三星半導體表示，FMS 2026峰會上公佈的V10 BV-NAND不僅能支援128TB大容量固態硬碟，也有望用於下一代的PCIe Gen7 固態硬碟。
V10 BV-NAND採用3D Bonded-VNAND架構，分別在2片晶圓上建構記憶體單元與外圍電路，此後以晶圓鍵合工藝將兩部分組合在一起；而其完整記憶體單元由三個高深寬比堆疊結合而成，累計達到400層以上。
獨立建構記憶體單元與外圍電路使得其能最大化外圍器件的性能，並通過電路設計利用增強特性，實現高性能和低功耗。
V10 BV-NAND還綜合應用了多孔、零假孔、Pin-ODT、DFE、RDCA、低電壓、電源隔離低抽頭終端（PI-LTT）等技術，最終在位密度、I/O 速率、功耗上分別實現了58%、33%、25%的改進。(芯話社)