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深圳EUV原型機曝光，艾斯摩爾壁壘首遭中國雷射技術挑戰，《外交官》承認：中國進展已超出許多西方分析人士此前的預期

2026年7月14日，印度國際新聞頻道WION一則報導，把深圳保密設施裡的進展推到聚光燈下：中國已成功搭建完全中國國產化的極紫外（EUV）光刻機原型。報導援引項目內部消息稱，這是艾斯摩爾自1990年代投入EUV研發以來，第一次有外部力量獨立實現EUV光源產生與整機系統整合。 艾斯摩爾一直獨家把持著全球EUV光刻機市場，整體光刻機市佔率約83%。WION的評論直截了當：如果中國把這一突破推進到EUV光刻機的商業量產，全球半導體產業格局將永久改寫。 LDP技術線 據報導，這台原型機由華為統籌，整合了中國研究機構、供應鏈和數千名研究人員。深圳設施採取嚴格的物理隔離與分組保密機制。
深圳EUV原型機曝光，艾斯摩爾壁壘首遭中國雷射技術挑戰，《外交官》承認：中國進展已超出許多西方分析人士此前的預期
科技#EUV#光刻機#LDP技術
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光刻機"卡脖子"3大件突破 傳聞量產計畫已出

01 光刻機進展眾所周知，在EUV光刻機當中，有著三大核心，分別是雙工作台、投影物鏡系統、極紫外線光源、。國內光刻機在雙工台上已經有了進展，華卓精科在2016年的樣機就通過02專項驗收，成為全球第二家掌握該技術的公司，達到了國際水平。干涉儀是光學干涉測量裝置，其能夠基於光的干涉原理，完成線性尺寸、角度以及幾個特徵的精準測量工作。目前在EUV光刻機當中，雷射干涉儀精準度需要達到0.1奈米等級。EUV光刻物鏡裝調干涉儀，從名字不難看出，主要用於光刻物鏡的精密裝配、校準與性能檢測，屬於光刻物鏡系統的關鍵檢測裝置。是投影物鏡的必要支撐裝置。有圖有真相，文字表述不含糊，應該是有了突破性進展。02 LDP三個核心裡面剩下了，極紫外光源。這項目上，咱們是另外的路線，雷射誘導放電電漿體（Laser-Induced Discharge Plasma, LDP）。LDP技術通過雷射將錫球汽化形成雲狀物，然後通過施加高壓的電極將其轉化為電漿體，電漿體與電子碰撞產生13.5nm的EUV光。與LPP（雷射轟擊液態錫滴）技術相比，省去了複雜的液態錫滴控製造系統，轉而依賴電能直接驅動放電過程。但LDP技術，依然需要非常精密的光源來氣化錫球，而光源的關鍵部件是雷射器，而雷射器的挑戰在於功率和脈衝參數。千瓦級高重頻皮秒雷射是EUV光刻機預脈衝光源的核心技術。03 雷射器眾所周知，通快是當前唯一可以實現千瓦級薄片超快雷射器量產的企業，是ASML的EUV光刻機的光源供應商。記住這個詞“千瓦級、薄片、超快”。2023年12月，深圳技術大學牽頭，有大族雷射參與“針對晶體薄片加工及新一代增益器件製備中……高能量薄片超快雷射技術並實現產業化應用。……在國內率先實現了直徑>20mm Yb:YAG薄片晶體封裝，並設計研製了千瓦級48沖程泵浦系統”2024年7月，英諾雷射聯合主流機構開啟了euv光刻機光源產生的核心：高功率薄片超快雷射器的研發與產業化。公司發佈公告稱“項目處於開發過程中……，德國通快公司掌握了該雷射技術並推出系列化產品……”2024年9月，中國雷射雜誌刊文，大連化物所全鏈條自主研發的72通薄片泵浦模組，實現了薄片皮秒雷射再生放大輸出功率超過300W。哈工大團隊的LDP項目，獲2024年高校創新成果轉化一等獎。綜上所述，雙工台、投影物鏡系統，雷射器，簡單說EUV光刻至少大件已經湊齊了。那圖中的說法，似乎也就不是空穴來風了。2025年三季度試生產，2026年量產，時間也不算長，就等等看唄。2025年的SEMICON China大展馬上到，行業內齊聚一堂，應該會有更多小道消息。 (招商行業觀察)
光刻機"卡脖子"3大件突破 傳聞量產計畫已出
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