近日，北交所上市公司*ST廣道公告稱，該公司於2025年9月19日收到北交所送達的《關於擬終止公司股票上市的事先告知書》（上市公司部函[2025]第001號）。據悉，如果*ST廣道退市，將成為北交所首例重大違法強制退市的案例。此外，相關保薦機構也已啟動先行賠付工作。擬終止股票上市交易《告知書》稱：“2025年9月12日，你公司公告稱，收到中國證監會《行政處罰決定書》。《行政處罰決定書》認定，你公司披露的2018年至2023年年度報告、2024年半年度報告及《2024年度向特定對象發行股票募集說明書(草案)》存在虛假記載。前述事實觸及《北京證券交易所股票上市規則》第10.5.1條第(七)項規定的重大違法強制退市情形，北交所擬決定終止你公司股票上市交易。”《告知書》還表示，根據北交所相關規定，公司有權提出聽證、陳述和申辯。如公司申請聽證，應當在收到本告知書後的5個交易日內，以書面形式向本所提交聽證申請材料，逾期未提出書面聽證申請的，視為放棄聽證權利。據悉，此前，*ST廣道已經連續發佈了十三次可能退市的風險提示。風險提示稱，公司存在重大違法強制退市風險。公司於2024 年12月4日被證監會立案調查，於2025年6月13日收到證監會《行政處罰事先告知書》。根據《告知書》認定情況，公司可能被實施重大違法強制退市。根據北交所規定，在被實施退市風險警示期間，收到相關行政處罰決定書，可能觸及重大違法類強制退市情形的，公司將及時披露有關內容，並於公告披露日的次一交易日起長期停牌，直至北交所將依法依規作出是否終止公司股票上市的決定。若北交所最終作出強制終止上市決定後，公司股票將按照規則申請復牌並進入退市整理期。退市整理期的交易期限為15個交易日，退市整理期首日股價無漲跌幅限制。《行政處罰決定書》認定，*ST廣道的行為違反2005年修訂、2014年修正的《中華人民共和國證券法》第六十三條、《證券法》第七十八條第二款的規定，構成2005年證券法第一百九十三條第一款及證券法第一百九十七條第二款所述資訊披露違法行為。根據當事人違法行為的事實、性質、情節與社會危害程度，依據證券法第一百九十七條第二款的規定，證監局決定對*ST廣道責令改正，給予警告，並處以1000萬元罰款；對其他相關的董監高等人員也給予了相應的處罰。保薦機構先行賠付該案例還是北交所首例保薦機構先行賠付的案例。今年6月13日，*ST廣道公告稱，收到了保薦機構發來的《聲明》。《聲明》稱“*ST廣道於2024年12月4日晚因涉嫌資訊披露違法違規收到證監會出具的《立案告知書》。截至目前，該調查程序仍在持續進行中。2025年4月29日，保薦機構向*ST廣道傳送《聲明》並公告，明確擬採取包括先行賠付在內的一切可能措施，最大限度維護投資者權益、維護證券市場穩定運行。2025年5月13日，保薦機構再次向*ST廣道傳送《聲明》並公告，擬牽頭聯合相關方出資設立先行賠付專項基金，用於先行賠付適格投資者因*ST廣道資訊披露違法違規而遭受的投資損失。公告表示，目前，保薦機構正牽頭開展先行賠付方案的研究與制定工作，積極與相關各方保持密切溝通。後續，保薦機構將繼續秉持對投資者及市場高度負責的態度，嚴格按照法律法規推進先行賠付專項基金設立的籌備工作。 (券商中國)

引言2025年，僅半年時間內，ST、恩智浦、瑞薩等頭部MCU廠商幾乎同時發佈搭載新型嵌入式儲存（如PCM、MRAM）的汽車MCU產品，打破了MCU長期以來以嵌入式Flash為主的技術格局。雖然談“標配”仍為時尚早，但可以肯定的是：新型儲存已經從“嘗試”躍升為“戰略佈局”，並開始對MCU生態產生深遠影響。過去，MCU是一種“小而美”的器件，用於基本控制邏輯。但近幾年，它正在向“小而強”進化：工藝從傳統40nm邁向22nm、16nm甚至更先進節點；整合AI加速、安全單元、無線模組……成為“汽車大腦”“邊緣算力中樞”的候選主力。這背後，一個被長期忽視但至關重要的技術正在“補短板”：嵌入式儲存技術（eNVM）的革命。在“軟體定義汽車”的趨勢下，OEM與Tier1廠商面臨前所未有的挑戰：ECU複雜度激增，功能高度集中；OTA更新、AI推理、模型載入，軟體“越堆越厚”；儲存空間與讀寫性能已成為整車架構瓶頸。而傳統Flash在密度、速度、功耗和耐用性上早已力不從心。在這樣的背景下，新型儲存器（PCM、MRAM）成了MCU進化的關鍵武器。ST選擇相變儲存器（PCM）相變儲存器（PCM）是一種新興的非易失性儲存技術，其基礎原理是通過材料的相變（從非晶態到結晶態）來儲存資訊。PCM的基本機制是由史丹佛大學的Robert Ovshinsky於20世紀60年代發明的。意法半導體擁有這項原始開發成果的專利授權，ST是第一個將PCM真正落地在汽車級MCU中的廠商。ST在官網中也對PCM的工作原理進行了介紹，PCM採用鍺銻碲 (GST) 合金製造而成，其在製造過程中利用了材料可在非晶態和結晶態之間進行快速熱控制變化的物理特性。上述狀態分別與邏輯0和邏輯1相對應，可通過非晶態（邏輯0）的高電阻和結晶態（邏輯1）的低電阻進行電氣區分。PCM支援在低電壓下進行讀寫操作，且與Flash和其他嵌入式儲存器技術相比，具有多項實質性的優勢。PCM的工作原理（圖源：ST）經過多年的研發，2025年4月，ST推出帶有xMemory的Stellar，這是嵌入其Stellar系列汽車微控製器的新一代可擴充記憶體，Stellar xMemory 的核心就是意法半導體專有的相變儲存器 (PCM) 技術。意法半導體稱其擁有業界最小的合格儲存位單元，可徹底改變開發軟體定義汽車 (SDV) 和不斷發展的電氣化平台的挑戰性過程。據悉，ST的Stellar P和G系列汽車MCU都將搭載采 xMemory的最新一代PCM技術。Stellar P和Stellar G 系列適用於集中式區域控製器、域控製器和車身應用的 Stellar Integration MCU。最先推出的會是Stellar P6 MCU，該系列MCU旨在滿足電動汽車 (EV) 全新動力傳動系統趨勢和架構的需求，並將於2025 年下半年投產。採用xMemory技術的Stellar無需管理多個具有不同記憶體選項的裝置，也無需承擔相關的開發和認證成本，只需一個具有可擴充記憶體的創新裝置，即可為客戶提供高效且經濟的解決方案。這種從一開始就簡化的方法使汽車製造商能夠面向未來設計，並在開發周期的後期留出更多創新空間，從而降低開發成本並通過更精簡的供應鏈加快產品上市時間。採用FD-SOI技術的嵌入式PCM位單元的橫截面，其中顯示了可在結晶態和非晶態之間快速翻轉儲存單元的加熱裝置。ST指出，在SDV生命周期初期選擇合適的 MCU，可確保為未來的軟體開發提供充足的片上記憶體。如今，選擇過高的記憶體規格會增加成本，而選擇過低的記憶體規格則可能需要後續尋找並重新認證具有額外記憶體的其他 MCU，從而增加複雜性、成本和延遲。採用 xMemory 的 Stellar MCU 價格極具競爭力，可帶來更多成本節省，簡化 OEM 供應鏈，並通過延長產品生命周期和最大限度地提高項目間的復用率來縮短認證時間，從而加快產品上市速度。恩智浦和瑞薩，擁抱MRAM磁阻式RAM（MRAM）則是另一類非易失性儲存“黑科技”，MRAM 利用磁性材料的物理特性實現資料儲存，具備超高的寫入速度、低功耗以及極強的耐用性。MRAM已經被恩智浦、瑞薩等公司廣泛採用。恩智浦是較早推出MRAM MCU的汽車MCU廠商，今年3月份，恩智浦半導體宣佈推出其 S32K5系列汽車MCU，這是業界首款基於16nm FinFET 工藝、內建MRAM的 MCU，標誌著其發展的重要里程碑。S32K5 系列旨在擴展恩智浦 CoreRide 平台，提供預整合的區域和電氣化系統解決方案，支援可擴展軟體定義汽車 (SDV) 架構的演進。汽車製造商越來越多地採用分區架構，每種架構都有其獨特的方法來整合和分配電子控制單元 (ECU) 的功能。這些解決方案的核心是先進的 MCU 架構，它將即時性能與低延遲、確定性通訊和創新的隔離功能融為一體。高性能MRAM的加入顯著加快了 ECU 程式設計速度，無論是在出廠設定下還是在無線 (OTA) 更新過程中。MRAM 的寫入速度比傳統嵌入式快閃記憶體快 15 倍以上，增強了汽車製造商在車輛整個生命周期內部署新軟體功能的靈活性。2025年7月，瑞薩也發佈了內建MRAM的MCU，不過與恩智浦相比，工藝為22nm。該裝置配備了1MB MRAM和2MB SRAM。據稱，採用MRAM是第二代RA8系列的一大特色。除了高耐用性和資料保存能力外，MRAM還具有高速讀寫、無需擦除和低功耗等優勢。瑞薩電子在國際半導體積體電路會議（ISSCC 2024）上發佈了面向高性能微控製器的MRAM高速讀寫技術，RA8P1就採用了該技術。對於需要更大記憶體容量的應用，該裝置配備了支援XIP/DOTF的八路SPI介面和32位外部匯流排介面。此外，還提供整合4MB或8MB外部快閃記憶體的系統級封裝(SiP)產品。外圍功能方面，它支援平行攝影機輸入、MIPI-CSI2、序列音訊輸入以及通過PDM實現的多模態AI語音輸入。此外，它還配備了16位AD轉換器、圖形HMI功能以及各種序列介面。台積電：MRAM與RRAM雙線並進作為全球晶圓代工龍頭，台積電對新型儲存技術押注了兩大技術：MRAM和RRAM。在 2025 技術研討會上，台積電執行副總經理暨共同營運長米玉傑博士指出：“eFlash 技術已在 28nm 工藝節點遭遇擴展瓶頸，新一代 NVM（非易失性儲存器）必須在更先進製程中替代其角色。”由此，台積電明確提出將 RRAM 和 MRAM 兩種嵌入式儲存技術分別匯入 22nm、16nm、12nm，並進一步推進至 6nm 和 5nm 節點。台積電是目前為數不多已經實現RRAM大規模量產的廠商。目前，台積電已在 40nm、28nm 和 22nm 工藝上實現 RRAM 量產，並通過了汽車級認證。12nm RRAM 亦已進入客戶流片階段，6nm版本正在推進中。英飛凌新一代 AURIX MCU就採用了台積電的 eRRAM 技術，成為其汽車平台的重要嵌入式儲存解決方案。RRAM的優勢在於：工藝複雜度低，可直接部署於後端金屬層（BEOL）；完全相容邏輯製程，適配多類 MCU 架構；尤其適合面向功耗敏感、成本控制嚴苛的消費與車規應用。相較之下，MRAM 雖工藝更複雜，但具備優越的性能特性：寫入速度是 Flash 的十數倍；非易失性儲存+極強耐久性；適用於需要高速寫入、頻繁 OTA 更新、AI 推理等複雜任務的場景。對於追求算力密度、資料吞吐與即時性能的車載計算平台（如 ADAS、AI SoC 等），MRAM 可能是 eFlash 後最理想的儲存補位者。台積電目前已經在 22nm 工藝節點實現 MRAM 量產，16nm MRAM 進入客戶準備階段，12nm 正在研發中。更激進的路線圖還包括未來拓展至5nm節點。2025年5月，台積電宣佈將在德國慕尼黑設立其首個歐洲設計中心（EUDC），重點圍繞汽車應用的 MRAM 儲存技術進行研發與客戶支援。這一中心將成為台積電全球第十個設計中心，並計畫於 2025年第三季度正式啟用，服務領域涵蓋汽車、工業、AI、電信及物聯網等。這也意味著，台積電不僅在工藝平台上推動新型儲存普及，更在全球佈局中深入整車開發生態圈。除了橫向推進工藝節點，台積電還在以下方向謀求技術突破：3D RRAM MCU：推動嵌入式儲存堆疊封裝，釋放更多片上空間；SOT MRAM（自旋軌道轉矩）：相比傳統STT-MRAM功耗更低、寫入更快，有望進入大規模量產；矽光子平台：結合光互連與儲存介面，面向資料中心和邊緣算力佈局。這些技術的落地將進一步鞏固台積電在特色工藝與嵌入式儲存生態中的領先地位。儲存計算一體化趨勢不論是PCM、MRAM還是RRAM，它們不僅僅是儲存器替代品，更是MCU架構變革的催化劑。新型儲存技術如PCM、MRAM和RRAM代表了一種更深層次的“儲存計算一體化”趨勢，這不僅僅是單純的儲存介質替代問題，而是儲存架構與計算架構之間的協同演化。在MCU領域，儲存和計算的邊界正在變得越來越模糊。在傳統的MCU中，儲存和計算是分開的模組，計算通過中央處理器（CPU）或專用加速器進行，而儲存則通過外部或內部的快閃記憶體、SRAM等器件進行資料儲存和管理。但隨著計算任務的複雜化，尤其是機器學習、AI 推理和邊緣計算的應用需求日益增長，儲存和計算的分離顯得日益不適應。MRAM和PCM等新型儲存器的加入，為“儲存計算一體化”提供了新的契機。特別是 PCM 通過其相變特性，不僅具備非易失性儲存功能，還能在某些應用中發揮“近計算”的作用，減少資料傳輸的瓶頸，進一步加速資料處理過程。MRAM的高速讀寫特性也使得它能與計算模組協同工作，在 AI 邊緣推理、即時資料處理等場景下提高處理效率。在AI邊緣化、OTA碎片化、軟體敏捷化的今天，MCU的“智能化”越發依賴於記憶體能力。預計未來的 MCU 架構將越來越多地將儲存和計算結合，打造更高效、靈活且具有智能化能力的系統。結語過去十年，我們習慣將MCU視作“控制”系統的代表，其內嵌儲存只是配套元件；但在AI、SDV、邊緣智能紛至沓來的時代，儲存正在從幕後走向台前，成為計算架構不可分割的核心。這不僅是一次材料的更替、工藝的演進，更是MCU從“可用”走向“可擴展”、“可演進”的關鍵一步。在這場由嵌入式儲存引發的微控製器升級潮中，我們看到的不僅是頭部廠商的路線分化，也預見到整個產業鏈條——從代工到工具鏈、從汽車到工業應用——正在加速適配與演進。這場轉型，才剛剛開始。但我們也應能想到，這些新型儲存器的製造對材料、工藝和設計協同提出了更高要求，目前仍主要掌握在少數國際頭部廠商和代工巨頭手中。對於國產MCU廠商而言，這既是挑戰，更是必須迎頭趕上的關鍵戰役。 (半導體行業觀察)

前首富黃光裕的命運，沒有逆轉。 進入2025年，*ST 美訊（國美通訊，600898）連續跌停，截至最新收盤，*ST 美訊報收元0.9元/股，相較於2024年11月高點累計跌幅達58%，如果從最高位算起，其跌幅已超過了96%，目前總市值僅剩2.57億元，已連續14個交易日低於5億元，退市的命運已經註定。 這一事件不僅宣告了其退市已成定局，也折射出黃光裕零售版圖的全面潰敗。回顧國美零售的發展，自2017年以來，連續遭遇虧損，黃光裕回歸後的3年半里淨虧損合計超388億元。 在零售業務全面潰敗的背景下，黃光裕突然宣佈進軍汽車領域，打造 “賣車新勢力”。這一決策在汽車行業競爭激烈的當下，顯得尤為引人注目。國美能否在汽車領域闖出一片天地，又能否借此扭轉零售困局，成為市場關注的焦點。

一個禮拜前，半導體行業觀察發佈了一篇題為《晶片暴跌，全賴川普》的文章。文中，我們介紹了在川普對晶片行業和評價以及美國的相關政策影響下，導致晶片行業市值大跌。 但現在，隨著海外晶片巨頭紛紛發佈財報，晶片行業又迎來新一輪的暴擊。但和七天前受到不確定消息引起的行業恐慌不一樣，這次的晶片大跌，則完全是在業績資料以及預期拖累的結果。 以至於筆者昨日一直在和行業朋友說：“NXP帶來的恐慌，被TI拉起來一把，再被瑞薩和ST推進了更深的深淵。” NXP敲響警鐘，TI穩住心態

又到周五，來一起關注上午的市場行情和最新資訊~ 7月12日，A股市場早間小幅低開：上證指數報2965.61點，跌0.16%；深證成指跌0.44%，創業板指跌0.3%。上午市場窄幅震盪，上證指數率先翻紅，創業板指跌幅有所收窄。 盤面上，上午房地產持續火熱，城農村改造、新型城鎮化等概念漲幅居前；家居用品、銀行、餐飲、醫藥等板塊存在階段性行情。煤炭、有色不振，消費電子、光模組等板塊震盪下行。 港股開盤整體走高：恆生指數漲1.05%，恆生科技漲1.35%，恆生國企漲1.12%。上午港股漲幅持續擴大，地產、消費提振指數上行；龍湖地產漲超8%，領漲恆指。

足球比賽有個說法，只要還在場上，就有翻盤的可能性。 這本來是很勵志的，但換到某些人身上，卻成了貶義，比如一些不好好做生意，不好好回報股東的上市公司，他們信奉的是，只要還在A股裡，就可以利用上市身份，繼續割韭菜。 最近，各大社交媒體的投資群，流傳著一份名單，上面羅列了很多A股有問題的公司，數量有好幾百家。 結論很簡單粗暴，這些公司輕則爆雷，重則退市，強烈建議投資者要規避。

5月15日，曾經的新能源行業明星企業保力新(現*ST保力)股價報收0.09元，成為A股歷史上首隻股價低於1毛錢的個股。自4月末“戴帽”以來，由於連續多日的恐慌性拋售，保力新的股價在短短9個交易日內已累計下跌超86%。 日前，保利新自4月29日起被實施“退市風險警示”和“其他風險警示”，股票簡稱由“保力新”變更為“*ST保力”，並受到了深交所的問詢函。 *ST保力自4月15日起開始低於1元/股，當日收盤價報0.94元/股。截至5月15日收盤，*ST保力已連續19個交易日股價低於1元，即便次日漲停，也將因股價連續20個交易日低於1元而觸及交易類退市指標，退市已成定局。 資料顯示，保力新的前身為堅瑞消防，於2010年在深交所創業板上市。2016年，堅瑞消防以52億元高價收購沃特瑪股權，正式進軍動力電池和新能源汽車產業。據悉，當時作為國內新能源電池的領軍企業，沃特瑪是最早研發和大規模生產新能源汽車動力電池的公司之一。

在近期的一波行情中，又有地產公司因股價低於1元鎖定下市。 4月29日，老牌上海地產商－上海世茂股份有限公司（股票簡稱「ST世茂」）股價跌停，收盤報0.64元，已連續12個交易日低於1元。根據美國證券時報記者計算，即使在接下來的8個交易日，公司股價接連漲停也無法重返1元，達到「連續20個交易日低於1元」退市條件，提前鎖定退市。 老牌上海地產商鎖定下市 近日，ST世茂多次發佈公告提醒投資人，因股價持續低於1元，公司股票可能終止上市。