近年來，非揮發性記憶體（NVM）技術正迎來快速發展。隨著人工智慧、自動駕駛、物聯網等新興應用的興起，傳統的儲存系統正面臨速度、能耗與穩定性的多重挑戰。為兼顧“快”“省”“穩”，各類新型記憶體（如ReRAM、PCM、FeRAM、MRAM等）紛紛進入研發與驗證階段，試圖在“後DRAM時代”中脫穎而出。在這一背景下，磁阻隨機存取記憶體（MRAM）因兼具高速、低功耗與非揮發性，被認為是最具潛力的通用型儲存方案之一。據報導，來自台灣國立陽明交通大學、台積電及工業技術研究院等機構的跨國研究團隊，在MRAM技術上取得了重大突破。他們成功開發出一種基於β相鎢材料的自旋軌道力矩磁阻隨機存取記憶體（SOT-MRAM），實現了令人矚目的效能指標：只需1奈秒即可完成資料切換，資料保持時間超過10年，隧道磁阻比高達146%。這項發表在《自然電子學》（Nature Electronics）期刊上的成果，為下一代高速、低功耗儲存技術的產業化應用鋪平了道路。儲存技術的變革需求目前運算系統依賴由SRAM、DRAM和快閃記憶體構成的儲存層級體系。然而，隨著技術節點突破10奈米關口，這些基於電荷儲存的傳統技術面臨嚴峻挑戰：可擴展性受限、效能提升困難、讀寫幹擾問題加劇、可靠性下降。特別是在人工智慧和邊緣運算快速發展的今天，對記憶體提出了更高要求——既要具備DRAM的高速響應能力，又要擁有快閃記憶體的非揮發性特徵，同時還需大幅降低功耗。在這一背景下，新興非揮發性儲存技術應運而生。除SOT-MRAM外，還包括自旋轉移矩磁性隨機存取記憶體（STT-MRAM）、相變記憶體（PCM）、電阻式隨機存取記憶體（RRAM）和鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）等。這些技術均具有非揮發性、低延遲、低功耗的特點，並可與現有的CMOS半導體製程整合，為開發新型運算架構提供了可能。比較來看，DRAM的延遲約為14毫秒，3D TLC NAND的讀取延遲在50至100微秒之間，而新型SOT-MRAM的切換速度達到1奈秒級別，幾乎可與SRAM媲美，同時還保留了非易失性的優勢——這意味著即使斷電，數據也不會丟失。SOT-MRAM的獨特優勢SOT-MRAM之所以備受關注，源自於其獨特的工作原理和技術優勢。它利用具有強自旋軌道耦合作用的材料產生自旋軌道力矩（SOT），實現磁性隧道結內奈米磁鐵的磁化翻轉，從而完成資料的寫入與擦除。相較於其他儲存技術，SOT-MRAM具有三大核心優勢：高速寫入：透過自旋軌道力矩效應，可在奈秒時間內完成磁化翻轉，比傳統磁場驅動方式快得多。高能源效率：三端結構設計將讀寫電流路徑完全分離，有效解決了STT-MRAM面臨的耐久性問題和磁性隧道結電阻限制，顯著降低了能耗。高可靠性：由於讀寫操作相互獨立，裝置的耐久性大幅提升，可承受更多次的讀寫循環，同時長期資料保持能力優異。正是這些優勢，使得SOT-MRAM有望取代高速緩存等級的SRAM，成為新一代運算系統的核心儲存元件。攻克關鍵技術難題儘管SOT-MRAM的理論優勢明顯，但要實現產業化應用，必須解決一個關鍵技術瓶頸：自旋軌道耦合材料的熱穩定性問題。鎢因其強自旋軌道耦合特性，是SOT-MRAM的理想候選材料。特別是穩定在A15結構（β相）的鎢，其自旋霍爾角可達-0.4至-0.6，具有優異的自旋軌道力矩效率。然而，β相鎢屬於亞穩態，在半導體製造過程中常見的熱處理條件下（通常需在400°C下持續數小時），會轉變為熱力學穩定的α相鎢。這種相變是致命的－α相鎢的自旋霍爾角僅約-0.01，自旋軌道力矩翻轉效率大幅降低，使元件性能嚴重退化。研究團隊的突破性方案是：在鎢層中插入超薄鈷層，形成複合結構。具體而言，他們將6.6奈米厚的鎢層分成四段，每段之間插入僅0.14奈米厚的鈷層－這個厚度小於鈷的單原子層，因此鈷呈現不連續分佈。這種精巧設計發揮了兩重作用：鈷層作為擴散阻擋層，抑制了鎢層內的原子擴散；鈷與鎢之間的混合效應消耗了熱預算，從而延緩了相變的發生。實驗驗證令人振奮：這種複合鎢結構可以在400°C下維持物相穩定長達10小時，甚至能耐受700°C高溫30分鐘，而傳統單層鎢在400°C下僅退火10分鐘就發生了相變。透過透射電子顯微鏡、X射線衍射以及台灣光子源的奈米衍射測試，研究人員確認了β相鎢的穩定性。更重要的是，這種複合結構不僅解決了熱穩定性問題，也維持了優異的自旋轉換效率。透過自旋扭矩鐵磁共振和諧波霍爾電阻測量，團隊測得複合鎢薄膜的自旋霍爾電導率約為4500 Ω⁻¹·cm⁻¹，阻尼類扭矩效率約為0.61，這些參數確保了高效的磁化翻轉性能。性能全面驗證理論上的突破，唯有通過元件驗證才能真正落地。研究團隊基於複合鎢薄膜方案，成功製備出64千位元SOT-MRAM原型陣列，並在接近實際應用的條件下完成了全面的性能測試與驗證。切換速度方面，裝置實現了1奈秒的自旋軌道力矩翻轉速度，效能幾乎可與SRAM媲美，遠超過DRAM與快閃記憶體。 8000個裝置的統計測試顯示，其翻轉行為高度一致，在長脈衝（10奈秒）條件下的本徵翻轉電流密度僅為34.1兆安/平方釐米，展現出優異的穩定性與重複性。數據保持能力同樣出色。根據累積分佈函數（CDF）估算，裝置的熱穩定性參數Δ約為116，意味著其資料保持時間可超過10年，完全滿足非揮發性儲存的嚴格要求。在穿隧磁阻比（TMR）測試中，元件取得了高達146%的TMR值，顯示MgO與Co₄₀Fe₄₀B₂₀之間形成了高品質介面，為穩定讀取裕量和可靠製程視窗提供了有力保障。在能耗控制方面，三端結構設計實現了讀寫操作的完全獨立，從根本上降低了能耗，使其特別適用於對功耗敏感的邊緣運算、行動終端等應用場景。此外，由於台積電科研團隊的參與，整個設計自立項之初便麵向現有半導體後端製程進行最佳化，確保了出色的製程相容性，為未來的大規模量產鋪平了道路。值得一提的是，研究團隊也實現了無外加磁場的X型翻轉。這項成果得益於複合鎢材料中的對稱性破缺效應，不僅進一步簡化了裝置結構，也提升了整合度和設計彈性，為SOT-MRAM的工程化應用開闢了新方向。開啟儲存技術新紀元這項研究的意義遠不止於實驗室的技術突破，它為整個儲存產業的發展指明了新方向。與許多仍停留在概念驗證階段的新型儲存技術不同，基於複合鎢的SOT-MRAM從設計初就考慮了製程相容性和可製造性。研究團隊已成功製備出64千位元陣列，並計劃進一步擴展至兆位元（Mb）級整合，同時將寫入能耗降至每位元亞皮焦等級。在人工智慧和邊緣運算場景中，SOT-MRAM也展現出獨特優勢。 AI訓練與推理過程中的高頻資料存取是能耗的主要來源，而SOT-MRAM憑藉高速、非易失和低功耗的特性，可作為AI加速器的片上緩存，顯著降低系統能耗。在邊緣設備中，其非揮發性意味著設備可快速啟動和停止而不丟失數據，對電池供電的物聯網終端尤其有利。同時，SOT-MRAM的出現或將推動儲存層級體系的重構。傳統的「SRAM快取—DRAM主記憶體—快閃記憶體外存」三級架構可能迎來變革，SOT-MRAM有望填補SRAM與DRAM之間的效能空白，甚至在部分應用中取代其中一者，從而簡化架構、提升系統效率。在材料科學層面，研究中提出的「複合層穩定亞穩態相」策略不僅適用於鎢，也為其他功能性材料的相穩定性研究提供了新的思路。團隊計畫進一步探索新型氧化物與二維介面材料，以提升整體性能與可靠性。更為深遠的是，這項突破或將推動運算架構創新。高速、低功耗的SOT-MRAM讓「存算一體」（In-Memory Computing）等新型架構更加可行，為突破傳統馮諾依曼結構的「儲存牆」瓶頸提供了新的路徑。結語目前來看，基於複合鎢的SOT-MRAM，透過巧妙的材料設計解決了β相鎢的熱穩定性難題，實現了奈秒切換與超長數據保持的完美結合。這不僅是一項學術成果，更是為下一代運算系統準備的核心技術儲備。對於研究團隊來說，他們的目標不僅是展示優異的實驗室效能，更要透過系統層級驗證，展示MRAM如何在實際應用中大幅降低整體功耗，推動AI、邊緣運算和行動裝置的技術革新。隨著從千位元級到兆位元整合的推進，我們有理由期待，這種新型記憶體將在不久的將來走進我們的智慧型設備，開啟儲存技術的新紀元。 （半導體產業觀察）
