5月19日，A股再現慘烈一幕。 *ST聞泰迎來第10個連續跌停板。 今年以來，股價累計下跌超56%。 截至當日收盤，股價報16.84元。

5月19日消息，接連10個跌停板，聞泰科技今年以來已下跌超56%！ 據資料顯示，截至5月19日，*ST聞泰收於16.84元，創近11年來的歷史新低，總市值從2020年2月26日的最高1753.49億元，降至209.6億元，縮水幅度高達88%。 曾經的半導體明星巨頭，總市值何以只剩下個零頭？2025年的一筆一次性公允價值損失，“吞噬”其上市30年所有的淨利潤，而出售資產頻頻受阻，退市時間窗口僅剩半年，聞泰科技能否“起死回生”？ 這一幕的直接導火索，是2026年4月29日，容誠會計師事務所對聞泰科技2025年度財務報表被出具“無法表示意見”的審計報告，因此，自2026年5月6日起股票被實施退市風險警示，簡稱變更為*ST聞泰，若2026年度未能消除該情形，公司股票將面臨終止上市風險。

過去幾年，一眾功率半導體廠商非常看好汽車給SiC帶來的強勁需求，按高增長 電動汽車 曲線擴產；然而現在電動汽車節奏放緩、價格競爭提前到來、裝置折舊開始兌現，這種壓力，已經清晰地寫進了多家功率半導體廠商的利潤表。功率半導體巨頭的利潤“血淚史” 羅姆：1936億日元減值損失 羅姆是這輪 SiC 周期錯配最典型的案例。 2026 年 5 月 12 日，羅姆發佈 2025 財年全年業績。該財年對應 2025 年 4 月至 2026 年 3 月。財報顯示，公司全年淨虧損達到1584 億日元，創下歷史最大虧損紀錄，並且已經連續兩年處於虧損狀態。上一財年，羅姆淨虧損為 500 億日元。

2019年6月，美國休斯敦港口，一台重達227噸的中國製造大型變壓器本該被送往科羅拉多州的變電站完成交付，但卻被美國聯邦官員以“零部件可能加入惡意功能”為由中途截走，運往了新墨西哥州的桑迪亞國家實驗室，進行拆解研究。這種直接截走商用裝置的做法極其罕見，瞬間吸引了諸多媒體的目光，並最終為這台中國產品做了背書：這台變壓器不但沒有所謂的“後門”，而且產品質量過硬。作為購買方的美國電力公司澄清說：“變壓器沒有問題，後續仍會投入使用。”也就在此3個月後，義大利電力公司便向變壓器背後的中國企業主動尋求合作。而後，德國西門子、法國燃氣、美國特斯拉等也提出了深度合作意向。回溯40年前，這家企業還只是一家瀕臨破產的縣城小廠。而今，它已經成為變壓器產銷量全球第一的單體企業，《華爾街日報》稱其為“當今世界上品種最全、規模最大、信譽最佳的變壓器製造商之一。”01. 兩次起死回生江蘇溧陽市崑崙區正昌路68號，是華鵬變壓器的所在地。作為公司掌門人的錢洪金，外表溫文儒雅，講著一口略帶吳儂軟語韻味的普通話。與溫和談吐形成極大反差的，是年過80歲的他，身形卻像一位身經百戰的將軍，八塊腹肌清晰可見，能連續做超過400個健腹輪。有次赴山東出差，行程總計1000多公里，他深夜出發、清晨抵達，在叮囑司機好好補覺後，便獨自去洽談業務，當晚8點又連夜返程，第二天一早照常出現在辦公室，絲毫不顯疲態，讓許多年輕人都自嘆不如。這位比任正非小兩歲的企業家，和任正非有著很多相似點：同樣是退伍軍人，同樣堅持不上市，同樣帶領企業突破國外壟斷，並同樣都有著鐵血本色和過人毅力。這些特質，在他初入商界時拯救兩家瀕危企業的經歷中，就已經充分展現。時間回到1964年，18歲的錢洪金應徵入伍，在國防科委試驗基地開始了14年的軍旅生涯。西部戈壁灘摸爬滾打的艱苦歲月，塑造了他堅毅果敢的性格底色。1978年9月，錢洪金退伍轉業到溧陽縣工業局。然而，步入崗位沒幾年，領導便丟給他一個“爛攤子”，讓他去瀕臨倒閉的溧陽軋鋼廠任職，做救火隊長。接到任務，錢洪金二話沒說，跨上自行車直奔工廠赴任。他一直相信老班長的一句話：“不是環境改造人，而是人改造環境。”這份信念驅使他迎難而上。通過整頓紀律、聚焦主業、改善分配等舉措，短短3年，軋鋼廠起死回生，不僅扭虧為盈，還賺了430萬的利稅。《新華日報》用頭版頭條報導了此事，轟動一時。軋鋼廠剛步入正軌，領導又遞來一個更棘手的“燙手山芋”，命他火速馳援情勢更危急的溧陽電機廠。這次任務的阻力遠超預期。溧陽電機廠過去10年換了10任廠長，奄奄一息。有的員工經常偷銅線賣錢，有的員工拋下工作去幹農活，甚至還有車間主任帶隊接私活，工廠上下人心渙散。錢洪金一到任，首先拿遲到風氣“開刀”。有員工不服氣，唆使自己的父母去錢洪金家裡鬧事。錢洪金指著桌上兩盤青菜說：“你們要吃飯，就這兩盤菜，可以一起吃。但規矩不能改，遲到就得扣錢！”鬧事的人眼見廠長態度堅決，只好訕訕離去。從此，廠內再也沒人敢遲到。不過鐵血之下也有柔腸。錢洪金與員工吃在一起、工作在一起，推心置腹地交流怎麼改進產品、壓縮成本，又該建立怎樣的獎勵機制。僅用了一年，溧陽電機廠產值從原來的200多萬上升到1000余萬元，絕地翻盤。但錢洪金並未止步。彼時，國內經濟正高速發展，他決心抓準時機，將縣城小廠做成全國品牌。深入調研後，他鎖定了變壓器行業。基建發展要用電，工業建設也要用電，百姓民生更離不開電。電力是現代社會的血脈，而變壓器正是調節電流的核心，錢洪金認定這是一個“永遠不滅的行業”。話語雖樸實，卻道出了產業本質。1995年，錢洪金取“華夏之鵬”之義，將溧陽電機廠更名為江蘇華鵬特種變壓器有限公司，從此一頭紮進了變壓器領域。此後，中國電力事業正如他所預見般騰飛，變壓器需求節節攀升。錢洪金洞察到，110kV級變壓器市場增長迅猛，卻陷於兩難：大企業嫌綜合成本高不願做，小企業因生產條件弱做不好，這是一片藍海。於是，他果斷將110kV級產品定位為“拳頭產品”，集結技術團隊攻堅，在質量、價格、服務上做到極致，華鵬110kV級變壓器銷量因此連續多年位居全國第一。2001年，華鵬步入高速發展期，銷售收入突破5億元，利稅達5751萬元。為了進一步放開手腳、激勵團隊，錢洪金成立華朋集團，改製為民營企業，華鵬變壓器公司為核心子公司，業績以每年30%以上的速度迅猛增長。▲來源：江蘇華鵬變壓器官網然而，順風順水之際，一個艱難的抉擇擺上了檯面。02.2004年底，華鵬中標上海電力物資公司8000萬元供貨合同，這本是打開新局面的良機。可就在工廠準備生產時，原材料矽鋼片價格突然暴漲，此時一旦繼續投產，公司將面臨虧損風險。8000萬元，在當年絕對是一筆大單，足以牽動華鵬的命脈。面對這種重壓，有些同行會選擇延遲交貨，或者適當降低標準以節省成本。但在錢洪金的理念裡：100-1=0。和華鵬的信譽相比，8000萬是一個渺小的數字。“華鵬不能為了追求一時的短期利益而改變產品結構或降低技術標準，損害顧客利益。”為保證上海電力項目的正常運行，錢洪金多方尋訪，不惜以高價採購優質矽鋼片。最終如期交付了高品質的產品，出色地完成了訂單。這種追求質量的態度，讓變壓器圈裡逐漸流傳開一句話：“要全銅，找華鵬。”這份信譽，也很快體現在了業績增長上。2005年，華鵬110kV及以下油浸式變壓器、環氧樹脂澆注乾式變壓器雙雙斬獲“中國名牌產品”稱號，“華鵬”商標更是被國家認定為中國馳名商標。在“中國變壓器行業十強”評比中，華鵬躍居第二位。不過華鵬的發展並非自此一片坦途，2010年前後，金融危機的餘波逐漸席捲到了實體產業，一場全行業的產能過剩，又給華鵬的發展出了新難題。此時，全國1700多家變壓器企業總產能達30億kVA，但市場實際需求只有14億kVA。惡性競爭導致行業平均利潤被壓到3%-4%，曾經高峰期售價1500萬元的變壓器暴跌到800萬元，降幅接近一半。寒冬中，同行紛紛另謀出路。有的將工廠轉手套現離場，還有的企業將視角投向多元化經營，試圖逃離實業“賺快錢”。面對競爭加劇與轉型誘惑，錢洪金也曾短暫涉足房地產，但在最賺錢的時候，他選擇冷靜退出，聚焦在變壓器主業上。事後，他平靜地說：“我們不具備這樣的能力”。這種坦率，一方面是因為他清楚華鵬的能力邊界，另一方面也源於他對變壓器行業的深刻洞察。實際上，隨著國家電網持續升級改造，市場對變壓器的需求仍在不斷增長，這個行業依舊是“永遠不滅的行業”。只不過，中國變壓器的行業格局，已經開始呈現出金字塔結構：塔底的中低端產品確實產能過剩，但塔尖的超高壓、特高壓、新能源等高端產品恰恰是產能不足。然而高端產品技術門檻更高，不是所有企業都有資格走。錢洪金選擇走這條艱難但正確的道路。此後數年內，華鵬與武鋼、國家矽鋼研究中心聯合建立了矽鋼材料實驗室，並建立了院士工作站、博士後工作站等。華鵬自主研發的500kV級超高壓電力變壓器，性能達到國際先進水平。在風電、水電、太陽能、核電等領域也都打造了具有競爭力的產品。2015年後，經歷行業洗牌的市場逐漸回暖。此時再看，曾經很多選擇賺快錢的企業早已消失在商海長河之中，而華鵬憑藉對高端變壓器的持續深耕，實現銷售收入32.27億元，利稅5.05億元。當然，支撐華鵬亮業績，除了高端市場的持續突破，還有一個重要支柱——海外市場。03. 出海封王2021年1月，愛爾蘭一家大型電廠的升壓變壓器突發短路燒燬，情況十萬火急。這時，和他們合作的美國保險公司出了個主意：“試試中國的華鵬”。對於這一緊急訂單，華鵬不僅按要求製造出產品，還比原計畫提前了整整兩周交貨，大大超出了愛爾蘭電廠的預期。因此愛爾蘭方面除了支付貨款，還額外支付給華鵬14萬歐元獎金，作為對高效響應的感謝。回顧這次合作，美國保險公司的推薦很關鍵。但推薦不是憑空出現，而是源於華鵬在海外市場多年打拚積累下的口碑。實際上，在華鵬早年進軍海外時，不少客戶對中國產品的質量沒那麼放心，華鵬的對策是：光達到客戶標準還不夠，還得拿出更科學的方案，提供合同條款之外的服務價值。憑藉“多做一點”，華鵬逐漸在國際市場上站穩了腳跟。在2014年上半年，當國內同行普遍受困於產能過剩時，華鵬的海外出貨增長了近40%。西門子、阿爾斯通這些國際名企也開始向華鵬下訂單，華鵬還第一次將4台超高壓變壓器打入美國500kV高端市場。在《華爾街日報》與《世界工業雜誌》的一項評選中，華鵬成為北美市場十大變壓器品牌中，唯一的中國公司。這個“唯一”的份量，很快就在現實的貿易環境中體現出來。近年來，美國對中國進口變壓器大幅加征關稅，稅率一路飈高，錢洪金也不慌張，“關稅加到超過60%時，美國客戶甚至願意主動承擔一半費用（也要用華鵬的產品）。”不久後，華鵬就拿下了美國俄亥俄州某電廠‌765kV超高壓變壓器訂單，並一次性通過ANSI標準試驗，且交貨周期整整縮短到10個月，而行業同類訂單的平均水平是18到24個月。即便關稅壁壘層層加碼，美國最核心的電網仍然離不開華鵬。為什麼華鵬能頂得住這種壓力？這和變壓器的特性有關。變壓器不能完全流水線生產，定製化需求更強，所以“人”是最重要的因素之一。以繞線工為例，這項工作對精密度要求很高。一台大型變壓器的體積堪比一個小型車庫，繞線工要徒手把電線精準地纏繞到巨大的圓筒上，容不得半點差錯。培養一名合格繞線工需要三年，達到技術全面要五年，如果要成為“八級工”水準的高級技師，至少需要歷練七年以上。日立能源北美區負責人Anthony Allard曾感慨：“說實話，他們堪稱藝術家。這是極度依賴手工的工種，操作必須精確無誤，否則裝置後期必將出現故障。”華鵬2000多人的團隊，成員平均工齡超過18年，這樣的“藝術家”不在少數。不光生產線，他們的外貿商務團隊也得懂技術安裝。有位副總在國外談判時，一個人就能同時應付10多位客戶輪番技術諮詢。這種人才梯隊的建設，不是海外對手能夠輕易複製的，也是華鵬的核心壁壘所在。最近幾年，全球變壓器大緊缺，華鵬海外市場佔比也躍升至50%。2024年，集團銷售額破86億，2025年衝刺百億，產品銷往北美、歐洲、東南亞、中東等100多個國家與地區。這家曾經奄奄一息的縣城小廠如今已經成長為資產規模133.5億元，年生產能力2億kVA的行業領跑者，單個企業產銷量位居全球第一。不過，華鵬眼前也擺著新考驗。與國際電力巨頭相比，華鵬的利潤率還不夠高；投資30億元重倉的新型儲能與變壓器項目，也面臨巨大的競爭壓力。未來還是像過去一樣，充滿挑戰。但錢洪金的創業路從來不是一帆風順的，他的想法很實在：“一輩子做好一件事”，認定了正確的事就要一直做下去。“我沒有退路，作為一家之長，這麼多人跟著我跑，我唯一的選擇就是毫不猶豫地往前衝！”錢洪金有一個“三不哲學”：不造假、不上市、不用空降兵。不造假是底線，看似容易實則困難。曾經有國外客戶提出了不合規的技術要求，並表示適當修改資料也無傷大雅，但華鵬的技術人員斷然拒絕，堅持按照國際IEC標準執行。事後，該客戶被華鵬的理念折服，選擇繼續與其合作。在錢洪金看來，實業就要實實在在，中國企業走到國際的舞台上就代表了國家，要給國家爭光，不能給國家抹黑。面對資本市場拋來的橄欖枝，錢洪金和任正非類似，堅持不上市。他曾表示：“可能我的經營觀念比較保守，上市容易被外部干預，華鵬必須牢牢掌控在全心全意為公司發展的奮鬥者手中。”在這種執拗下，華鵬保證了較強的自主性，每年的技術研發投入約佔銷售額的5%，雷打不動。對於人才培養，錢洪金主張不用空降兵，他認為如果一個企業只能生產產品，不能生產自己需要的人才，本身就是一個根本性的失敗。因此，華鵬54個班組、8個車間、9個主任，沒有一個幹部是空降的。錢洪金的“三不哲學”不見得適合其他企業，但這背後體現他作為一名實業家，特有的堅持與管理風格。放眼整個中國製造業，有很多像華鵬一樣的隱形冠軍。製冷元器件領域的三花智控、液壓領域的艾迪精密、太陽能裝置領域的邁為科技、衛星導航晶片領域的泰斗微電子.....這些冠軍企業都有個共性：創始人高度自律，堅持實業路線不分心，1釐米寬能挖到1萬米深。就像一塊頑石，個頭不大，但跌不爛、打不破、夠硬核。在全國41個工業大類，666個工業小類，乃至成千上萬個細分行業裡，不乏這樣的硬核企業。中國的產業軍團需要衝鋒的巨艦，也少不了這些默默堅守的角色在無數個局部戰場上突圍。這些隱形冠軍平時不顯山露水，很少見諸報端，可一到關鍵時刻，它們就是中國製造的關鍵底牌，穩穩托住大局。 (EDA365電子論壇)

前言在很長一段時間裡，嵌入式計算的世界是穩定而克制的。MCU 的核心使命只有一個：可靠、即時、低功耗。性能不需要年年翻倍，架構也不追求激進創新。Flash、SRAM、CPU 核心，加上一套成熟的軟體工具鏈，足以支撐工業控制、汽車電子和各類終端裝置穩定運行十幾年。但在最近兩三年，這套秩序正在被悄然打破。變化並不是從“算力焦慮”開始的。與伺服器、GPU 世界不同，MCU 並不渴望更高的 TOPS，也不需要跑動輒百億參數的大模型。事實上，真正的壓力是來自邊緣裝置，它們被賦予了越來越多“理解環境、做出判斷”的任務：感測器資料融合、異常檢測、圖像識別、語音喚醒、預測性維護。這些能力並不要求極致性能，卻對即時性、功耗可控性和系統確定性提出了前所未有的要求。在MCU的幾大巨頭——TI、英飛凌、NXP、ST、瑞薩眼中，行業正在經歷一場革命，AI不再只是跑在MCU上的軟體，而是開始反向塑造MCU本身的架構，不僅是生產工藝從傳統40nm邁向22nm、16nm甚至更先進節點，還整合了包括NPU在內的多個模組，同時新型儲存器也從幕後走向台前。至此，MCU的發展已走出全新脈絡。市場真正需要的，不是單純“更快”的MCU，而是能在堅守傳統優勢的基礎上，原生支援AI工作負載的全新架構。為什麼要塞NPU？相信不少人都有一個疑問：為什麼連MCU都要塞NPU模組呢？實際上，這一輪MCU整合NPU的邏輯，與手機、伺服器完全不同。在移動端和資料中心，NPU的目標是追求更高的TOPS數值、更快的推理速度、更複雜的模型支援。但在嵌入式領域，NPU更多是確保整個系統運行的穩定性。目前的工業和汽車場景本質是即時控制系統。在電機控制、電源管理、ADAS決策這些應用中，系統必須在幾微秒到幾毫秒的固定時間窗口內完成響應。傳統架構下，如果讓CPU同時承擔控制和AI推理，就會出現致命問題：AI推理任務會佔用CPU資源，導致控制中斷被延遲，破壞系統的時間確定性。而NPU的價值在於實現“算力隔離”。它把AI推理從主控制路徑中剝離出來，讓CPU專注於確定性任務，AI推理在獨立的硬體單元上運行，這樣就解決了嵌入式AI一個關鍵矛盾：既要智能，又不能犧牲即時性。嵌入式系統的另一個關鍵約束是功耗預算。工業物聯網裝置往往需要電池供電運行數年，汽車晶片的工作溫度範圍從-40°C到150°C，任何功耗波動都可能導致系統過熱或電池提前耗盡。而專用NPU通過固定的MAC陣列和脈動陣列架構，使得功耗變得可預測，在邊緣側場景如人臉識別、影像處理等應用中，NPU易開發、高效能、低功耗等優勢正逐漸突顯。因此你會看到一個有趣的現象：所有MCU廠商的NPU都表現得很“克制”。算力從幾十GOPS到數百GOPS不等，遠低於移動端NPU的數TOPS等級，更不用說雲端GPU的數百TOPS。就目前而言，嵌入式NPU更像是MCU架構裡的“減震器”，而不是“發動機”。它的作用是吸收AI工作負載的衝擊，保護即時控制的穩定性，而不是追求性能極限。過高的算力意味著更大的晶片面積、更高的功耗、更複雜的熱管理——這些都與嵌入式系統的設計原則相悖。更重要的是，當前邊緣AI應用的模型規模本身就受限。在MCU上運行的神經網路通常是經過深度最佳化的輕量模型：參數量從幾萬到幾百萬，推理一次只需幾毫秒到幾十毫秒。幾百GOPS的算力已經足夠，再高就是浪費。總而言之，MCU中的NPU不是算力競賽的產物，而是嵌入式系統在AI時代重構自身架構的必然選擇。它的核心價值不在TOPS數字，而在於讓AI與即時控制和諧共存，在確定性、低功耗、小面積之間找到最佳平衡點。MCU巨頭，如何看待NPU值得一提的是，幾大巨頭儘管在整合NPU這條主線上達成了一致，但在具體實現和應用上有著各自側重點。TI：即時控制與AI深度融合，聚焦工業與汽車安全場景TI的戰略核心是將NPU能力深度植入其優勢的即時控制領域，強化“控制+AI”一體化解決方案，而非單純追求算力提升。這一戰略精準匹配了工業電機控制、汽車故障檢測等對即時性和可靠性要求極高的場景需求——畢竟在這些場景中，AI的價值在於提升檢測精度和響應速度，而不能干擾核心控制任務的執行。產品層面，TI推出的TMS320F28P55x系列是業界首款整合NPU的即時控制MCU，基於其經典的32位C28x DSP核心，主頻150MHz，具備與300MHz Arm Cortex-M7相當的即時訊號處理能力。該系列內建的NPU專門針對摺積神經網路（CNN）模型最佳化，核心作用是將AI推理任務從主CPU剝離，實現算力隔離，相比純軟體實現降低5-10倍延遲，同時將故障檢測準確率提升至99%以上。例如在電弧故障監測、電機故障診斷等應用中，NPU可即時分析電流、電壓資料並快速識別異常，而CPU則專注於電機驅動、電源管理等確定性控制任務，兩者協同確保系統在微秒級時間窗口內完成響應。為降低開發門檻，TI配套推出Edge AI Studio工具鏈，覆蓋從模型訓練、最佳化到部署的全流程，即使是缺乏AI經驗的工程師也能快速完成智能控制方案開發。此外，該系列還滿足ISO 26262、IEC 61508等功能安全標準，最高支援ASIL D等級，進一步適配汽車和工業安全關鍵場景的需求。英飛凌：借力Arm生態，打造通用型低功耗AI MCU平台英飛凌選擇“Arm架構+生態協作”的輕量化路線，戰略重心是降低邊緣AI的開發門檻，快速覆蓋消費物聯網、工業HMI等廣泛場景。其核心邏輯是：通過復用成熟的Arm Cortex-M核心與Ethos-U55微NPU組合，在保證低功耗的前提下，快速實現AI能力的規模化落地，同時依託完善的工具鏈降低客戶遷移成本。產品上，英飛凌推出的PSOC Edge E8x系列（E81、E83、E84）形成了梯度化佈局：基礎款E81採用Cortex-M33核心搭配自研NNLite超低功耗加速器，滿足簡單語音識別、手勢檢測等輕量AI需求；高端款E83、E84則升級為Cortex-M55核心+Arm Ethos-U55 NPU的組合，支援Arm Helium DSP指令集，機器學習性能較傳統Cortex-M系統提升480倍。其中，Arm Ethos-U55作為專為嵌入式設計的微NPU，可在毫瓦級功耗下實現AI加速，完美匹配物聯網裝置的長續航需求。生態建設是英飛凌的核心競爭力：該系列全面相容ModusToolbox軟體開發平台，並整合Imagimob Studio邊緣AI開發工具，提供從資料採集、模型訓練到部署的端到端支援，同時內建豐富的預訓練模型和入門項目，幫助客戶快速上手。應用場景覆蓋智能家居安全系統、工業機器人HMI、可穿戴裝置等，其中E83、E84可支援人臉/物體識別、視覺位置檢測等更複雜的AI任務，E84還新增低功耗圖形顯示功能，進一步拓展了高端HMI應用場景。NXP：自研NPU+軟體生態，聚焦高靈活性邊緣AI部署NXP的戰略特色是“硬體可擴展+軟體全端”，通過自研eIQ Neutron NPU核心，結合統一的eIQ AI軟體工具包，打造兼顧靈活性與性能的邊緣AI解決方案。其核心目標是滿足工業機器人、智能汽車等場景對多樣化神經網路模型的支援需求，同時保證系統在低功耗下的即時響應能力。硬體層面，NXP的eIQ Neutron NPU採用可擴展架構，可根據應用需求靈活調整算力配置，支援CNN、RNN、Transformer等多種神經網路模型，適配從簡單語音喚醒到複雜圖像分類的全場景需求。該NPU被深度整合到MCU和MPU產品中，通過“CPU+NPU+DSP”的異構架構實現算力隔離，確保AI推理不影響核心控制任務的執行。例如在工業機器人應用中，NPU可即時處理視覺感測器資料完成路徑規劃，CPU則專注於電機驅動、運動控制等確定性任務，兩者協同提升系統響應速度。軟體生態是NXP的核心支撐：eIQ AI軟體工具包提供統一的開發介面，支援TensorFlow Lite、PyTorch等主流機器學習框架，實現“自帶模型”“自帶資料”的本地化處理流程，既降低了網路延遲和頻寬依賴，又提升了資料隱私安全性。此外，NXP還提供豐富的預訓練模型庫和應用示例（如目標識別、手寫數字識別、LLM部署演示），並通過GoPoint應用程式碼中心提供詳細教學，加速客戶開發處理程序。ST：自研NPU突破性能上限，主攻高性能邊緣視覺場景ST的戰略方向是“自研NPU+高性能核心”，聚焦工業視覺、高端消費電子等對AI算力有較高要求的場景，通過自主研發的Neural-ART Accelerator NPU，在保證即時性的前提下，突破傳統MCU的AI性能邊界。其核心邏輯是：針對電腦視覺等複雜邊緣AI任務，需要更強大的專用算力支撐，但仍需嚴格控制功耗和晶片面積，避免與嵌入式設計原則相悖。產品上，ST推出的STM32N6系列是其首款整合自研NPU的MCU，基於800MHz的Arm Cortex-M55核心，首次引入Arm Helium向量處理技術，同時搭載主頻高達1GHz的Neural-ART Accelerator NPU，AI算力可達600 GOPS——這一數值雖遠低於移動端NPU，但已能滿足高解析度圖像處理、多模型平行運行等複雜需求。為適配視覺應用，該系列還整合了MIPI CSI-2介面、圖像訊號處理（ISP）管線和H264硬體編碼器，形成完整的電腦視覺處理鏈路，可直接連接多種攝影機，實現即時圖像分類、目標檢測等功能。硬體設計上，STM32N6配備4.2MB連續嵌入式RAM，並支援高速外部儲存器介面（hexa-SPI、OCTOSPI等），為神經網路模型儲存和運行提供充足記憶體保障；同時具備先進的安全特性，目標通過SESIP 3級和PSA 3級認證，滿足工業和消費場景的安全需求。生態方面，該系列無縫整合ST的邊緣AI套件和TouchGFX圖形軟體包，提供完善的開發工具和參考設計，加速高端視覺AI產品的落地處理程序。瑞薩：雙核異構+安全強化，深耕邊緣AIoT高可靠場景瑞薩的戰略核心是“異構架構+安全第一”，通過“高性能核心+專用NPU+安全引擎”的組合，聚焦智能家居、工業預測性維護等對可靠性和安全性要求極高的邊緣AIoT場景。其核心邏輯是：邊緣裝置的本地化AI處理不僅需要即時性和低功耗，還需應對日益增長的網路安全威脅，因此NPU整合必須與安全架構深度融合。產品層面，瑞薩推出的RA8P1 MCU和RZ/G3E MPU形成了高低搭配：RA8P1作為32位AI MCU，採用1GHz Cortex-M85與250MHz Cortex-M33的雙核架構，搭配Arm Ethos-U55 NPU，AI算力達256 GOPS，可實現語音識別、圖像分類、異常檢測等任務，同時支援Arm TrustZone安全執行環境、硬體信任根和先進加密引擎，確保AI模型和資料的安全；RZ/G3E作為64位MPU，採用四核Cortex-A55+Cortex-M33架構，同樣整合Ethos-U55 NPU，算力提升至512 GOPS，可處理更複雜的邊緣AI任務，如高畫質圖像分析、多感測器資料融合等。為簡化開發，瑞薩推出RUHMI（穩健統一異構模型整合）框架，支援TensorFlow Lite、PyTorch等主流ML格式，可幫助開發人員快速匯入並最佳化預訓練模型，同時通過e² studio整合開發環境提供直觀的偵錯工具和示例應用。此外，瑞薩還在推進後量子密碼學（PQC）等零接觸安全解決方案，以抵禦量子計算時代的網路威脅，進一步強化邊緣AI系統的安全性。新型儲存，應運而生如果說NPU的引入解決了算力隔離問題，那麼儲存架構的變革則是支撐整個AI化轉型的底層基礎設施，當AI+NPU把傳統Flash推到了技術極限之際，新型儲存也順勢成為了巨頭們的共同選擇。首先需要明確的是，一旦MCU引入NPU和AI能力，傳統Flash架構的問題立刻暴露無遺。第一重困境是模型生命周期管理。邊緣AI不是訓練一次就能永久使用，而是需要持續迭代。在汽車應用中，OTA已經成為標配，AI模型可能每月甚至每周更新。但Flash的擦寫壽命只有幾千到數萬次——如果每次更新都擦寫Flash，晶片可能在車輛報廢前就已失效。第二重困境是即時學習與參數快取。邊緣AI不僅要推理，在某些場景還需要線上調整參數或進行增量學習。傳統架構中，模型參數儲存在Flash，推理時載入到SRAM。但SRAM容量有限（通常只有幾MB）且易失，斷電即失。這種架構無法支援“邊緣學習”這一新興需求。第三重困境是啟動路徑和讀取性能。嵌入式AI裝置往往要求“上電即跑”——工業現場的裝置可能頻繁斷電重啟，每次啟動延遲都會影響生產效率。Flash的讀取延遲和預熱時間，在這種場景下成為明顯短板。行業資料顯示，用Flash更新20MB程式碼需要約1分鐘，而新型儲存可以將這個時間縮短到3秒。但真正壓垮Flash的，是製程擴展的物理極限。嵌入式Flash的工藝擴展到40nm以下極其困難——不僅各項參數退化，而且難以整合到高K金屬柵極等先進工藝中。這意味著，當MCU需要向28nm、22nm甚至16nm演進以獲得更高性能和更低功耗時，Flash成為最大的拖累。為什麼MCU需要先進製程？因為NPU的算力需求。幾百GOPS的NPU，在40nm工藝下面積和功耗都難以接受。要實現“小面積、低功耗、高算力”的組合，必須向更先進工藝遷移。但Flash去不了，整個晶片就被鎖死在40nm。這就是為什麼全球MCU巨頭幾乎同時在2024年前後押注新型儲存。不是因為技術成熟，而是因為必要性愈發突出——AI+NPU倒逼儲存升級，儲存升級才能解鎖先進製程，先進製程才能支撐更強的邊緣智能。新型儲存的推動力不僅來自性能需求，也來自可靠性要求。車規級晶片要求工作溫度範圍-40°C到125°C甚至150°C，資料保持時間10年以上，抗輻射、抗電磁干擾。傳統Flash在高溫下性能嚴重衰減，已難以滿足新一代汽車電子的標準。工業應用同樣嚴苛。在預測性維護系統中，感測器資料需要頻繁寫入儲存；在能量收集系統中，裝置可能在極低功耗下間歇運行；在安全關鍵場景中，儲存器不能因為意外斷電而丟失關鍵資料。這些需求，傳統Flash都難以勝任。但就和NPU的應用一樣，巨頭在選擇新型儲存技術上，也出現了分歧。多條路線，百花齊放目前，行業內出現了四條主要的新型儲存技術路線，每一條都有其獨特優勢和適配場景，且都有巨頭佔位押注，呈現出了新型儲存的多元生態。MRAM：高可靠，車規與工業的優選MRAM（磁阻儲存器）跳出了傳統 Flash、EEPROM 依賴 “電荷保持” 的儲存邏輯，轉而利用電子自旋方向記錄資訊，成為新型非易失性儲存中少有的 “非易失性 + 高速 + 高耐久” 黃金組合。其中 STT-MRAM（自旋轉移矩）與 SOT-MRAM（自旋軌道矩）兩大分支，在工藝成熟度、可量產性和嵌入式整合能力上已形成明顯領先，成為產業主流選擇。它的優勢恰好精準匹配車規與工業級 MCU 的核心痛點：讀寫次數理論上接近無限，寫入延遲顯著低於嵌入式 Flash，功耗更低，且能在–40°C 至 150°C 的寬溫區間穩定工作，天生適配汽車電子、工業控制等高可靠場景，早已不是停留在概念階段的技術，而是具備工程落地能力的成熟方案。也正因如此，NXP 與瑞薩兩大巨頭不約而同將 MRAM 作為重點押注方向，率先完成了從研發到量產的跨越。NXP 是業界最早實現先進製程嵌入式 MRAM 量產的汽車 MCU 廠商之一。2022 年便啟動 16nm FinFET 工藝嵌入式 MRAM 的研發與量產準備，2023 年正式推出搭載該技術的 S32K5 系列汽車 MCU。依託台積電 16nm FinFET eMRAM 工藝，它徹底打破了傳統 Flash 在先進製程下難以整合、良率受限、功耗偏高的結構性瓶頸。其核心戰略是 “先進製程 + 高性能嵌入式儲存” 深度繫結，通過 S32K5 系列將 MRAM 的高速寫入、高耐久特性，直接服務於汽車 AI 演算法部署、頻繁 OTA 更新、生命周期內軟體持續演進等新需求，為軟體定義汽車（SDV）築牢底層基礎。瑞薩的推進節奏同樣迅速，且形成了差異化定位。它已完成嵌入式 MRAM 的量產級整合，2024 年實現 22nm 工藝 eMRAM 的研發整合，並在 2025 年 7 月發佈搭載該技術的 RA8P1 MCU，讓 MRAM 成為第二代 RA8 系列的核心技術標籤。瑞薩更強調 “異構架構 + 安全優先”，通過 RA8P1 MCU 將 MRAM 的高耐久、高可靠優勢，落地到智能家居、工業預測性維護、邊緣 AIoT 等對穩定性與即時性要求極高的場景中。RRAM：存算一體，兼顧性能與靈活第二條路線是 RRAM（阻變隨機儲存器），通過電壓控製材料電阻狀態儲存資料，不僅結構簡單、儲存密度高，更特別適配存算一體化架構 —— 這一特性讓它在 AI 時代具備天然優勢。相較於 NAND Flash，RRAM 讀寫速度更快、壽命更長，還能實現多位儲存提升空間利用率，且支援按位寫入無需擦除，延遲可降低 1000 倍，完全能滿足未來智能駕駛的高即時資料吞吐量需求。英飛凌是 RRAM 路線的核心推動者。2022 年便與台積電宣佈合作，明確將台積電 RRAM 技術引入下一代 AURIX MCU，採用 28nm 製程重點突破汽車場景儲存瓶頸；後續合作進一步深化，台積電為其提供 22nm 製程 RRAM 技術，支撐更高性能 MCU 產品研發。在產品落地層面，英飛凌將 RRAM 全面融入 AI MCU 產品線，核心覆蓋兩大系列：面向汽車場景的 AURIX MCU，通過 28nm 製程 RRAM 整合，滿足高頻 OTA 更新、高溫環境可靠運行的需求；面向物聯網與工業場景的 PSoC Edge 系列，標配自研超低功耗 NNLite 神經網路加速器與台積電 RRAM 儲存器，形成 “CPU+NPU / 加速器 + RRAM” 的協同架構。英飛凌強調，RRAM 為 AI MCU 帶來三大核心價值：低功耗特性適配物聯網裝置長續航需求，支撐 “始終線上” 的感測與響應；可擴展的片上非易失性儲存能力，搭配高速安全的外部儲存器介面，滿足邊緣 AI 模型儲存與頻繁參數更新需求；與 NPU / 加速器的協同最佳化，保障語音、圖像等複雜 AI 任務高效執行。值得關注的是，TI 也已入局 RRAM 賽道。據報導，Weebit Nano 已將其 ReRAM 技術授權給 TI，將整合到 TI 先進嵌入式處理器工藝節點中，協議涵蓋智慧財產權許可、技術轉讓及工藝設計認證。這款 ReRAM 具備低功耗、高性價比優勢，高溫保持性能優異，已通過 AEC-Q100 150°C 運行認證。TI 嵌入式處理高級副總裁 Amichai Ron 表示，此次合作將讓客戶獲得性能、規模和可靠性兼具的業界領先非易失性儲存技術，進一步鞏固 TI 在嵌入式處理器領域的領先地位。PCM：大容量，突破儲存密度瓶頸PCM（相變儲存器）的核心原理的是利用相變材料在非晶態與結晶態之間的可逆相變，通過不同電阻值實現非易失性儲存。這種獨特機制讓它在密度、讀寫速度與整合能力上形成差異化優勢：相較於傳統嵌入式 Flash 和其他新型儲存，PCM 能實現更高儲存密度和更大片上容量，同時具備較低功耗，特別適合工業控制、汽車嵌入式系統、邊緣 AI 裝置等需要大容量、高效儲存的場景，為突破傳統儲存制約、提升 MCU 系統級性能開闢了新路徑。ST 是 PCM 技術的主要倡導者，通過與三星的長期合作持續推動其落地。從早期在 28nm FD-SOI 工藝上試水 ePCM（嵌入式相變儲存），到聯合開發 18nm FD-SOI 工藝並整合 ePCM，兩家公司不僅實現了儲存密度的大幅提升，更打破了 MCU 工藝節點長期受限於傳統嵌入式 Flash 的困境，為車規及嵌入式 AI 提供了全新技術基礎。PCM 的核心競爭力在於超高儲存密度：同等工藝節點下，ePCM 能提供更大非易失性儲存容量，讓單晶片可整合更多應用資料和程式碼，尤其適配需要大容量、高效存取的大規模嵌入式系統。此外，借助 FD-SOI 平台的電學優勢，ePCM 的性能 - 功耗比相較於傳統 Flash 也有明顯提升，為整合 AI 推理引擎、圖形加速器等高計算負載模組提供了更充足的片上資源。在產品實踐上，ST 與三星合作開發的 18nm FD-SOI + ePCM 技術已進入樣品及預量產階段。基於這一工藝的下一代 STM32 系列微控製器，預計 2024 年下半年出樣、2025 年下半年量產，成為行業首批突破 20nm 工藝壁壘、整合 ePCM 的高性能 MCU。新架構不僅儲存容量優於傳統方案，還能在更低功耗下支撐更複雜的嵌入式軟體堆疊和 AI 工作負載，讓 MCU 在泛汽車、工業自動化和高端邊緣計算領域具備更強系統級競爭力。FRAM：低功耗，適配高頻寫入場景FRAM（鐵電儲存器）利用鐵電材料的極化狀態儲存資訊，完美融合了 RAM 的高速寫入與 Flash 的非易失性優勢。與傳統 EEPROM 和 Flash 不同，FRAM 無需依賴電荷泵高壓擦寫，因此擁有極低寫入延遲、幾乎無限的擦寫壽命和超低能耗，且無需複雜擦除操作，可直接按位執行寫入更新。這些特性讓它在需要頻繁寫操作、嚴苛能耗預算和高度系統確定性的場景中脫穎而出 —— 寫入速度接近 SRAM 等級，耐寫次數可達數兆次，特別適合資料高速記錄、即時狀態保存等應用。TI 是 FRAM 技術的早期探索者和長期深耕者，早在 2000 年代初便啟動相關研發，逐步將其整合到產品線中，完成了從技術驗證到規模化應用的完整跨越。TI FRAM 技術的核心載體是 MSP430FR 系列微控製器，形成了獨特的 “超低功耗 + 高可靠 FRAM 儲存” 平台。產品覆蓋從幾 KB 到數百 KB 的 FRAM 容量，搭配豐富的片上模擬 / 數字外設、DMA、低功耗模式等特性，能靈活滿足不同工業、通訊與控制系統的儲存與控制需求。這些 FRAM MCU 不僅具備傳統嵌入式控制功能，更通過 FRAM 特性簡化了韌體設計、提升了效率：掉電或低功耗模式下仍能保持資料完整性，支援直接按字寫入，可同時用作程序儲存、常數資料和執行階段資料，在高速寫日誌、狀態保存、重複寫入小資料單元等場景中價值尤為突出。TI 還圍繞 FRAM 建構了完整的軟體工具生態，例如針對 MSP430FRxx 產品的 FRAM 實用程序包，能幫助開發者充分利用 FRAM 的低功耗與高寫入特性，最佳化應用設計、實現掉電資料保存及快速喚醒等功能，進一步降低開發門檻，加速 FRAM MCU 的工程落地。寫在最後當我們回望近幾年的MCU市場，會發現一個事實：當NPU成為標配、新型儲存成為架構級選擇時，MCU實際上已經不再只是微控製器，而是在向“微型、確定性、低功耗的系統級計算平台”演化。這會帶來三個深遠影響。首先，Flash的統治地位開始鬆動。過去40年，Flash憑藉成熟的工藝和成本優勢牢牢佔據嵌入式儲存市場。但AI化浪潮暴露了其致命缺陷：有限的擦寫壽命、緩慢的寫入速度、難以向先進製程擴展。MRAM、RRAM、PCM、FRAM雖然各有權衡，但在特定場景展現出壓倒性優勢。未來五年，我們將看到嵌入式儲存市場的多元化競爭格局。其次，嵌入式AI的護城河轉向工藝與架構協同。早期的邊緣AI方案往往是“通用MCU+外掛AI晶片”，這種分離式架構在功耗、延遲、成本上都不理想。整合NPU和新型儲存的MCU，其價值不在於單個模組的性能，而在於系統級最佳化：資料不需要在晶片間搬運、功耗可以全域管理、安全邊界更容易劃定。這種深度整合能力，成為下一階段競爭的核心。第三，國產MCU和儲存廠商將迎來結構性機會窗口。傳統MCU市場被國際巨頭壟斷，技術壁壘高、生態封閉。但AI化轉型帶來架構重構，新型儲存技術尚未完全定型，這為後來者提供了彎道超車的可能。我們還需要認識到，這場變革才剛剛開始。當前的MCU+NPU方案主要聚焦於推理，模型訓練仍在雲端。但聯邦學習、增量學習等技術正在發展，未來的邊緣裝置可能具備一定的線上學習能力。新型儲存的非易失性和快速讀寫特性，將成為支撐這種演進的關鍵。更值得關注的是應用場景的拓展。工業物聯網領域，帶NPU的MCU可以實現裝置級的預測性維護，大幅降低停機成本。智能家居中，本地AI推理保護了使用者隱私，也擺脫了對雲服務的依賴。醫療可穿戴裝置可以在毫瓦功耗下完成心電訊號分析。自動駕駛輔助系統能夠在嚴苛環境下可靠運行。每一個場景背後，都是NPU與新型儲存協同工作的結果。歷史總是在重複。40年前，MCU替代分立器件，開啟了嵌入式系統的第一次革命。今天，AI+NPU+新型儲存的組合，正在開啟第二次革命。不同的是，這次變革的速度更快、影響更深遠、留給落後者的時間更少。 (半導體行業觀察)

近日，北交所上市公司*ST廣道公告稱，該公司於2025年9月19日收到北交所送達的《關於擬終止公司股票上市的事先告知書》（上市公司部函[2025]第001號）。據悉，如果*ST廣道退市，將成為北交所首例重大違法強制退市的案例。此外，相關保薦機構也已啟動先行賠付工作。擬終止股票上市交易《告知書》稱：“2025年9月12日，你公司公告稱，收到中國證監會《行政處罰決定書》。《行政處罰決定書》認定，你公司披露的2018年至2023年年度報告、2024年半年度報告及《2024年度向特定對象發行股票募集說明書(草案)》存在虛假記載。前述事實觸及《北京證券交易所股票上市規則》第10.5.1條第(七)項規定的重大違法強制退市情形，北交所擬決定終止你公司股票上市交易。”《告知書》還表示，根據北交所相關規定，公司有權提出聽證、陳述和申辯。如公司申請聽證，應當在收到本告知書後的5個交易日內，以書面形式向本所提交聽證申請材料，逾期未提出書面聽證申請的，視為放棄聽證權利。據悉，此前，*ST廣道已經連續發佈了十三次可能退市的風險提示。風險提示稱，公司存在重大違法強制退市風險。公司於2024 年12月4日被證監會立案調查，於2025年6月13日收到證監會《行政處罰事先告知書》。根據《告知書》認定情況，公司可能被實施重大違法強制退市。根據北交所規定，在被實施退市風險警示期間，收到相關行政處罰決定書，可能觸及重大違法類強制退市情形的，公司將及時披露有關內容，並於公告披露日的次一交易日起長期停牌，直至北交所將依法依規作出是否終止公司股票上市的決定。若北交所最終作出強制終止上市決定後，公司股票將按照規則申請復牌並進入退市整理期。退市整理期的交易期限為15個交易日，退市整理期首日股價無漲跌幅限制。《行政處罰決定書》認定，*ST廣道的行為違反2005年修訂、2014年修正的《中華人民共和國證券法》第六十三條、《證券法》第七十八條第二款的規定，構成2005年證券法第一百九十三條第一款及證券法第一百九十七條第二款所述資訊披露違法行為。根據當事人違法行為的事實、性質、情節與社會危害程度，依據證券法第一百九十七條第二款的規定，證監局決定對*ST廣道責令改正，給予警告，並處以1000萬元罰款；對其他相關的董監高等人員也給予了相應的處罰。保薦機構先行賠付該案例還是北交所首例保薦機構先行賠付的案例。今年6月13日，*ST廣道公告稱，收到了保薦機構發來的《聲明》。《聲明》稱“*ST廣道於2024年12月4日晚因涉嫌資訊披露違法違規收到證監會出具的《立案告知書》。截至目前，該調查程序仍在持續進行中。2025年4月29日，保薦機構向*ST廣道傳送《聲明》並公告，明確擬採取包括先行賠付在內的一切可能措施，最大限度維護投資者權益、維護證券市場穩定運行。2025年5月13日，保薦機構再次向*ST廣道傳送《聲明》並公告，擬牽頭聯合相關方出資設立先行賠付專項基金，用於先行賠付適格投資者因*ST廣道資訊披露違法違規而遭受的投資損失。公告表示，目前，保薦機構正牽頭開展先行賠付方案的研究與制定工作，積極與相關各方保持密切溝通。後續，保薦機構將繼續秉持對投資者及市場高度負責的態度，嚴格按照法律法規推進先行賠付專項基金設立的籌備工作。 (券商中國)

引言2025年，僅半年時間內，ST、恩智浦、瑞薩等頭部MCU廠商幾乎同時發佈搭載新型嵌入式儲存（如PCM、MRAM）的汽車MCU產品，打破了MCU長期以來以嵌入式Flash為主的技術格局。雖然談“標配”仍為時尚早，但可以肯定的是：新型儲存已經從“嘗試”躍升為“戰略佈局”，並開始對MCU生態產生深遠影響。過去，MCU是一種“小而美”的器件，用於基本控制邏輯。但近幾年，它正在向“小而強”進化：工藝從傳統40nm邁向22nm、16nm甚至更先進節點；整合AI加速、安全單元、無線模組……成為“汽車大腦”“邊緣算力中樞”的候選主力。這背後，一個被長期忽視但至關重要的技術正在“補短板”：嵌入式儲存技術（eNVM）的革命。在“軟體定義汽車”的趨勢下，OEM與Tier1廠商面臨前所未有的挑戰：ECU複雜度激增，功能高度集中；OTA更新、AI推理、模型載入，軟體“越堆越厚”；儲存空間與讀寫性能已成為整車架構瓶頸。而傳統Flash在密度、速度、功耗和耐用性上早已力不從心。在這樣的背景下，新型儲存器（PCM、MRAM）成了MCU進化的關鍵武器。ST選擇相變儲存器（PCM）相變儲存器（PCM）是一種新興的非易失性儲存技術，其基礎原理是通過材料的相變（從非晶態到結晶態）來儲存資訊。PCM的基本機制是由史丹佛大學的Robert Ovshinsky於20世紀60年代發明的。意法半導體擁有這項原始開發成果的專利授權，ST是第一個將PCM真正落地在汽車級MCU中的廠商。ST在官網中也對PCM的工作原理進行了介紹，PCM採用鍺銻碲 (GST) 合金製造而成，其在製造過程中利用了材料可在非晶態和結晶態之間進行快速熱控制變化的物理特性。上述狀態分別與邏輯0和邏輯1相對應，可通過非晶態（邏輯0）的高電阻和結晶態（邏輯1）的低電阻進行電氣區分。PCM支援在低電壓下進行讀寫操作，且與Flash和其他嵌入式儲存器技術相比，具有多項實質性的優勢。PCM的工作原理（圖源：ST）經過多年的研發，2025年4月，ST推出帶有xMemory的Stellar，這是嵌入其Stellar系列汽車微控製器的新一代可擴充記憶體，Stellar xMemory 的核心就是意法半導體專有的相變儲存器 (PCM) 技術。意法半導體稱其擁有業界最小的合格儲存位單元，可徹底改變開發軟體定義汽車 (SDV) 和不斷發展的電氣化平台的挑戰性過程。據悉，ST的Stellar P和G系列汽車MCU都將搭載采 xMemory的最新一代PCM技術。Stellar P和Stellar G 系列適用於集中式區域控製器、域控製器和車身應用的 Stellar Integration MCU。最先推出的會是Stellar P6 MCU，該系列MCU旨在滿足電動汽車 (EV) 全新動力傳動系統趨勢和架構的需求，並將於2025 年下半年投產。採用xMemory技術的Stellar無需管理多個具有不同記憶體選項的裝置，也無需承擔相關的開發和認證成本，只需一個具有可擴充記憶體的創新裝置，即可為客戶提供高效且經濟的解決方案。這種從一開始就簡化的方法使汽車製造商能夠面向未來設計，並在開發周期的後期留出更多創新空間，從而降低開發成本並通過更精簡的供應鏈加快產品上市時間。採用FD-SOI技術的嵌入式PCM位單元的橫截面，其中顯示了可在結晶態和非晶態之間快速翻轉儲存單元的加熱裝置。ST指出，在SDV生命周期初期選擇合適的 MCU，可確保為未來的軟體開發提供充足的片上記憶體。如今，選擇過高的記憶體規格會增加成本，而選擇過低的記憶體規格則可能需要後續尋找並重新認證具有額外記憶體的其他 MCU，從而增加複雜性、成本和延遲。採用 xMemory 的 Stellar MCU 價格極具競爭力，可帶來更多成本節省，簡化 OEM 供應鏈，並通過延長產品生命周期和最大限度地提高項目間的復用率來縮短認證時間，從而加快產品上市速度。恩智浦和瑞薩，擁抱MRAM磁阻式RAM（MRAM）則是另一類非易失性儲存“黑科技”，MRAM 利用磁性材料的物理特性實現資料儲存，具備超高的寫入速度、低功耗以及極強的耐用性。MRAM已經被恩智浦、瑞薩等公司廣泛採用。恩智浦是較早推出MRAM MCU的汽車MCU廠商，今年3月份，恩智浦半導體宣佈推出其 S32K5系列汽車MCU，這是業界首款基於16nm FinFET 工藝、內建MRAM的 MCU，標誌著其發展的重要里程碑。S32K5 系列旨在擴展恩智浦 CoreRide 平台，提供預整合的區域和電氣化系統解決方案，支援可擴展軟體定義汽車 (SDV) 架構的演進。汽車製造商越來越多地採用分區架構，每種架構都有其獨特的方法來整合和分配電子控制單元 (ECU) 的功能。這些解決方案的核心是先進的 MCU 架構，它將即時性能與低延遲、確定性通訊和創新的隔離功能融為一體。高性能MRAM的加入顯著加快了 ECU 程式設計速度，無論是在出廠設定下還是在無線 (OTA) 更新過程中。MRAM 的寫入速度比傳統嵌入式快閃記憶體快 15 倍以上，增強了汽車製造商在車輛整個生命周期內部署新軟體功能的靈活性。2025年7月，瑞薩也發佈了內建MRAM的MCU，不過與恩智浦相比，工藝為22nm。該裝置配備了1MB MRAM和2MB SRAM。據稱，採用MRAM是第二代RA8系列的一大特色。除了高耐用性和資料保存能力外，MRAM還具有高速讀寫、無需擦除和低功耗等優勢。瑞薩電子在國際半導體積體電路會議（ISSCC 2024）上發佈了面向高性能微控製器的MRAM高速讀寫技術，RA8P1就採用了該技術。對於需要更大記憶體容量的應用，該裝置配備了支援XIP/DOTF的八路SPI介面和32位外部匯流排介面。此外，還提供整合4MB或8MB外部快閃記憶體的系統級封裝(SiP)產品。外圍功能方面，它支援平行攝影機輸入、MIPI-CSI2、序列音訊輸入以及通過PDM實現的多模態AI語音輸入。此外，它還配備了16位AD轉換器、圖形HMI功能以及各種序列介面。台積電：MRAM與RRAM雙線並進作為全球晶圓代工龍頭，台積電對新型儲存技術押注了兩大技術：MRAM和RRAM。在 2025 技術研討會上，台積電執行副總經理暨共同營運長米玉傑博士指出：“eFlash 技術已在 28nm 工藝節點遭遇擴展瓶頸，新一代 NVM（非易失性儲存器）必須在更先進製程中替代其角色。”由此，台積電明確提出將 RRAM 和 MRAM 兩種嵌入式儲存技術分別匯入 22nm、16nm、12nm，並進一步推進至 6nm 和 5nm 節點。台積電是目前為數不多已經實現RRAM大規模量產的廠商。目前，台積電已在 40nm、28nm 和 22nm 工藝上實現 RRAM 量產，並通過了汽車級認證。12nm RRAM 亦已進入客戶流片階段，6nm版本正在推進中。英飛凌新一代 AURIX MCU就採用了台積電的 eRRAM 技術，成為其汽車平台的重要嵌入式儲存解決方案。RRAM的優勢在於：工藝複雜度低，可直接部署於後端金屬層（BEOL）；完全相容邏輯製程，適配多類 MCU 架構；尤其適合面向功耗敏感、成本控制嚴苛的消費與車規應用。相較之下，MRAM 雖工藝更複雜，但具備優越的性能特性：寫入速度是 Flash 的十數倍；非易失性儲存+極強耐久性；適用於需要高速寫入、頻繁 OTA 更新、AI 推理等複雜任務的場景。對於追求算力密度、資料吞吐與即時性能的車載計算平台（如 ADAS、AI SoC 等），MRAM 可能是 eFlash 後最理想的儲存補位者。台積電目前已經在 22nm 工藝節點實現 MRAM 量產，16nm MRAM 進入客戶準備階段，12nm 正在研發中。更激進的路線圖還包括未來拓展至5nm節點。2025年5月，台積電宣佈將在德國慕尼黑設立其首個歐洲設計中心（EUDC），重點圍繞汽車應用的 MRAM 儲存技術進行研發與客戶支援。這一中心將成為台積電全球第十個設計中心，並計畫於 2025年第三季度正式啟用，服務領域涵蓋汽車、工業、AI、電信及物聯網等。這也意味著，台積電不僅在工藝平台上推動新型儲存普及，更在全球佈局中深入整車開發生態圈。除了橫向推進工藝節點，台積電還在以下方向謀求技術突破：3D RRAM MCU：推動嵌入式儲存堆疊封裝，釋放更多片上空間；SOT MRAM（自旋軌道轉矩）：相比傳統STT-MRAM功耗更低、寫入更快，有望進入大規模量產；矽光子平台：結合光互連與儲存介面，面向資料中心和邊緣算力佈局。這些技術的落地將進一步鞏固台積電在特色工藝與嵌入式儲存生態中的領先地位。儲存計算一體化趨勢不論是PCM、MRAM還是RRAM，它們不僅僅是儲存器替代品，更是MCU架構變革的催化劑。新型儲存技術如PCM、MRAM和RRAM代表了一種更深層次的“儲存計算一體化”趨勢，這不僅僅是單純的儲存介質替代問題，而是儲存架構與計算架構之間的協同演化。在MCU領域，儲存和計算的邊界正在變得越來越模糊。在傳統的MCU中，儲存和計算是分開的模組，計算通過中央處理器（CPU）或專用加速器進行，而儲存則通過外部或內部的快閃記憶體、SRAM等器件進行資料儲存和管理。但隨著計算任務的複雜化，尤其是機器學習、AI 推理和邊緣計算的應用需求日益增長，儲存和計算的分離顯得日益不適應。MRAM和PCM等新型儲存器的加入，為“儲存計算一體化”提供了新的契機。特別是 PCM 通過其相變特性，不僅具備非易失性儲存功能，還能在某些應用中發揮“近計算”的作用，減少資料傳輸的瓶頸，進一步加速資料處理過程。MRAM的高速讀寫特性也使得它能與計算模組協同工作，在 AI 邊緣推理、即時資料處理等場景下提高處理效率。在AI邊緣化、OTA碎片化、軟體敏捷化的今天，MCU的“智能化”越發依賴於記憶體能力。預計未來的 MCU 架構將越來越多地將儲存和計算結合，打造更高效、靈活且具有智能化能力的系統。結語過去十年，我們習慣將MCU視作“控制”系統的代表，其內嵌儲存只是配套元件；但在AI、SDV、邊緣智能紛至沓來的時代，儲存正在從幕後走向台前，成為計算架構不可分割的核心。這不僅是一次材料的更替、工藝的演進，更是MCU從“可用”走向“可擴展”、“可演進”的關鍵一步。在這場由嵌入式儲存引發的微控製器升級潮中，我們看到的不僅是頭部廠商的路線分化，也預見到整個產業鏈條——從代工到工具鏈、從汽車到工業應用——正在加速適配與演進。這場轉型，才剛剛開始。但我們也應能想到，這些新型儲存器的製造對材料、工藝和設計協同提出了更高要求，目前仍主要掌握在少數國際頭部廠商和代工巨頭手中。對於國產MCU廠商而言，這既是挑戰，更是必須迎頭趕上的關鍵戰役。 (半導體行業觀察)

前首富黃光裕的命運，沒有逆轉。 進入2025年，*ST 美訊（國美通訊，600898）連續跌停，截至最新收盤，*ST 美訊報收元0.9元/股，相較於2024年11月高點累計跌幅達58%，如果從最高位算起，其跌幅已超過了96%，目前總市值僅剩2.57億元，已連續14個交易日低於5億元，退市的命運已經註定。 這一事件不僅宣告了其退市已成定局，也折射出黃光裕零售版圖的全面潰敗。回顧國美零售的發展，自2017年以來，連續遭遇虧損，黃光裕回歸後的3年半里淨虧損合計超388億元。 在零售業務全面潰敗的背景下，黃光裕突然宣佈進軍汽車領域，打造 “賣車新勢力”。這一決策在汽車行業競爭激烈的當下，顯得尤為引人注目。國美能否在汽車領域闖出一片天地，又能否借此扭轉零售困局，成為市場關注的焦點。