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長鑫存儲 G5 平台量產，中國DRAM 逼近頂尖節點

近日長鑫存儲（CXMT）在合肥舉行的 2026 世界製造業大會上宣佈，其第五代 DRAM 技術平台（G5 平台）實現量產。公司稱這標誌著工藝微縮取得新突破，並同步展出兩款基於該平台的 LPDDR5X 產品。 G5 平台的關鍵工藝指標 據長鑫存儲披露，G5 平台採用創新的四重曝光（SAQP）技術，把記憶體陣列有源區半間距微縮到 11.95 納米，接近全球最先進的量產記憶體平台。同時，儲存電容深寬比達到 45:1，核心功能區高度縮小到 6762 納米，並採用適配 DRAM 的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝。 按行業慣例，有源區半間距是衡量 DRAM 密度的通用標尺。三星、SK 海力士最先進的 1x 納米級 DRAM 大致處於同一區間，美光的 1γ 節點也在相近水平。
長鑫存儲 G5 平台量產，中國DRAM 逼近頂尖節點
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長鑫記憶體第五代技術平台正式量產

長鑫記憶體第五代技術平台正式量產 實現微縮工藝新突破 2026年9月20日，長鑫記憶體在世界製造業大會上正式宣佈第五代DRAM技術平台（以下簡稱“G5平台”）實現量產，同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。該平台工藝水平比肩行業頂尖量產工藝節點，是長鑫記憶體在高端記憶體技術路線上的里程碑式突破，將為全球記憶體產業提供更具創新性、更具供應鏈韌性的解決方案選擇。 核心工藝實現突破性創新 G5平台在關鍵工藝維度實現了多項行業領先的技術突破。依託創新的四重曝光技術把記憶體陣列的有源區半間距微縮至11.95奈米，接近全球最頂尖的記憶體量產平台製程。通過變革工藝流程、採用新材料，記憶體電容深寬比達45:1。開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝，成功將G5平台核心功能區高度縮小到6762奈米。
長鑫記憶體第五代技術平台正式量產
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