ASML的優勢，是通過一系列決策建立起來的——這一過程始於2000年代初期的157nm光刻。在這些決策中，即使經濟前景並不確定，而且競爭對手認為風險不值得承擔，ASML 仍然一次又一次選擇將極其困難的下一代技術堅持推進，直至形成一套能夠實際運行的生產系統。 本文將從157nm光刻開始，追溯這一發展模式，隨後延伸到193nm浸沒式光刻和 EUV；分析為什麼Nikon（尼康）和Canon（佳能）做出了不同的選擇；並進一步探討，新一代無掩模、數字控制光刻技術，是否有可能對 ASML 當前的地位構成第一個真正意義上的架構性挑戰——而這種挑戰最有可能首先出現在低產量、高混合度製造領域，而不是先進邏輯晶片的最前沿。 01. 157nm插曲：一項輸掉競賽的技術 2000年代初期，ASML、Nikon和Canon都在開發 157 nm 光學光刻技術，當時業界普遍認為它將成為 193 nm 乾式光刻的下一代技術。三家公司都在大約2002—2003年間公佈了相關技術路線圖。

該方案能夠消除棘手的光學3D掩模效應，提升光刻解析度，以更低成本製造更小尺寸晶片。 從支撐新一代人工智慧的資料中心，到關鍵醫療裝置、汽車，以及移動裝置或電腦，基於半導體的晶片是現代生活不可或缺的核心器件。 隨著技術迭代、功耗需求持續攀升，科研人員致力於研發尺寸更小的晶片，這就需要在單奈米級尺度上完成精密電路設計。極紫外（EUV）光刻等技術為實現微型晶片開闢了新路徑，但該技術面臨巨大的物理、工程與成本難題，限制了現階段的落地與規模化量產。 沖繩科學技術大學院大學（OIST）的Tsumoru Shintake教授在《微納圖形、材料與計量期刊》發表研究，提出對高數值孔徑（高NA）極紫外光刻所使用的照明系統與投影物鏡進行顛覆性重構設計。模擬結果顯示，該方案能夠消除棘手的光學3D掩模效應，提升光刻解析度，相較現有極紫外工藝，以更低成本製造更小尺寸晶片。

5月，蘭德公司發佈《如何預測中國光刻技術的飛躍》（How to Forecast China’s Lithography Leap）研究報告，核心目的是對比德爾菲專家預測法與蘭德眾包預測平台兩種方式，評估美國出口管制背景下，中國實現高端光刻裝置本土化量產的可能性。研究設定兩大核心預測問題：一是2026年前中國能否量產每小時產能140片以上的商業級深紫外（DUV）光刻機；二是2030年前中國能否量產每小時產能90片以上的商業級極紫外（EUV）光刻機。報告梳理了兩種方法的預測結果與關鍵影響因素，分析方法差異並提出研究及政策建議，為半導體領域地緣競爭決策提供參考。 一、研究背景光刻技術是半導體製造的核心環節，直接決定晶片性能，已成為中美科技競爭的關鍵領域。2022~2025年，美國聯合荷蘭、日本出台多輪出口管制措施，逐步限制對華出口DUV、EUV光刻機及相關技術、材料與軟體，遏制中國高端半導體製造能力發展。報告指出，中國以上海微電子裝備公司為核心推進光刻技術本土化，已研發DUV原型機，但尚未實現量產；EUV技術則完全依賴外部供應，暫無自研裝置。本次研究聚焦中國在管制下的技術突破潛力，同時探究兩種預測方法在複雜科技議題中的應用價值。 二、德爾菲專家預測研究選取6名半導體和中國科技政策領域的專家，採用德爾菲法開展預測，經三輪匿名研討與反饋修正後形成結論：中國2026年量產目標DUV光刻機的機率僅25%，2030年量產目標EUV光刻機的機率僅10%。專家認為，時間不足是中國突破的首要阻礙，其次是技術壁壘，DUV光刻機需復刻完整供應鏈，而EUV光刻機更是ASML公司耗時20餘年才攻克的複雜技術。同時，美國出口管制切斷關鍵零部件與核心技術獲取管道，進一步加劇研發量產難度。專家提及的有利因素僅包括中國政策強力支援、資金投入充足及部分海外人才回流，但這些因素不足以抵消核心阻礙。 三、眾包平台預測蘭德旗下“蘭德預測倡議”平台開展為期五周的眾包預測，80名跨領域非專業參與者得出結果：中國2026年量產目標DUV光刻機機率為37%，2030年量產目標EUV光刻機機率達45%。眾包參與者認為，中國的國家戰略投入、大規模資金支援、持續人才吸引是技術突破的關鍵支撐。此外，中國在其他高科技領域的追趕經驗、對海外智慧財產權的獲取能力，也為光刻技術攻關提供助力。參與者同樣承認技術難度高、供應鏈受限等現實因素，但認為在長期政策驅動下，中國具備逐步突破的可能性。

近日，多位中國積體電路行業的領軍人物，包括中芯國際發起人之一王陽元院士、長江儲存董事長陳南翔、北方華創董事長趙晉榮、清華大學微電子所所長魏少軍等——聯合撰文《建構自主可控的積體電路產業體系》。文章中提出：在“十五五”期間，應通過整合機制，舉國之力集中力量解決極紫外光刻（EUV）等關鍵問題，建議創立“中國的ASML”。（圖源“科技導報”）No.1 從“各自為戰”到“團隊作戰”這份發表在《科技導報》上的文章，核心觀點是當前中國積體電路產業已築牢國家安全底線，並在成熟工藝領域（28nm及以上）佔據全球約33%的產能，具備了參與國際競爭的基礎。但面對美國在EDA軟體、高端裝置和材料上的“三張牌”，以及與國際巨頭懸殊的投資力度（如文章對比，國家大基金三期合計約967億美元，接近英特爾、三星、台積電三家一年資本支出的總和），單靠企業分散突圍難以為繼。因此，文章明確提出“舉國之力”不應該是口號，應建立在整合機制的基礎上，目標直指鍛造能與強手對壘的“頭部企業”。攻克核心瓶頸：將極紫外光刻（EUV）作為“十五五”必須解決的三大關鍵問題（另兩項是EDA和矽片）之首。文章指出，EUV光刻機有10萬個零部件，背後是5000家供應商的整合體系。中國在雷射光源、光學系統等單項技術上已有突破，關鍵在於如何像ASML那樣，通過統籌，將分散的成果高效整合為整機。創立創新模式：建議的核心是創立“中國的ASML”。這並非簡單複製一家公司，而是建立一種全新的“被整合者”機制，即由一家或幾家核心企業牽頭，統一調度資金和人才，跳出短期“名利”藩籬，實現產業鏈的垂直整合。（圖源“科技導報”）No.2 攀登產業頂峰的“施工圖”文章不僅指出了方向，還為未來五年的發展設定了具體、務實的量化目標：產業位勢：躋身全球積體電路產業強國前三名。自給率提升：國民經濟領域晶片自給率提高到80%，逐步減少中低端產品進口（復出口除外），夯實內循環市場。技術台階：夯實自主可控的28nm全產業鏈，穩定14nm生產，並初步完成全國產化的7nm生產線建設及試運行。基礎平台：建設最先進工藝能力的公共研發平台，為未來的新結構、新材料、新工藝提供驗證環境。原始創新：在基礎研究領域尋求引領性突破。這些目標顯示出一種清晰的“攀登策略”：紮穩中端（成熟工藝）的腳跟，同時集中力量攻克高端（先進工藝）的瓶頸，並以基礎研究佈局未來。編者觀察這篇聯名建議的本質，是行業領軍者基於現實差距和產業規律，提出的一份關於“如何集中力量辦大事”的路徑探討。它既不是盲目的樂觀，也不是悲觀的論調，而是一份冷靜的戰略建議書：通過頂層設計重塑整合機制，集中資源鍛造關鍵環節的“破局者”，用五到十年時間，在攀登全球半導體產業頂峰的征程中，紮紮實實地向上走好每一步。 (芯師爺)

蘋果公司不再僅僅是一家晶片設計商。在經歷了十多年對自有晶片架構的精研並徹底脫離英特爾（Intel）之後，下一個前沿領域更加基礎：光刻技術（Lithography）。如果蘋果決定進一步掌控晶片的物理製造過程，而不僅僅是設計過程，這將標誌著計算硬體歷史上最重大的轉變之一。蘋果晶片光刻指的是蘋果將其控制力從晶片設計延伸到矽晶圓上物理製造電晶體過程的可能性。如今，蘋果負責設計晶片，但依靠台積電（TSMC）等合作夥伴，利用主要由 ASML 開發的先進光刻工具進行製造。蘋果可能影響或共同開發光刻技術的想法並非科幻小說——它是蘋果長期“縱向整合”戰略的邏輯延伸。核心答案蘋果不需要為了重塑光刻技術而立即建造自己的晶片工廠。最現實的路徑是通過與製造合作夥伴進行影響、協同設計或深度定製光刻工藝。這將允許蘋果以競爭對手無法複製的方式，量身定製電晶體密度、功耗特性和散熱表現，從而創造出遠超原始性能跑分的晶片優勢。蘋果脫離英特爾並不僅僅是為了追求能效比（performance per watt），更是為了掌控權。英特爾路線圖的延遲、能效低下以及架構限制，束縛了蘋果按照自己的時間表演進 Mac、iPad 和 iPhone 的能力。通過 Apple Silicon，蘋果奪回了對整個性能曲線的控制權。CPU 核心、GPU 核心、記憶體架構、神經網路引擎和電源管理現在被設計為一個統一的系統。僅憑這一點，就已使蘋果在行業中脫穎而出。但仍有一層是蘋果尚未完全擁有的：這些設計是如何物理蝕刻到矽片上的。光刻的真正含義光刻是在矽晶圓上印刷微觀電晶體圖案的過程。它決定了電晶體可以做多小、排列多緊密，以及電子流過它們的效率。現代晶片依賴於極紫外光刻（EUV），這一領域由單一供應商主導，並由少數幾家代工廠大規模執行。每一代光刻技術不僅決定了性能，還決定了發熱、漏電、良率和長期可靠性。誰控制了光刻參數，誰就實質上控制了計算的未來。為什麼蘋果會關注光刻？蘋果晶片的打造不僅僅是為了贏得合成基準測試（跑分）。它們旨在 iPhone、iPad、Mac 以及現在的空間計算裝置（Vision Pro）的嚴格散熱限制內，提供持續的性能。光刻選擇直接影響這種平衡。電晶體的幾何結構影響熱量在晶片上的分佈、熱量通過鋁或銅等材料散發的速度，以及在負載下性能的預測穩定性。通過對光刻產生更深遠的影響，蘋果不僅可以針對速度最佳化晶片，還可以針對長效工作負載、電池續航和靜音運行進行最佳化——而這些正是蘋果已經領先的領域。半導體控制權的“靜默戰爭”半導體行業正處於一場無聲的軍備競賽中。當頭條新聞聚焦於“奈米”標籤時，真正的競爭發生在工藝精煉、良率最佳化和功耗效率上。蘋果並不宣傳其對製造端的影響力，但其晶片成果表明，它與代工廠之間存在著極高水平的協同。蘋果晶片始終如一地提供行業領先的能效比，這單靠架構設計是無法實現的。這表明蘋果已經在將製造工藝推向極限——甚至可能超出了提供給其他客戶的標準配置。蘋果不需要取代台積電或 ASML 來獲得光刻優勢。建立獨立的晶圓廠需要巨額資金、面臨地緣政治風險以及極高的營運複雜度，這不符合蘋果的核心優勢。相反，蘋果的力量在於規模和可預測性。它可以提前數年承諾海量的生產訂單，從而獲得影響工藝開發和完善的籌碼。在實踐中，這可能意味著定製化的工藝變體、專屬的電晶體配置，或專門為蘋果架構量身定製的光刻最佳化。這將如何重塑蘋果硬體如果蘋果獲得更深的光刻影響力，其影響將波及每一條產品線：iPhone：可以維持更長時間的峰值性能而不降頻。Mac：可以在更薄的外殼中推向更高的性能巔峰。電池壽命：逐年獲得複合式的提升。散熱設計：變得更加可預測，允許蘋果在材料和機身設計上與晶片保持同步。這種水平的整合將使競爭對手極難追趕，尤其是那些依賴“現成”晶片設計和通用製造工藝的對手。為什麼這一直不顯山露水蘋果很少公開討論製造戰略。其競爭優勢往往在於它不宣佈的內容。光刻影響對消費者來說是不可見的，但在結果中卻顯而易見：更安靜的裝置、更長的續航、穩定的表現以及更長的產品壽命。這種沉默是戰略性的。在競爭對手追逐可見功能時，蘋果正在投資於那些能隨時間產生復合優勢的基礎層。對行業的長期影響如果蘋果繼續向光刻級控制邁進，它將進一步把自己與傳統的 PC 和移動生態系統區分開來。硬體、軟體和製造將融合為一個統一的設計哲學。這不僅會影響性能指標，還會影響定價權、供應鏈韌性以及蘋果推出新形態產品的節奏。在那個未來，蘋果將不僅僅是先進製造的客戶——它將成為其建築師之一。 (半導體行業觀察)

川普政府已同意向一家試圖在美國開發更先進半導體製造技術的初創公司注資最多1.5億美元，這是政府利用激勵措施支援具有戰略重要性的國內產業的最新舉措。美國商務部在周一發佈的一份新聞稿中表示，根據這項安排，商務部將向xLight提供激勵；作為回報，美國政府將獲得xLight的股權，有可能成為xLight的最大股東。xLight是一家試圖改進被稱為極紫外光刻（EUV）的關鍵晶片製造工藝的初創公司。荷蘭公司阿斯麥（ASML）目前是EUV光刻機的全球唯一生產商，每台光刻機的成本可能高達數億美元。xLight正尋求改進EUV工藝中的一個元件：將複雜微觀圖案蝕刻矽晶圓上的至關重要的雷射器。xLight希望將其光源產品整合到阿斯麥的機器中。xLight代表著美國老牌晶片製造商英特爾前首席執行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的東山再起。去年年底，在英特爾遭遇財務業績疲軟和製造擴張停滯後，基辛格被英特爾董事會解僱。他隨後加入了xLight並擔任該公司董事會執行主席。xLight的這筆交易使用了2022年《晶片法案》(Chips and Science Act)中撥給擁有廣闊技術前景的處於發展早期階段的公司的資金。這是川普第二任期內的首個《晶片法案》的項目獎勵，也是一份初步協議，意味著尚未最終敲定，可能會發生變化。“這項合作將支援一項能夠從根本上改寫晶片製造極限的技術，”美國商務部長霍華德·盧特尼克在新聞稿中表示。對半導體行業意味著什麼？xLight的計畫雄心勃勃。該公司計畫建造由粒子加速器驅動的大型“自由電子雷射器”，以創造出更強大、更精確的光源，可用於晶片製造廠。每台機器的尺寸約為100米乘50米，並將作為公用事業規模的解決方案安裝，即在晶片廠以外部署。基辛格表示，這筆1.5億美元的投資將幫助xLight實現到2028年生產出第一批矽晶圓的目標。xLight的首席執行官是Nicholas Kelez，曾在一家量子計算公司和政府研究實驗室工作。今年夏天，xLight從Playground Global等投資者那裡籌集了4000萬美元，基辛格現在是這家風險投資公司的普通合夥人（GP）。阿斯麥目前使用的最先進雷射器產生的極紫外光波長約為13.5奈米。xLight的雷射器目標是更精確的波長，低至2奈米。如果該公司能夠達到這種精度水平，將有助於晶片製造商在矽晶圓上蝕刻出更微小的線寬。這可能有助於半導體行業繼續沿著摩爾定律描述的軌跡發展。摩爾定律指出，每塊晶片上的電晶體數量，也就是晶片的計算能力，應該每兩年增長一倍。“我們正在喚醒摩爾定律。它一直在打盹。”基辛格表示。他還表示，這項新技術可以將晶圓加工效率提高多達30%至40%，並相信xLight的雷射器比目前的光源消耗更少的能量。“如果這家公司成功了，我們將改變半導體行業，”基辛格表示，“我們可以改善當前EUV的經濟性，並為未來的EUV賦能。”支援美國戰略產業最新舉措對晶片初創公司xLight的注資是川普政府直接入股關鍵企業，以實現對戰略產業深度干預的最新舉措。過去幾個月，川普政府通過直接投資、貸款轉股權、認股權證等方式入股了多家戰略領域企業，覆蓋半導體、關鍵礦產、稀土、鋰資源等領域。這些企業包括英特爾（半導體領域）、Trilogy Metals（關鍵礦產領域）、美洲鋰業（鋰資源領域）、MP Materials（稀土領域）等。一些分析師批評了美國政府直接投資於英特爾等公司的戰略，稱這種做法是國家資本主義，並指責政府官員在挑選贏家和輸家。盧特尼克曾表示，刺激關鍵產業並引入其他私營部門合作夥伴是合理的。 (科創日報)

在巨頭壟斷的尖端領域破土而出。1984年，飛利浦內部的Natlab實驗室被高層放棄。因為不看好其昂貴的技術研發方向，這個攻堅光刻技術的團隊，被安置在垃圾站旁的簡易工棚裡，環境嘈雜，臭氣熏天。誰也沒想到，從垃圾站出發的ASML，會成為鼎鼎有名的光刻巨頭，最終改寫了全球半導體產業的格局。歷史的軌跡，正悄然重現。41年後，太平洋彼岸的上海，一群中國年輕人選擇向同一座技術高峰——EUV光源發起衝擊。他們的起點，是砸牆搭建的家庭實驗室，是瀰漫著機油的郊區汽車廠房。這群年輕人，正是朗道燧岩（上海）科技有限公司（以下簡稱“朗道科技”）的初創團隊。成立僅一年餘，這家初創公司便斬獲張江高科895創業營“創業之星”，完成天使輪戰略融資，累計融資數千萬元，並且成為了國內百億EUV光源賽道中備受矚目的獨苗選手。從重慶民居到南京郊區的汽車廠房，再到上海張江的核心園區，這家年輕的公司為何能在巨頭壟斷的尖端領域破土而出，被市場寄予厚望？近日，張通社獨家對話朗道科技創始人王豪博士，探尋這個年輕團隊敢想敢做，破局EUV光源壟斷背後的故事。01. 放棄鐵飯碗清華校友集體創業朗道科技的故事，是一群世俗意義上的好學生集體“越軌”的結果。創業之前，王豪走的是一條規整且平順的學術之路。2015年，他從重慶大學考入清華大學電機系，開啟碩博連讀。其專業是當時頗為冷門的氣體放電電漿，所在的清華大學電漿體實驗室是國內該領域的重要研究陣地。課題組的兩大方向，一是近年大熱的核聚變，另一便是半導體光刻光源。博士畢業後，他回到母校重慶大學任教。然而，三年的執教生涯讓他逐漸意識到學術與產業之間的鴻溝。“學了這麼多專業知識，怎樣才能真正用於產業？”這顆產業化的種子，在他心中悄然埋下。不久，一個推動他走向產業的機會降臨了。在重慶大學教學期間，王豪創辦了清華校友跑團。其中一位跑友，正是國內一家重要半導體裝置製造商的供應鏈負責人。2023年2月，王豪前往北京參觀其公司。他近乎震撼地發現：中國半導體產業鏈雖全，但在最核心的光刻機，尤其是EUV（極紫外）光源上，幾乎是一片空白。需要強調的是，光刻機是晶片製造的核心裝備，而EUV（極紫外）光源則決定了光刻機的精細度，其重要性不言而喻。當時，全球僅有ASML能製造EUV光刻機，並對中國實施嚴格禁運。這一殘酷事實，刺痛了王豪。他意識到，正如“用粗炭筆畫不出精妙的細節”，要突破晶片製造的工藝極限，就必須攻克最精細的極紫外光源。從北京回來後，王豪與同為清華校友的妻子劉家慧進行了一場嚴肅的對話。當他提出想創業攻克EUV光源時，妻子的第一反應是：“你瘋了？”但王豪沒有放棄，他用了大量調研資料和分析，向妻子解釋這項技術的戰略意義與現實可行性。最終，劉家慧從質疑轉向認同，決定與他並肩同行。事實上，投身EUV光源創業，並非一場“無根之水”的豪賭。在全力投入之前，王豪花了近半年時間進行紮實的行業調研。他查閱全球專利，研讀專業文獻，幾乎翻遍了ASML二十多年來數千篇EUV會議報告，將國際巨頭的成長史摸了個底朝天。他發現，國外巨頭有幾十年、數千專家、數百專利的深厚積累，而國內的相關研究卻非常有限。正是這種清醒的認知，讓他更加堅定必須從最基礎做起。調研完成，夫妻二人組成了最初的清華創業小隊。沒有場地，他們砸通了家裡的非承重牆，清空房間，搭建起最原始的實驗室。沒有裝置，他們抵押房產，拿出全部積蓄，全網搜尋二手甚至報廢的雷射器、真空儀器，自己動手維修、偵錯。隨後，他們又說服了另外兩位清華校友加入——擅長品牌與營運的李雅竹，和擁有強大調研與供應鏈對接能力的楊坤韻。清華校友創業小隊就此成形。為了讓成員們快速建立對EUV核心技術的認知，王豪帶領大家翻譯了上千頁的英文技術原著，進行了高強度的集中學習。最終，第一台低功率的原型機，就在那個由客廳改造的簡陋實驗室裡誕生了。02. 招募頂尖人才構築“技術-商業”閉環家庭實驗室的初步成功，證明了技術的可行性，但只是故事的起點。2024年初，一位建築業老闆被團隊打動，將南京溧水區一個閒置的汽車零部件廠房，以近乎免費的價格提供給他們。清華小隊正式開闢了新的空間。“旁邊就是養雞場，吃大排檔就算是團建，”王豪回憶，“但這裡成了我們的研發聖地，四個創始人加上最早的員工，每天從早上7點幹到深夜12點。”也是在這裡，2024年8月，朗道科技正式註冊成立。朗道科技的第一版圖像logo質疑聲來得斷斷續續。“很多人覺得我瘋了。”有行業前輩直言不諱，認為中國缺乏高端製程的血統，勸他“死了這條心，老實找個班上”。但也有人鼓勵他們：“在中國，總有人想做偉大的事。你只需要找到正確的人。”朗道科技的人才招攬結果也印證了這句話。搬到南京後，他們開始不間斷地尋找有理想有才能的同伴。為此，朗道科技精心設計了專業、國際化的官網與招聘系統，由創始團隊親自奔赴清華、北大、復旦等高校宣講招攬英才……他們用“捍衛人類智慧榮光”的願景和紮實的技術底蘊，吸引了一位又一位鮮活的同行者。於是，我們看到了朗道科技如今的團隊——四位清華聯合創始人，以及十幾位來自清華、北大、南大、南加州大學、新加坡國立、帝國理工、聖彼得堡彼得大帝理工大學等知名學府的優秀人才。頂尖人才全身心投入的成效逐步顯現。目前，朗道科技已形成從基礎研究到最終產品的完整閉環，王豪稱其為“三菜一湯”。在軟體與模擬層面，公司自研的“電漿體工業模擬軟體”，已成為其核心研發利器。該系統既能降低企業硬體研發成本，同時支援高效對技術版本進行更新換代。還能為其他半導體裝置公司提供模擬軟體服務。在最艱難的時刻，團隊正是靠著模擬計算幾十萬的訂單，度過了漫長的硬體研發周期。在硬體產品方面，朗道科技已成功推出低功率EUV光源系統。該系統成功實現低功率光源穩定輸出，且轉化效率國內領先。此外，該光源可為EUV光刻膠研發、光學系統及掩膜檢測等企業，提供低成本、便捷的極紫外光測試工具，助力產業鏈上下游的協同研發。低功率LPP-EUV整機工程化效果圖為填補EUV光源供應鏈的核心硬體空白，公司已完成高功率C02（二氧化碳）雷射器的基礎研發。這是EUV光源的“發動機”，不僅可用於驅動產生EUV，也可用於航空和汽車領域板材切割與銲接。朗道科技已經與國內龍頭汽車品牌進入商業化訂單探討交流階段。而朗道科技的終極目標，始終是研發出可應用於先進光刻的高功率LPP-EUV光源系統。王豪為此制定了清晰的“三步走”計畫：第一步，盡快完成轉化效率超過5%的低功率驗證；第二步，用三年時間實現瞬時百瓦等級光源系統；第三步，協同供應鏈成長，計畫兩年更新出穩定的工程樣機。03. 累計達數千萬融資建立中國的EUV生態歷史上，固步自封、不願向前一步的公司，在後來大多落於人後。昔日晶片巨頭英特爾因固守DUV技術而在先進製程競賽中掉隊，而當時僅出動小團隊的ASML，卻因押注EUV贏得了未來。在創辦朗道科技的過程中，王豪深刻地意識到，中國必須向前一步，建立自己的EUV生態。“沒有EUV光源，光刻技術就無法前進。即使能設計出最精密的晶片，也無法被製造出來，中國半導體將永遠受制於人。”幸而，這條產業鏈上越來越多的同伴參與進來。2025年初，朗道科技參加張江高科895創業營公開路演。作為最後一位出場者，王豪擲地有聲地說道：“這或許是本次路演的尾聲，但我希望它是中國EUV事業的開始。”這句話瞬間點燃了現場。最終，朗道科技憑藉其紮實的技術和產業願景，一舉奪魁。這份冠軍獎勵，不僅為朗道科技帶來了近500平方米的免費研發空間，更是一個至關重要的契機——朗道科技借此收穫了數千萬元天使輪融資。圖源企查查今年10月，朗道科技在浦東新區張江高科·矽岸國際舉行開業典禮，正式入駐上海積體電路設計產業園，建立了超過千平的研發實驗室。現場，一束高功率雷射隔空點燃木板，“魔法”在這片熱土上演。張江高科黨委書記、董事長劉櫻在開業典禮上表示，朗道科技的入駐是張江科學城建構“熱帶雨林式”創新生態的生動實踐。她回憶起第一次與朗道科技團隊在南京研發舊址會面的情景，坦言這個年輕的團隊給了她極大的震撼，“我覺得他們是真正心中有夢，眼裡有光的一群年輕人。”這是一個生態正在形成的縮影。王豪深知，未來的關鍵挑戰在於“供應鏈建設”與“認知鴻溝的消除”。他必須成為中間人，將EUV的宏大敘事，拆解成一個個具體的核心零部件需求，助力產業鏈企業合力攻堅。這條道路雖然艱難，但前景廣闊。根據Technavio與Infiniti Research聯合發佈的報告，全球EUV光刻市場正處在高速增長期，預計2023-2028年的復合年增長率將達18.9%，市場規模將從約103億美元攀升至近246億美元，增量空間巨大。這不僅印證了朗道科技所選賽道的前瞻性，也意味著其每一步技術突破，都可能在中國乃至全球市場激起巨大迴響。歷史的軌跡，總是驚人得相似。或許未來，朗道科技在南京汽車廠的歲月，也會成為後人傳頌的起點。而隨著一批批不甘落後的中國半導體人持續湧現，那個不再受制於人的明天，正漸行漸近。 (芯師爺)

光刻技術是支撐積體電路晶片工藝不斷微縮的關鍵技術基礎，近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及其合作者在《自然-通訊》上披露了他們的新發現。該團隊通過創新應用冷凍電子斷層掃描（cryo-ET）技術，團隊首次解析光刻膠在液態環境中的微觀三維結構及動態行為，為晶片製程微縮化與良率提升提供全新解決方案。相關成果發表於《自然-通訊》（Nature Communications）。論文連結: https://www.nature.com/articles/s41467-025-63689-4彭海琳表示，光刻是晶片製造中關鍵的步驟之一，通俗理解，光刻就是給半導體晶圓（比如矽片）“印電路”，核心是用超精密“投影儀”把設計好的電路圖案，縮小後印在矽片的特殊薄膜上，再通過沖洗定型。光刻是晶片製造的核心技術之一，更是微納加工領域“皇冠上的明珠”。顯影液則在電路圖案形成過程中發揮著重要作用。在光刻膠顯影過程中，光刻膠的曝光區域會選擇性地溶解在顯影液的液膜中。液膜中光刻膠分子的吸附與纏結行為，是影響晶圓表面圖案缺陷形成的關鍵因素，進而可直接影響晶片性能和良率。《自然-通訊》報導的簡介中提到，儘管經過數十年的研究，光刻膠在液膜和介面處的微觀行為仍然難以捉摸，導致工業界對圖案缺陷的控制很大程度上是一個反覆試驗的過程。在這裡，我們利用冷凍電子斷層掃描（cryo-ET）方法揭示了液膜和氣液介面處光刻膠聚合物的奈米結構和動力學。與傳統方法相比，cryo-ET 以顯著提高的解析度重建了光刻膠聚合物的天然態三維結構。Cryo-ET 重建解決了光刻膠聚合物在本體溶液中氣液介面上的空間分佈，揭示了聚合物鏈之間的內聚纏結。通過抑制聚合物纏結並利用光刻膠在氣液介面的吸附，在工業條件下消除了 12 英吋晶圓上的污染，使與晶圓廠相容的光刻圖案缺陷減少率提高了 99% 以上。註：a光刻膠顯影后 12 英吋晶圓的光學圖像。b顯影奈米圖案的 SEM 圖像。c光刻膠（化學放大光刻膠）的水接觸角測量。插圖：光學圖像顯示光刻膠的水接觸角約為 85°。d示意圖顯示光刻膠潤濕性差導致纏結聚合物吸附在圖案表面。e、f光刻膠顯影后12 英吋晶圓的缺陷對應（e），其中每個紅點表示圖案缺陷的發生（f）。g cryo -ET 切片顯示，當將曝光後烘烤溫度（T）從 95°C（左）增加到 105°C（右）時，聚合物纏結受到抑制。h通過抑制氣液介面處的聚合物纏結來去除缺陷的示意圖，防止大尺寸聚合物殘留物的形成和沉積。i消除缺陷的 12 英吋晶圓。j通過抑制氣液介面處的聚合物纏結，顯影圖案的聚合物殘留量降低了 99% 以上。插圖：無缺陷顯影圖案的典型 SEM 圖像。比例尺，80 奈米。冷凍電鏡斷層掃描的三維重構帶來了一系列新發現。論文通訊作者之一、北京大學化學與分子工程學院高毅勤教授表示，以往業界認為溶解後的光刻膠聚合物主要分散在液體內部，可三維圖像顯示它們大多吸附在氣液介面。團隊還首次直接觀察到光刻膠聚合物的“凝聚纏結”，其依靠較弱的力或者疏水相互作用結合。而且，吸附在氣液介面的聚合物更易發生纏結，形成平均尺寸約30奈米的團聚顆粒，這些“團聚顆粒”正是光刻潛在的缺陷根源。“我們由此提出了兩項簡單、高效且與現有半導體產線相容的解決方案。一是抑制纏結，二是介面捕獲。”彭海琳說，實驗表明，兩種策略結合，12英吋晶圓表面的光刻膠殘留物引起的圖案缺陷被成功消除，缺陷數量降幅超過99%，且該方案具備極高的可靠性和重複性。彭海琳表示，研究說明冷凍電子斷層掃描技術為在原子/分子尺度上解析各類液相介面反應提供了強大工具，也有助於闡釋高分子、增材製造和生命科學中廣泛存在的“纏結”現象。“我們的方案能為提升光刻精度與良率開闢新路徑。”彭海琳說。這項由中國科學家主導的重大突破，是基礎科學研究與產業應用需求緊密結合的典範。正如論文作者所言，這項工作為解讀水介面化學反應的結構和動力學鋪平了道路，而該領域的理論制定仍處於早期階段。低溫電子斷層掃描 (cryo-ET) 在解決聚合物科學、增材製造和生命科學中普遍存在的糾纏方面也顯示出巨大的潛力。在半導體工業的應用方面，液膜中的聚合物奈米結構和動力學有望有利於光刻、蝕刻和濕法工藝領域的缺陷控制，而這些領域對於製造下一代電子產品至關重要。 (半導體材料與工藝裝置)