#中介層
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台積電核心機密：將玻璃中介層作為未來十年重大決策，與英特爾EMIB一搏生死

是的，台積電將匯入玻璃中介層，而可能不是玻璃芯基板。 台積電將在2029年開始由硅中介層轉向加碼量產CoPoS 大玻璃中介層，在之前的文章中我也反覆強調。 知名半導體分析師陸行之表示，台積電對於幫助大晶片客戶採用玻璃中介層取得矽中介層，2029年由圓轉方加速擴張CoPoS產能是未來10年不得不為的重大決定，CoWoS 擴產將於2029年趨緩，一些技術問題克服後，2029年加速CoPoS擴產，CoPoS量產後，英特爾EMIB 就沒有優勢。昨晚喝酒我也在朋友圈逼逼。“台積電CoPoS商標已經註冊：暗黑風格的面板級封裝取代紅色標誌的CoWoS，指出，CopOS將成為一個公共概念，你們誰用勞資不管了，但是用TSMC COPOS，所有的專利都在我這：由於英特爾玻璃芯上的專利都被鎖死，台積電不大可能走玻璃芯堆疊20+ABF的路線（中國大陸所有走這條路線的廠商可能將面臨英特爾的專利追責或者其授權使用），所以，台積電最終走的是玻璃中介層的路線，不管是基板還是PCB是不是始終玻璃基板（都可能將面臨中國大陸的追責和授權）”。 要知道，美國所有的AI設計公司都在預研發玻璃基板，通過全球合作的供應鏈模式自上而下研發對接每一道具體的工序。中國大陸明顯處於落後的狀態，從大晶片製程到先進封裝明確將中國所有的供應鏈排除在外，尤其是日本和台灣的2nm以下的製造公司不採納大陸的任何成分。玻璃基板量產從2026到2030年開始。第一代玻璃基大晶片從2027年年底開始小部分供貨，2028需要整個供應鏈的所有細分工藝必須穩定適合量產的節奏，2030年全面取代有機基板。台積電面板級中介層從2029年匯入量產。競爭對手都在玻璃芯基板上內卷時，台積電就深刻瞭解到玻璃中介層的高密度性功能的附加值。
科技#台積電#玻璃中介層#英特爾
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世界最高速玻璃微通孔加工技術—— 下一代半導體器件製造的關鍵

研究小組開發出一種能以全球最高速度在玻璃上形成超高縱橫比且高品質的微細通孔的技術。 近年來，將大規模積體電路分割為多個小型晶片再進行整合的芯粒技術備受關注，而高密度連接晶片的中介層（Interposer）在其中發揮著重要作用。在下一代半導體器件中，玻璃中介層被認為是一種有力候選，而實現這一技術則離不開在玻璃基板上快速形成高縱橫比且高品質的微細通孔的技術。 此次，研究小組通過將一種新型振盪方式——GHz突發模式超短脈衝雷射——整形為貝塞爾光束的GHz突發模式超短貝塞爾脈衝，成功在厚度為1.1mm的玻璃基板上形成了孔徑1.1微米（μm）、縱橫比達1000的通孔，形成時間1納秒以下，速度比傳統方法快2萬倍以上。 通過GHz突發模式超短貝塞爾脈衝形成玻璃通孔並通過刻蝕控制孔徑
世界最高速玻璃微通孔加工技術—— 下一代半導體器件製造的關鍵
科技#玻璃微通孔#中介層#下一代半導體封裝