DRAM庫存,不足10天?

AI速讀
受AI基礎設施投資激增影響,記憶體市場正陷入極端短缺。韓國KB Securities指出,三星與SK海力士庫存已降至10天以下,主因是高階HBM4生產消耗晶圓量達普通DRAM三倍,造成傳統記憶體產能被大幅壓縮。分析顯示,AI伺服器成本重心正移向「GPU+記憶體」組合,預計2027年AI資本支出將達1.3兆美元。儘管原廠擴產,但因製程複雜且產線轉換導致傳統產品供給更緊,市場可能面臨長期供不應求的歷史性週期。

隨著全球AI基礎設施建設持續升溫,記憶體市場正進入新一輪供需緊平衡周期。韓國券商KB Securities最新研究指出,截至2026年第三季,三星電子與SK海力士的DRAM庫存已降至不足10天,創下近年來極低水平。更值得關注的是,隨著HBM4進入量產階段,大量晶圓資源將向高端AI記憶體傾斜,傳統DRAM和企業級SSD的供應空間被進一步壓縮,2027年市場甚至可能出現“可供銷售庫存耗盡”的情況。

這一輪短缺的根源,並非傳統意義上的需求復甦,而是AI基礎設施投資規模正在發生質變。

KB Securities預計,2027年全球超大規模雲服務商(Hyperscaler)的AI資本支出將達到1.3兆美元,同比增長約60%。與此同時,記憶體在AI伺服器中的價值佔比也迅速攀升。該機構估算,記憶體將佔AI基礎設施投資的57%,相比去年約14%的水平大幅提升;TrendForce的預測更為激進,認為這一比例最高可達到68%。

這意味著,AI伺服器的核心成本正在從單純依賴GPU,逐漸轉向“GPU+HBM+DDR5+SSD”的整體架構。隨著模型參數規模不斷擴大、推理叢集持續擴容,資料頻寬、記憶體容量和記憶體能力已經成為決定AI系統性能的重要組成部分,記憶體的重要性正快速接近計算晶片本身。

真正制約供給的,則是HBM4對DRAM產能的“虹吸效應”。

HBM雖然本質上屬於DRAM,但製造複雜度遠高於普通記憶體。HBM4不僅需要先進DRAM晶圓,還涉及TSV矽通孔、晶圓減薄、混合鍵合以及先進封裝等多個工藝環節。KB Securities指出,生產HBM4所消耗的晶圓產能約為普通DRAM的三倍,在前段晶圓產能擴張有限的情況下,HBM每增加一單位產量,就意味著傳統DRAM必須讓出相應的製造資源。

因此,市場出現了一個看似矛盾的現象:HBM供應持續增長,但伺服器DDR5、PC DRAM以及部分移動記憶體的供給反而趨於緊張。該機構預計,2027年DRAM與NAND的位元需求增速都將超過供給增速10個百分點以上,供需缺口將進一步擴大。

庫存資料則印證了這一趨勢。

對於記憶體產業而言,庫存天數一直是判斷景氣度最重要的指標之一。在行業低谷時期,三星、SK海力士的庫存通常維持在40至60天;供需平衡階段約為20至30天。而如今不足10天的庫存,意味著可立即交付的成品幾乎沒有緩衝空間,新增訂單更多依賴未來數周的生產,而非現有庫存。

KB Securities研究主管Kim Dong-won認為,這已經不是普通的補庫存周期,而是市場正在逼近“Sellable Inventory Exhaustion”,也就是可銷售成品庫存被快速消化的狀態。一旦大型雲廠商集中採購,現貨市場價格和交期都可能進一步趨緊。

值得注意的是,這輪AI需求帶動的並不只是HBM一種產品,而是整個伺服器記憶體體系。

AI GPU需要大量HBM提供超高頻寬,伺服器CPU同步升級DDR5以支撐更大的系統記憶體,而推理時代快速增長的向量資料庫、模型快取和海量資料記憶體,又持續拉動企業級SSD需求。這意味著DRAM與NAND首次形成同步景氣,而不是過去此消彼長的周期關係。

另一方面,三大原廠雖然都在擴產,但新增產能短期內仍難以緩解供給壓力。

繼SK海力士和三星之後,美光近期也傳出正加碼投資HBM生產線,重點提升12層堆疊HBM4的供應能力,希望縮小與兩家韓廠的差距。然而,從晶圓擴產、EUV製程匯入到先進封裝良率提升,整個建設周期往往需要兩到三年以上,無法立即釋放大量產能。

J.Gold Associates首席分析師Jack Gold指出,當前廠商實際上是在不斷將普通DRAM產線轉換為HBM產線,這雖然增加了高端產品供應,卻進一步減少了傳統記憶體產量,反而加劇整體市場緊張程度。

DA Davidson董事總經理Gil Luria則給出了更直接的判斷:目前AI相關記憶體需求已經超過現有供給兩倍,而且仍在快速增長。即便三星、SK海力士和美光持續擴產,在未來幾年內,市場仍可能長期處於供不應求狀態。

過去兩年,AI產業最稀缺的是GPU;而進入HBM4時代,更大的瓶頸正在轉向記憶體。隨著先進DRAM產能不斷向HBM集中,伺服器DDR5、企業級SSD乃至整個記憶體產業鏈,都有可能迎來新一輪歷史性的供需緊張周期。 (半導體芯聞)