中國3D NAND 領導企業長江儲存已在加州北區對美光提起訴訟,指控這家美國公司侵犯了其11 項專利,涉及3D NAND 操作的各個方面。長江儲存請求法院下令美光停止在美國銷售其記憶體,並向其支付專利使用費。
長江儲存表示,美光的96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和232 層(B58R)3D NAND 儲存器以及美光的部分DDR5 SDRAM 產品(Y2BM 系列)侵犯了其在美國提交的11 項專利或專利申請。從相關作者收集的專利申請清單表明,它們涵蓋了3D NAND 和DRAM 功能的一般方面,這可能意味著長江儲存正試圖讓美光的生活變得更加艱難,以獲得對美國政府的籌碼。
美國商務部 於2022 年底將長江儲存列入黑名單,這大大增加了該公司從美國公司獲得先進晶圓廠裝置以製造其市場領先的3D NAND 裝置的難度。去年,該公司面臨更大的問題,因為美國商務部禁止銷售可用於製造具有超過128 個活動層的3D NAND 的晶圓廠工具和技術,這對該公司來說是另一個打擊。
儘管美國政府設定了嚴格的限制,長江儲存仍在繼續發展其3D NAND 儲存器。該公司的Xtacking 3.0 快閃記憶體已投入量產(其中一些裝置甚至不違反美國製裁),現在該公司正在開發採用其Xtacking 4.0 架構的3D NAND 。此外,今年稍早,該公司表示已成功將3D QLC NAND 的耐用性大幅提高 到3D TLC NAND 的水平(達到4,000 次程式設計/擦除周期),這顯著改善了廉價SSD 的特性。