中國頭部 DRAM 廠商長鑫記憶體（CXMT）正式宣佈 LPDDR6 量產，這款下一代記憶體將在小米新發佈的折疊旗艦 Xiaomi 18 Fold 上完成商用首秀。
據長鑫記憶體介紹，基於內部測試資料，其 LPDDR6 相較於運行在 10,667Mbps 的 LPDDR5X，峰值頻寬最高提升 60%，功耗降低 20%。新記憶體峰值資料速率可達 12,800Mbps，與 SoC 搭配時以 10,667Mbps 運行。該產品為 16GB 封裝晶片，基於 16Gb 裸片建構，符合 JEDEC LPDDR6 標準，採用 1,295 球 FBGA 封裝。
長鑫記憶體在 DRAM 市場的整體地位也在持續走強。據 TrendForce（集邦諮詢）資料，其全球 DRAM 營收份額已從 2026 年一季度的 7.6% 升至二季度的 9.5%，位列全球第四，排在三星（39.4%）、SK 海力士（24.9%）和美光（23.3%）之後。
長鑫 LPDDR6 規格已進入三星、SK 海力士區間
長鑫記憶體總經理趙綸（Zhao Lun）向《21 世紀經濟報導》表示，公司產品在性能、品質與供應穩定性上已具備與國際一流供應商競爭的實力。其 LPDDR6 規格也已進入全球記憶體龍頭在研產品的區間。
SK 海力士今年 3 月宣佈完成基於 1c（10nm 級）工藝的 16Gb LPDDR6 開發，處理速度較 LPDDR5X 提升 33%，默認運行速度超過 10.7Gbps。據韓聯社報導，該公司計畫在上半年完成量產準備，下半年開始出貨。
三星電子則在 1 月的 CES 2026 上展示了其 LPDDR6，但尚未公佈量產時間表。不過，TechPowerUp 此前援引 ISSCC 2026 資料的報導，進一步披露了兩家韓國記憶體巨頭的規劃規格。
TechPowerUp 指出，三星基於 12nm 工藝的 16Gb LPDDR6 計畫運行在 12.8Gbps，高於其 1 月公佈的 10.7Gbps 版本；SK 海力士則據報為其 16Gb LPDDR6 模組瞄準更高的 14.4Gbps。
長鑫的 HBM 攻堅與蘋果合作傳聞
在 9 月 7 日舉行的 2026 年中期業績投資者說明會上，長鑫記憶體總經理趙綸回應了市場關於其產品在蘋果驗證的傳聞。據《21 世紀經濟報導》報導，趙綸表示長鑫記憶體對與全球優質客戶探索合作持開放態度，並重申公司產品在性能、品質與供應穩定性上已可與國際一流供應商競爭。
不過，Wccftech 估計，考慮到長鑫記憶體的產能限制，蘋果可能僅將中國市場相關記憶體需求的一部分交給長鑫，估算規模約為 6 億 GB（5,000 萬台裝置 × 每台 12GB）。據報導，長鑫記憶體產能在 95% 的產能利用率下已被預訂至 2027 年，這限制了其承接蘋果潛在需求的能力。
在技術研發方面，趙綸表示，長鑫記憶體將按規劃，持續為HBM和下一代 DRAM 技術投入大量資源。據鳳凰網報導，長鑫記憶體 IPO 募資 295 億元人民幣中，有 90 億元將投向先進 DRAM 研發，HBM 及相關先進封裝技術被列為重點開發方向。 (銳芯聞)