當地時間9月3日，市場研究機構Counterpoint Research 發佈了全球DRAM市場分析報告顯示，2026年二季度全球DRAM市場總營收同比飆升385%，環比增長57%。
長鑫記憶體拿下10%全球DRAM市場
從具體廠商表現來看，雖然三星電子（38%）、SK海力士（25%）、美光（24%）仍牢牢佔據著全球DRAM市場前三，但是中國DRAM製造商長鑫記憶體（CXMT）增勢迅猛，在今年第二季度在全球DRAM市場營收份額當中的佔比已提升至10%，同比增加了4個百分點，環比增加了2個百分點，排名第四。
這也是長鑫記憶體的季度DRAM市場份額首次達到兩位數百分比。在2023年之時，長鑫記憶體在全球DRAM市場營收份額佔比還不到 1%，但得益於AI熱潮所帶來的DRAM需求爆發和價格飆升，長鑫記憶體的市場份額從去年第二季度的4%迅速增長到今年第一季度的8%，今年第二季度又增長到10%，可謂是增速非常驚人。在頭部三大DRAM原廠同樣保持營收暴漲的態勢下，長鑫記憶體能夠取得這樣的成績，實屬不易。
需要指出的是，雖然Counterpoint Research在今年8月初公佈的DRAM市場分析報告當中，預計2026年第二季度全球DRAM市場，長鑫記憶體的營收市場份額為7%。但是，隨著今年8月底長鑫記憶體母公司——長鑫科技增速驚人的半年度財報的正式公佈，顯然是超出了Counterpoint Research此前的預期，因此不得不在最新的報告當中將長鑫記憶體的市場份額修正到10%。
財報顯示，長鑫記憶體2026年上半年實現營業收入1503.1億元，同比暴增873.64%；歸屬於上市公司股東的淨利潤776.05億元，而去年同期為虧損23.32億元。這一業績已遠超公司2025年全年水平。基於之前公佈的一季度業績計算，長鑫科技二季度營收為995.1億元，同比暴漲977.4%，環比增長約95.9%；歸母淨利潤達528.43億元，同比扭虧，環比增長113.4%。
對比三大DRAM原廠的二季度的營收及增速來看：三星第二季營收額171.5兆韓元，同比增長130%、環比增長28%；SK海力士第二季營收79.3187兆韓元，同比增長257%，環比增長51%；美光2026財年第三季度（截至2026年5月28日）營收為414.56億美元，同比增長346%，環比增長74%。顯然，長鑫科技二季度營收的同比和環比增速均遠超前三大DRAM原廠。
但是，我們也能看到三星和SK海力士二季度營收的同比和環比增速均低於整個市場的增速，美光的營收同比增速也低於整個市場的增速，這主要是由於這三大DRAM原廠自去年四季度以來將更多的產能轉向了毛利率更高的AI加速器所需的高頻寬記憶體（HBM）產品，這導致了常規DRAM產品產出減少。此前美光就曾公開表示，一份HBM3E的產出，需要消耗3份DRAM的產能。而隨著常規DRAM的供應減少，導致這類產品的價格大幅飆升。最新的相關研究顯示，常規DRAM產品的利潤率已經與HBM持平，甚至超過了HBM。
在此背景下，主要生產常規DRAM的長鑫記憶體迅速增加產能，抓住了這一市場機遇，推動了其營收、利潤的暴漲。相關報導顯示，長鑫記憶體的DRAM產品定價僅比韓國和美國同類產品低5%至10%，並非市場新進入者通常採用的深度折扣策略，這意味著其營收增長反映了在供應受限的市場中真實的銷量增長，而非通過價格戰獲得。
DDR產品性能差距縮小，製造成本仍高於頭部廠商
從DDR產品性能來看，在2026年2月Hardware Unboxed測試的遊戲基準測試中，長鑫記憶體的消費級DDR5產品表現與三星和SK海力士同類產品基本相當。
長鑫記憶體目前已經量產最新的LPDDR6記憶體，首款產品的目標為速率為12,800 Mbps（12.8 Gbps）——完全在JEDEC標準範圍內，但比SK海力士1c工藝LPDDR6產品設計達到的 14.4 Gbps上限低了約11%。需要指出的是，SK海力士的LPDDR6採用其第六代10奈米級（1c）工藝，該工藝使用了EUV光刻，最終實現了比LPDDR5X速度提升33%，功耗效率提升超過20%。
由於ASML的EUV光刻機和部分高端浸沒式DUV對華出口受限，目前長鑫記憶體的DRAM產品製造路線圖都依賴於DUV光刻技術，這在某種程度上阻礙了其技術的演進。
當前，三大DRAM原廠的高端DRAM產品都已經演進至第五代10nm級 (1β / 1b nm)製程，並且三星和SK海力士在第四代10nm級 (1α / 1a nm)製程就開始引入了EUV光刻，美光則是在第六代10nm級 (1γ/1-gamma)開始引入EUV光刻。
雖然DRAM製造商也能夠通過DUV多次曝光達到EUV單次曝光的效果，但是每次額外的曝光都會引入位置誤差，這些誤差會累積並降低良率。同時，多次曝光也會帶來生產周期的拉長和生產成本的上升。
根據SemiAnalysis的建模和晨星分析師Wei Jingjie的獨立成本分析顯示，相比三星、SK海力士和美光的平均水平，長鑫記憶體的每位元結構性成本劣勢超過30%。儘管長鑫記憶體存在這樣的成本劣勢，但是在常規DRAM缺貨、價格大漲的背景下，長鑫記憶體今年上半年的主營業務毛利率仍高達驚人的84.84%。
為什麼15%是關鍵門檻？
對於理解長鑫記憶體的戰略地位，最重要的市場份額數字不是10%，而是15%。
Counterpoint Research研究總監Hwang Min-sung在加入Counterpoint之前曾在三星電子以及高盛和瑞信從事半導體賣方研究超過30年，他在最新的報告中直言不諱地表示：“15%是長鑫記憶體必須跨過的門檻，才能獲得持續投資下一代晶圓廠的資金。”
這一數字的並非理論而是基於歷史依據。台灣DRAM製造商——南亞科技、華亞科技、茂德在2008年全球市場份額跌至15%以下時失去了競爭 viability（生存能力）。Hwang表示：“DRAM製造商份額跌至15%以下，將無法為下一代晶圓廠融資，並萎縮至約3%的份額，淪為 niche（利基）地位。這就是長鑫記憶體必須跨越的線，他們現在所做的一切都是為了率先到達那裡。”
要想獲得15%的市場份額，僅靠常規DRAM市場可能難以實現。因為未來常規DRAM市場可能並不會像現在那樣有利，當2028年左右，三星、SK海力士和美光完成其HBM產能擴張、HBM供需恢復平衡時，更多的產能將會被重新導向常規DRAM市場，常規DRAM價格將會下滑，屆時長鑫記憶體的成本劣勢將會成為影響利潤率的關鍵因素。
長鑫記憶體2028年市場份額將達18%
從長鑫記憶體的收入結構來看，長鑫記憶體目前仍有近98%的營收來自常規DRAM產品，例如DDR4/DDR5、LPDDR5X，以及最新量產的LPDDR6（小米18 Fold將首發採用）。HBM產品尚未實現量產銷售，這也使得長鑫記憶體的業務結構和利潤率在未來的競爭中存在“脆弱性”。對此，長鑫記憶體正在努力擴大伺服器DRAM的出貨，其來自伺服器市場的營收佔比也從2024年的8.4%提升到了2025年的26.5%，反應了其向更高價值鏈推進。
最新的消息顯示，長鑫記憶體已經與字節跳動、騰訊和百度等簽署了長期協議，這些中國國內雲基礎設施大廠已成為長鑫記憶體最穩定、價值最高的客戶群體。字節跳動於2026年7月與長鑫記憶體簽署了一份價值超過70億美元的五年期伺服器DRAM供應協議。阿里巴巴集團持有長鑫記憶體約5%的股份，並且也是其主要客戶。
野村分析師Donnie Teng預計長鑫記憶體的份額將在2028年底達到18%，將輕鬆跨過15%的門檻。投資者Dan Niles則提出了更為激進的觀點，認為中國到2030年可能佔據全球DRAM市場30%的份額。
Counterpoint Research的基線預測是在長鑫記憶體IPO時發佈的，其當時預計長鑫記憶體到2028年的位元份額約為11%，到2035年將達到15%的營收份額門檻，這是一個更為保守的預測，反映了長鑫記憶體在未來常規DRAM市場不太有利時的增速放緩。
長鑫記憶體今年7月已完成科創板的IPO，獲得了近560億元融資主要用於擴大產能和下一代技術的研發。這也將助力長鑫記憶體持續提升競爭力，提升市場份額。 (芯智訊)