近日，多位中國積體電路行業的領軍人物，包括中芯國際發起人之一王陽元院士、長江儲存董事長陳南翔、北方華創董事長趙晉榮、清華大學微電子所所長魏少軍等——聯合撰文《建構自主可控的積體電路產業體系》。文章中提出：在“十五五”期間，應通過整合機制，舉國之力集中力量解決極紫外光刻（EUV）等關鍵問題，建議創立“中國的ASML”。（圖源“科技導報”）No.1 從“各自為戰”到“團隊作戰”這份發表在《科技導報》上的文章，核心觀點是當前中國積體電路產業已築牢國家安全底線，並在成熟工藝領域（28nm及以上）佔據全球約33%的產能，具備了參與國際競爭的基礎。但面對美國在EDA軟體、高端裝置和材料上的“三張牌”，以及與國際巨頭懸殊的投資力度（如文章對比，國家大基金三期合計約967億美元，接近英特爾、三星、台積電三家一年資本支出的總和），單靠企業分散突圍難以為繼。因此，文章明確提出“舉國之力”不應該是口號，應建立在整合機制的基礎上，目標直指鍛造能與強手對壘的“頭部企業”。攻克核心瓶頸：將極紫外光刻（EUV）作為“十五五”必須解決的三大關鍵問題（另兩項是EDA和矽片）之首。文章指出，EUV光刻機有10萬個零部件，背後是5000家供應商的整合體系。中國在雷射光源、光學系統等單項技術上已有突破，關鍵在於如何像ASML那樣，通過統籌，將分散的成果高效整合為整機。創立創新模式：建議的核心是創立“中國的ASML”。這並非簡單複製一家公司，而是建立一種全新的“被整合者”機制，即由一家或幾家核心企業牽頭，統一調度資金和人才，跳出短期“名利”藩籬，實現產業鏈的垂直整合。（圖源“科技導報”）No.2 攀登產業頂峰的“施工圖”文章不僅指出了方向，還為未來五年的發展設定了具體、務實的量化目標：產業位勢：躋身全球積體電路產業強國前三名。自給率提升：國民經濟領域晶片自給率提高到80%，逐步減少中低端產品進口（復出口除外），夯實內循環市場。技術台階：夯實自主可控的28nm全產業鏈，穩定14nm生產，並初步完成全國產化的7nm生產線建設及試運行。基礎平台：建設最先進工藝能力的公共研發平台，為未來的新結構、新材料、新工藝提供驗證環境。原始創新：在基礎研究領域尋求引領性突破。這些目標顯示出一種清晰的“攀登策略”：紮穩中端（成熟工藝）的腳跟，同時集中力量攻克高端（先進工藝）的瓶頸，並以基礎研究佈局未來。編者觀察這篇聯名建議的本質，是行業領軍者基於現實差距和產業規律，提出的一份關於“如何集中力量辦大事”的路徑探討。它既不是盲目的樂觀，也不是悲觀的論調，而是一份冷靜的戰略建議書：通過頂層設計重塑整合機制，集中資源鍛造關鍵環節的“破局者”，用五到十年時間，在攀登全球半導體產業頂峰的征程中，紮紮實實地向上走好每一步。 (芯師爺)
