近日長鑫存儲（CXMT）在合肥舉行的 2026 世界製造業大會上宣佈，其第五代 DRAM 技術平台（G5 平台）實現量產。公司稱這標誌著工藝微縮取得新突破，並同步展出兩款基於該平台的 LPDDR5X 產品。
G5 平台的關鍵工藝指標
據長鑫存儲披露，G5 平台採用創新的四重曝光（SAQP）技術，把記憶體陣列有源區半間距微縮到 11.95 納米，接近全球最先進的量產記憶體平台。同時，儲存電容深寬比達到 45:1，核心功能區高度縮小到 6762 納米，並採用適配 DRAM 的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝。
按行業慣例，有源區半間距是衡量 DRAM 密度的通用標尺。三星、SK 海力士最先進的 1x 納米級 DRAM 大致處於同一區間，美光的 1γ 節點也在相近水平。
在研發環節，長鑫存儲搭建了一套覆蓋設計、開發、製造、維護全生命周期的數字孿生系統，用虛擬研發線加速迭代。公司還提到在介面工程、鞍形鰭式結構、低 k 間隔層位線等工藝上取得進展。
產品端：24Gb LPDDR5X
會上展出的兩款 LPDDR5X 產品單顆容量均為 24Gb（吉位元），比上一代同類產品提升 50%，分別採用 496Ball 和 245Ball 封裝，面向中高端智慧型手機和便攜消費電子，目前均已進入規模量產。
工藝微縮直接帶來產出提升。長鑫存儲稱，G5 平台每片晶圓產出的裸片數量比第四代平台至少提升 50%（按 8Gb 顆粒基準折算），在能效和成本控制上都有明顯優勢。
從終端看，長鑫的高端記憶體已經在旗艦手機上落地。8 月，其 LPDDR6 晶片首發搭載於小米 18 Fold 摺疊旗艦，容量 16GB，峰值速率 12800Mbps。近期發佈的努比亞 NaviX Ultra 則搭載了長鑫最高速率 10667Mbps 的 LPDDR5X。
這輪進展建立在儲存需求上行的背景之上。TrendForce 資料顯示，2026 年第二季度全球 DRAM 行業營收環比增長 59.5%，而產能擴張仍慢於需求增長。全球 DRAM 市場仍由三星電子、SK 海力士、美光等少數供應商主導，因此其他廠商的技術進展備受行業關注。 (銳芯聞)