近日,多位中國積體電路行業的領軍人物,包括中芯國際發起人之一王陽元院士、長江儲存董事長陳南翔、北方華創董事長趙晉榮、清華大學微電子所所長魏少軍等——聯合撰文《建構自主可控的積體電路產業體系》。
文章中提出:在“十五五”期間,應通過整合機制,舉國之力集中力量解決極紫外光刻(EUV)等關鍵問題,建議創立“中國的ASML”。
這份發表在《科技導報》上的文章,核心觀點是當前中國積體電路產業已築牢國家安全底線,並在成熟工藝領域(28nm及以上)佔據全球約33%的產能,具備了參與國際競爭的基礎。但面對美國在EDA軟體、高端裝置和材料上的“三張牌”,以及與國際巨頭懸殊的投資力度(如文章對比,國家大基金三期合計約967億美元,接近英特爾、三星、台積電三家一年資本支出的總和),單靠企業分散突圍難以為繼。
因此,文章明確提出“舉國之力”不應該是口號,應建立在整合機制的基礎上,目標直指鍛造能與強手對壘的“頭部企業”。
攻克核心瓶頸:將極紫外光刻(EUV)作為“十五五”必須解決的三大關鍵問題(另兩項是EDA和矽片)之首。文章指出,EUV光刻機有10萬個零部件,背後是5000家供應商的整合體系。中國在雷射光源、光學系統等單項技術上已有突破,關鍵在於如何像ASML那樣,通過統籌,將分散的成果高效整合為整機。
創立創新模式:建議的核心是創立“中國的ASML”。這並非簡單複製一家公司,而是建立一種全新的“被整合者”機制,即由一家或幾家核心企業牽頭,統一調度資金和人才,跳出短期“名利”藩籬,實現產業鏈的垂直整合。
文章不僅指出了方向,還為未來五年的發展設定了具體、務實的量化目標:
產業位勢:躋身全球積體電路產業強國前三名。
自給率提升:國民經濟領域晶片自給率提高到80%,逐步減少中低端產品進口(復出口除外),夯實內循環市場。
技術台階:夯實自主可控的28nm全產業鏈,穩定14nm生產,並初步完成全國產化的7nm生產線建設及試運行。
基礎平台:建設最先進工藝能力的公共研發平台,為未來的新結構、新材料、新工藝提供驗證環境。
原始創新:在基礎研究領域尋求引領性突破。
這些目標顯示出一種清晰的“攀登策略”:紮穩中端(成熟工藝)的腳跟,同時集中力量攻克高端(先進工藝)的瓶頸,並以基礎研究佈局未來。
這篇聯名建議的本質,是行業領軍者基於現實差距和產業規律,提出的一份關於“如何集中力量辦大事”的路徑探討。
它既不是盲目的樂觀,也不是悲觀的論調,而是一份冷靜的戰略建議書:通過頂層設計重塑整合機制,集中資源鍛造關鍵環節的“破局者”,用五到十年時間,在攀登全球半導體產業頂峰的征程中,紮紮實實地向上走好每一步。 (芯師爺)