三星電子成功實現全球首個900層V級NAND原型技術,向“千層NAND時代”又邁進了一步。在與競爭對手激烈的堆疊技術競爭中,三星電子憑藉這一突破迅速確立了顯著的技術領先優勢,備受讚譽。
據半導體行業25日報導,三星電子近期成功實現了採用“單元多重鍵合(CMB)”技術的900層V級NAND整合系統,該技術將兩片450層單元晶圓鍵合為一體。
NAND快閃記憶體是人工智慧伺服器、智慧型手機和資料中心固態硬碟(SSD)的核心元件,用於儲存資料。如同建造公寓樓一樣,堆疊層數越多,容量越大,在有限的晶片尺寸內即可儲存更多資料,同時最大限度地提高能效。這項技術被認為是三星電子在人工智慧伺服器和終端人工智慧市場佔據主導地位的關鍵,因為在這些市場中,高容量和高效率的元件至關重要。
目前,SK海力士憑藉其321層的4D NAND快閃記憶體在量產市場佔據層數最高的地位。然而,三星電子通過同時推進其第十代V-NAND(V10,超過400層)的量產,並在研發階段迅速突破900層大關,從而在下一代NAND市場中佔據了有利地位。