶片#DRAM
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長鑫科技深度研究報告——壓垮儲存估值的又一根稻草？

一、從"合肥賭徒"到"國家隊的旗手" 2016年合肥市政府押注1500億搞DRAM，當時沒人覺得這事能成——全球儲存被三星、SK海力士、美光捏在手裡，三巨頭合計市佔率超過95%，中國連量產一顆DDR4的能力都沒有，合肥"506項目"啟動的時候業內直接管它叫"合肥的豪賭"。而"國家隊旗手"的一面來自它的股權結構——無控股股東、無實際控制人，從國家大基金、合肥產投、北京亦莊到兆易創新、阿里雲、小米、美的、中國人壽，長鑫的股東名單就是中國半導體產業鏈的"全家福"。豪賭的是產業，旗手的是使命，兩個標籤其實不矛盾。 董事長朱一明同時是兆易創新的創始人——中國第一家做儲存晶片的上市公司，兆易創新做NOR Flash，市值從20億漲到千億，他在那個位置已經證明過自己。他把兆易創新的經驗複製到長鑫：IDM模式、跳代研發、高研發投入佔營收比例一度超25%。他不是國企官員，是連續創業者，長鑫的管理層氣質也因此更接近市場化科技公司而非國企。一個關鍵細節是朱一明承諾上市後10年不減持，並把個人持有的7.68億股拿出來做員工股權激勵，這是A股歷史上最大一筆個人股權激勵，市值超過200億——董事長把自己的財富鎖死在公司十年，同時把200億分給團隊。 長鑫的企業調性可以概括為"負重疾行"。是它扛著國產DRAM的唯一希望，技術被鎖、裝置被卡、市場被堵，每一步都在突破封鎖；疾行，是它從2019年DDR4試產到2026年HBM3樣品交付，7年走完了別人15年的路。2019年推出DDR4，2024年量產DDR5，2025年HBM3送樣，2026年LPDDR5X速率幹到10667 Mbps追平國際主流，招股書寫得樸素：營收、產能、良率、市佔率，每一個指標都可以查證。
長鑫科技深度研究報告——壓垮儲存估值的又一根稻草？
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