美光科技計劃在今年年底前將HBM月產能大幅提升至約10萬片晶圓，較去年接近翻倍，以此縮小與SK海力士和三星電子的產能差距。公司正加速量產面向輝達「Vera Rubin」架構的HBM4 12層產品，預計其產能佔比將在年底提升至50%，力圖打破當前18%市場份額的偏後格局。
$美光科技 (MU.US)$正大舉擴張高帶寬內存（HBM）生產能力，劍指全球AI內存市場更大份額。
據韓聯社4日援引業內知情人士透露，美光計劃在今年年底前將HBM月產能提升至約10萬片晶圓，較去年增幅接近一倍，屆時與三星電子和SK海力士之間的產能差距有望縮小至目前的一半左右。與此同時，該公司正加速推進最新一代HBM4 12層產品的量產爬坡，以匹配輝達新一代AI加速器的需求。今日美股開盤，美光科技升近4%。
這一動向折射出AI內存市場需求持續旺盛的底色。以輝達為代表的AI晶片廠商對HBM的需求居高不下，供給仍追趕不上需求節奏。對於市場份額僅18%、長期位居第三的美光而言，此輪產能擴張既是爭奪市場地位的關鍵一役，也是將AI內存需求紅利轉化為實際營收的必要之舉。
產能目標：年底前月產能衝擊10萬片
據業內知情人士向媒體透露，美光計劃在今年年底前新增最多月6萬片晶圓的HBM產能。去年該公司HBM月產量約為4至5萬片，這意味著新增產能將超過原有基數，總產能規模有望達到約月10萬片。
為實現上述目標，美光正向多家HBM製造設備供應商增加採購訂單，相關設備持續運入其中國臺灣和新加坡工廠。目前，美光HBM封裝業務主要在中國臺灣銅鑼廠和新加坡兀蘭廠推進，日本廣島工廠的設備投資也在籌備之中。
在產品結構上，美光正快速向HBM4 12層傾斜。目前其HBM產量仍以HBM3E 12層為主，但據悉HBM4 12層的佔比將從今年初的20%至30%，提升至年底的最高50%。
HBM4 12層是輝達最新AI加速器"Vera Rubin"的配套內存，美光已於今年第二季度啓動該產品量產。美光CEO Sanjay Mehrotra在今年6月的2026財年第三季度業績發佈會上表示，HBM4 12層的量產爬坡速度約為HBM3E 12層的兩倍，HBM4累計出貨收入已突破10億美元。
市場格局：三強差距或顯著縮小
儘管美光是全球三大HBM製造商之一，但其產能與三星電子、SK海力士相比仍存在明顯差距。業內普遍認為，三星和SK海力士各自的HBM月產能約為15至20萬片，分別是美光的3至4倍。若美光無法縮小這一差距，將難以改變長期位居第三的市場格局。
根據市場調研機構Counterpoint Research數據，今年第二季度全球HBM市場份額中，SK海力士以50%位居首位，三星電子佔32%，美光佔18%。若產能擴張目標如期實現，美光與兩大競爭對手之間的產能差距有望壓縮至目前的一半水平，市場份額的重新分配或將隨之而來。 (華爾街見聞)