長江儲存美國起訴美光，稱專利侵權

中國3D NAND 領導企業長江儲存已在加州北區對美光提起訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11 項專利，涉及3D NAND 操作的各個方面。長江儲存請求法院下令美光停止在美國銷售其記憶體，並向其支付專利使用費。

長江儲存表示，美光的96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和232 層（B58R）3D NAND 儲存器以及美光的部分DDR5 SDRAM 產品（Y2BM 系列）侵犯了其在美國提交的11 項專利或專利申請。從相關作者收集的專利申請清單表明，它們涵蓋了3D NAND 和DRAM 功能的一般方面，這可能意味著長江儲存正試圖讓美光的生活變得更加艱難，以獲得對美國政府的籌碼。

美國商務部 於2022 年底將長江儲存列入黑名單，這大大增加了該公司從美國公司獲得先進晶圓廠裝置以製造其市場領先的3D NAND 裝置的難度。去年，該公司面臨更大的問題，因為美國商務部禁止銷售可用於製造具有超過128 個活動層的3D NAND 的晶圓廠工具和技術，這對該公司來說是另一個打擊。

儘管美國政府設定了嚴格的限制，長江儲存仍在繼續發展其3D NAND 儲存器。該公司的Xtacking 3.0 快閃記憶體已投入量產（其中一些裝置甚至不違反美國製裁），現在該公司正在開發採用其Xtacking 4.0 架構的3D NAND 。此外，今年稍早，該公司表示已成功將3D QLC NAND 的耐用性大幅提高 到3D TLC NAND 的水平（達到4,000 次程式設計/擦除周期），這顯著改善了廉價SSD 的特性。

其實早在去年，長江儲存科技(YMTC) 就在加州一家法院對美光科技提起專利侵權訴訟 。這場法律戰涉及八項與3D NAND 技術相關的美國專利，涵蓋了現代快閃記憶體工作和製造的多個基本面向。

訴訟稱，美光在其128 層和176 層3D NAND 產品中使用了這項專利技術，即長江儲存Xtacking 技術的基石。由於缺乏有關長江儲存的公開資訊，公眾對這場法律訴訟的看法有所降低。

以下是長江儲存指控美光侵犯的專利清單：

• US10,950,623 涵蓋了建構3D NAND 記憶體晶片的方法，這對於這些晶片所使用的分層架構至關重要。
• US11,501,822 專注於非揮發性儲存裝置的管理，這對於在沒有電源的情況下維護資料至關重要。
• US10,658,378 和US10,937,806 皆涉及矽通孔(TSV) 技術，這是3D NAND 儲存器的基本技術。
• US10,861,872 描述了一種3D NAND 製造技術。
• US11,468,957 涵蓋了NAND​​ 儲存器的架構和操作方面。
• TUS11,600,342 專注於從3D NAND 快閃記憶體讀取資料的方法，這是快閃記憶體的另一個關鍵方面。
• US10,868,031 涉及在多層3D NAND 晶片中堆疊儲存單元的技術，這是3D NAND 的另一個關鍵方面。

與所有專利糾紛一樣，長江儲存和美光之間的法律糾紛可能需要數年時間才能在法庭上解決。長江儲存的專利涵蓋了廣泛的基本NAND 技術，但西部資料、SK 海力士、三星和鎧俠等多家公司也使用類似的架構。這可能會使這些專利難以在法庭上辯護。 （半導體產業觀察）