記憶體大變局，長鑫亮劍

作為記憶體領域的一個重要新興玩家，長鑫科技也看到了這個需求帶來的機會。與此同時，他們還看到了本輪記憶體周期的一些新變化。“受全球算力需求激增影響，超級周期正在進入一個全新的‘分層時代’”，長鑫科技副總裁駱曉東在昨日開幕的IC China峰會演講中說。

眾所周知，記憶體是一類周期性非常強的標準化通用產品。在過去的很長一段時間內，記憶體也是一個由消費和企業應用把持的市場。然而，隨著人工智慧產業的崛起和演進，記憶體產業不但需要滿足過去傳統應用的需求。尤其是伴隨AI到來，對記憶體提出了更多的要求，這也正是駱曉東認為記憶體正在進入“分層時代”的原因之一。

駱曉東以DRAM舉例說，這個分層不但體現在不同細分市場需求上，還體現在不同AI場景的記憶體需求上。

首先看前者，如駱曉東所說，伺服器市場已經成為了DRAM的重中之重，其需求佔比已經超過50%。尤其是在AI大模型、智算中心等高價值應用的推動下，高端記憶體和高性能晶片需求的持續走高。有分析人士預測，到2026年年底，伺服器將消耗高達60%的記憶體。展望2030 年，這個數字將進一步上升到 71%。由此可見，伺服器市場對記憶體空前重要。

與此同時，駱曉東指出，包括汽車、手機/PC在內的應用，也還將是DRAM關鍵的市場。尤其是隨著AI加速向這些領域滲透，必將帶動新一輪的增長。其中，汽車為領域的DRAM需求更是有望到2030年將其複合增長速度提高到30%。

從上面的介紹可以看到，雖然各大場景對DRAM需各不相同，但在這些應用之間，還暗藏一個共同點，那就是——無論是伺服器，還是汽車、手機/PC，AI都成為了關鍵詞。特別是隨著這些年推理的加速落地，為AI應用打造記憶體的迫切性與日俱增。

駱曉東也解析說，無論是日常的AI對話生成、智能體辦公助手，還是產業端的大模型訓練與推理部署，多樣化的AI場景需求正在迎來井噴式增長。但不同場景對記憶體的需求差異巨大。例如在AI大模型對話的Decode推理階段，性能瓶頸主要在於記憶體頻寬上；而在處理長文字的Prefill階段，瓶頸則轉向算力受限；當進入大參數多卡訓練場景時，記憶體容量和互聯能力又成了關鍵制約因素。

“這種需求的分層，精準對應到了記憶體金字塔的不同層級中。其中，DRAM記憶體作為承上啟下的核心位置，既要處理高頻率互動的模型參數與KV快取，又要平衡性能與成本，已成為當前AI算力升級中需求增長最快的層級。”駱曉東說。

他進一步指出，在這種需求的推動下，DRAM本身也要創新，才能更好地滿足多樣化終端的需求。

過去幾十年，DRAM產業的技術演進基本遵循著一條相對清晰的路徑：通過不斷推進製程微縮，在單位晶圓面積內整合更多記憶體單元，以此提升單顆晶片的記憶體容量，同時降低單位位元的製造成本。在這一過程中，DRAM廠商持續縮小電晶體尺寸、最佳化記憶體單元結構，並通過改進電容器工藝和材料，在有限的晶片面積內實現更高的記憶體密度。

與此同時，隨著處理器性能不斷提升，資料吞吐需求持續增加，DRAM也在不斷提高傳輸速率，從DDR、DDR2、DDR3一路演進至DDR4、DDR5，頻寬逐代提升，功耗和訊號完整性也隨之成為重要的技術最佳化方向。

當然，上述很多DRAM升級路線需要繼續遵循。但隨著AI的到來，有些過往的觀點，需要更新了。駱曉東也坦言，當前記憶體產業的競爭邏輯已經發生根本性轉變，從過去單一的參數比拚，轉向了全場景的產品佈局能力競爭。

“基於對應用系統的深度理解，打造適配不同層級、不同場景的差異化記憶體方案，正成為重塑記憶體市場競爭格局的核心變數，也為全行業參與者打開了換道超車的新窗口。”駱曉東表示。“在不同的AI場景下，記憶體需求畫像千差萬別，要適配不同層級的差異化需求，行業必須跳出傳統記憶體僅僅關注容量和速率的固化思路。”駱曉東指出。

在演講中，駱曉東通過“物流網路”比喻，對記憶體需求的五個核心維度進行了拆解：

首先是記憶體“容量”，好比物流總倉儲面積，決定了能否將大模型全量參數存在本地，超大規模模型訓練、長上下文推理這類任務，對容量需求高。

其次是“頻寬”，代表單位時間總貨運能力。在前饋網路（FFN）計算環節，這個環節需要批次拉取全量參數做計算，資料搬運量極大，在使用者並行數較小時，對頻寬需求極高；

第三是“寫入率”，對應資料回寫的反向運輸承載力，在訓練場景下，對寫入率的要求高。

第四是“訪問粒度”，即最小運輸單元，在推理過程中，稀疏注意力（Attention）計算環節，需要反覆拉取零散的歷史對話快取（KV Cache）做匹配，因此對小粒度訪問的要求很高。

最後是“延遲”，它相當於物流配送時間，這個指標在注意力（Attention）計算環節要求高。因為每次調取零散資料都要等響應，延遲直接決定大模型回答的快慢。

基於這樣的洞察，長鑫科技在IC China首次秀出了公司針對上述需求變化打造的解決方案。

為了迎接這個新時代的到來，長鑫科技其實做了很多準備。當中，大舉投資研發無疑是其中最直接且行之有效的一種辦法。資料顯示，2026前三季度，長鑫科技的研發投入高達110.71億元，同比增長超73%。

正是在這個高強度研發投入的支援下，長鑫不斷提升產品競爭力，並將其轉化為推動收入結構向高附加值領域轉化的引擎。在本次IC China展會上，長鑫科技更是以“伺服器、手機、汽車”三大場景為主線，首次對最新核心記憶體產品進行了集中展示。

首先看伺服器領域，隨著AI大模型上下文和並行規模不斷擴大，海量KV Cache需要依靠DDR5主記憶體進行快取與調度。同時，Agentic AI推動CPU承擔更多工規劃和資料處理工作，進一步拉高伺服器對主記憶體容量和頻寬的需求，使RDIMM成為支撐AI推理和高並行運行的重要基礎。

駱曉東介紹，在DDR5 RDIMM和MRDIMM產品線上，長鑫科技的DDR5顆粒已完成了從24Gb到32Gb的迭代；RDIMM模組端實現了32GB到128GB主流容量、5600Mbps到8000Mbps速率檔位的全覆蓋；MRDIMM更是覆蓋了128GB和192GB兩個容量點，速率最高達12800Mbps，能以強大的模組矩陣助力資料中心產業升級。

其次是手機等移動終端。隨著端側AI、大模型和多工應用不斷普及，裝置本地資料處理需求持續增長，對記憶體容量和傳輸速率提出更高要求。但受限於機身空間和電池容量，移動記憶體還必須兼顧低功耗與高能效，這也對LPDDR提出了新的挑戰。

換而言之，如何在有限的功耗預算內實現更強的記憶體性能，正在成為LPDDR技術演進的重要課題。在這個領域，長鑫科技正加速推進高端產品迭代。

2026年8月，長鑫正式推出LPDDR6，最高速率達到12800Mbps，相比上一代LPDDR5X頻寬提升60%，功耗降低20%，並已率先實現旗艦手機量產商用。與此同時，基於第五代DRAM技術平台（G5），長鑫還推出了兩款單顆容量達到24Gb的LPDDR5X產品，容量較上一代提升50%，目前均已進入規模量產階段，並應用於中高端智慧型手機及可攜式消費電子。

值得一提的是，如駱曉東所說，長鑫LPDDR6憑藉原生速率更高和雙子架構設計，顯著提升了“頻寬容量比”這一關鍵指標。這一特性使其未來能夠順利拓展至智能駕駛、邊緣計算以及對記憶體能效要求較高的伺服器場景。

至於汽車，隨著汽車智能化發展，高階自動駕駛和智能座艙對DRAM的需求快速提升，單車記憶體需求有望從約16GB增長至300GB以上，同時對記憶體容量、頻寬和穩定性提出更高要求。此外，車規級DRAM還必須滿足寬溫工作、抗振動、長壽命及高可靠性等嚴苛要求。

面對汽車智能化帶來的需求，長鑫已深耕車載記憶體市場多年，產品從LPDDR4X逐步升級至LPDDR5X，並加快LPDDR6車載應用拓展。其車規級LPDDR5X提供315焊球和441焊球兩種封裝方案，兼顧高速傳輸、大容量與平台整合需求，同時通過AEC-Q100 Grade 2及ISO 26262 ASIL D等認證，滿足汽車對記憶體性能與功能安全的嚴苛要求。值得關注的是，長鑫LPDDR6最高速率達到12800Mbps，較上一代頻寬提升60%、功耗降低20%，也為其進一步拓展高端智能汽車市場提供了技術儲備。

總而言之，長鑫正在用全面的佈局，力求抓住DRAM的每一個機遇。

從上面的介紹可以看到，面對記憶體洶湧而來的浪潮，長鑫正在通過全場景的產品矩陣，持續為算力的釋放提供最優的記憶體底座。與此同時，公司也通過持續更新，憑藉長協鎖定客戶需求，以分層洞察指導產品研發，迎接記憶體產業新格局。

結合該公司以及行業的進展，筆者認為，長鑫科技正進入從規模增長邁向技術與產品雙輪驅動的新階段：

一方面，三季度營收、利潤及經營性現金流持續增長，疊加DDR5需求旺盛、伺服器客戶需求強勁以及長期供貨協議推進，反映出公司市場競爭力和業務增長確定性正在增強。另一方面，公司持續加大研發投入，4F²架構、VSG電晶體及混合鍵合等前沿技術取得進展，預計年底將推出融合上述先進技術的新一代DDR5 RDIMM產品；在4F²等架構取得關鍵突破的基礎之上，第六代工藝技術平台已完成工程樣片的驗證。

在這背後，真正值得關注的是，長鑫的競爭思路已經不只是追趕現有DRAM產品，而是通過下一代記憶體架構和先進工藝佈局，爭取在未來高端伺服器記憶體市場建立新的技術競爭優勢，力求在與國際巨頭的競爭中，立於不敗之地。憑藉上述積累，長鑫科技也必將在這個時代扮演不可或缺的關鍵角色。 (半導體行業觀察)