CXMT宣佈，今年上半年銷售額達到1503億元。與去年同期（154億元）相比，長了874%，是去年同期銷售額的兩倍多。
中國公司已成為人工智慧驅動的記憶體熱潮的隱秘受益者。他們通過利用通用記憶體產品實現了增長，現在正積極擴展，通過結合繁榮期獲得的巨額現金與股市融資，開發先進的產品。
高增值記憶體器市場很快將大幅增長。
賺來的錢研發先進產品
中國公司的擴張速度相當令人擔憂。CXMT目前營運三家DRAM工廠，未來計畫再增設三家。
月產能（基於晶圓計）計畫從每月約30萬片提升到2030年超過60萬片。
如果實現，CXMT的DRAM份額可能從去年的8%上升到2028年的11%，到2030年的15%。
如果中國企業能實現兩位數的市場份額，三星電子、SK海力士和美光主導的DRAM市場結構可能會被顛覆。
技術也在迅速進步。
8月29日，CXMT宣佈已開始量產LPDDR6。
三星電子和SK海力士計畫在今年內開始全面量產，比CXMT晚一步。
NAND快閃記憶體公司YMTC更加積極推動。
據Counterpoint Research統計，YMTC今年第二季度佔全球NAND市場約14%，首次超過日本的鎧俠，成為全球第三大。
儘管與三星電子（25%）和SK海力士（22%）仍有差距，YMTC在IPO籌備期間表示，目標是“在明年年底前超越這兩家公司的市場份額”。
在短短一年多的時間內，將出貨量幾乎翻倍至三星電子水平。
良率差距
中國企業的積極擴張預計將成為三星電子和SK海力士的重大長期負擔。
目前，由於AI資料中心投資的擴大，市場正在吸收CXMT和YMTC的新業務量，但如果未來AI投資增長放緩，形勢可能會發生變化。
這是因為中國企業能夠根據產能的提升釋放大量產品，從而引發供過於求和價格競爭。
中國企業在短期內很難在HBM中趕上韓國。
CXMT在引進先進製造裝置（包括極紫外光）裝置方面面臨限制。先進的DRAM採用深紫外技術（DUV）裝置生產，性能僅略低於極紫外（EUV）。
在這種情況下，工藝變得更加複雜，且在成本和產量方面都處於不利地位。
對於HBM而言，需要先進技術，包括用於微鑽孔和DRAM連接的TSV技術，以及封裝技術。 (芯話社)