6 月中旬，花旗與多家日本頭部 AI 材料企業事業部高管開展深度訪談，包括三菱瓦斯化學、日東紡、JX 金屬、旭化成、三井金屬，同時跟進了 AGC 半導體說明會、2026 日本電子電路展（JPCA）PTFE 專題論壇，完整梳理產業鏈現狀。

日本企業核心優勢：本次溝通覆蓋業務一線管理層（不侷限 IR 投資者關係部門），全行業均強調 AI 上游材料需求持續超預期，需求景氣度具備強確定性；實地訪談再次驗證日本在電子基材、半導體核心材料領域的頂尖技術壁壘，當前全球 AI 供應鏈底層核心基材基本由日系企業供給支撐，產業鏈不可替代性極強。

痛點 1：定價策略偏保守，議價力度不足

資本市場普遍反饋日系材料廠商價格談判態度消極，投資者存在明顯不滿情緒。我們已於 6 月 17 日發佈宏觀轉微觀專題《漲價新時代：價格轉嫁開啟日本良性經濟循環》，報告指出日本全行業漲價意願正在抬升，但對比海外競品，化工材料企業定價思路依舊保守。當前 AI 核心基材供需極度緊張，產品屬於產業鏈剛需，疊加全社會成本轉嫁已成常態，企業理應主動追求更高盈利彈性。正面案例：JX 金屬6 月 16 日 JX 金屬宣佈磷化銦（InP）基板產能最高擴產至當前 10 倍。我們判斷公司後續將採取遠超歷史幅度的漲價談判策略；海外投資者普遍給出正面反饋，評價其擴產與定價策略 “一改傳統日系保守風格，進攻性極強”。

痛點 2：下游終端需求洞察能力薄弱

日系企業多為上游原材料廠商，僅能直接感知一級客戶訂單，難以穿透至二級客戶、終端整機的真實需求與技術迭代趨勢。一線管理層普遍反映存在資訊盲區：終端產品結構佔比不明、需求爆發的底層邏輯無法清晰拆解。若能強化下游趨勢研判能力，可提前啟動下一代材料研發，同時規避行業虛假繁榮、重複下單帶來的產能過剩風險。

公司 BT 樹脂全新 RS 規格客戶驗證進展順利，我們判斷該材料在 GPU 用 FC-BGA 封裝基板上匯入確定性極高。歷史阻礙：RS 材低熱膨脹係數（Low CTE）、低介電常數（Low Dk）等基礎物性長期優於競品，但半導體行業替換新材料意願低、量產驗證案例少，是切入 BGA 市場最大門檻。行業變化：過去 1-2 年低 CTE 玻纖布供給持續緊缺，全產業鏈加速尋找替代基材；BT 樹脂本身性能優勢突出，替代窗口全面打開。產品佈局雙線平行：

RS 樹脂 + E 玻纖：面向交換機、電源管理晶片（PMIC）市場；

RS 樹脂 + 低 CTE 玻纖：主攻 BGA 封裝基板，搶佔市場份額。配套低 CTE 玻纖的備選供應商開發、匯入同步推進。OPE 改性聚苯醚新品研發落地：目標實現碳氫樹脂、PTFE 級超低介電損耗（Df），性能超越現有 PPE 體系材料，現已送出樣品給客戶驗證。

各品類供需緊張程度排序：T 玻纖（低 CTE 封裝布）＞第二代低介電 NER 玻纖＞第一代低介電 NE 玻纖。

T 玻纖：行業共識僅日東紡可穩定供貨，下游需求持續上行，公司正在評估新一輪擴產，同步配套強勢價格談判；

NER 第二代低介玻纖：產品生命週期、下游市場規模遠超最初預期。技術變化：M9 等級覆銅板階段，行業原本強制配套第三代低介 Q/NEZ 玻纖；但樹脂端技術迭代突破，NER 玻纖即可滿足指標，產品生命週期大幅拉長；

海外競品追趕速度超預期，但 AI 市場增量空間極大，單一廠商無法完全供給，同業擴產對整體行業並非利空；

PTFE 材料威脅有限：PTFE 剛性不足、板材易翹曲，量產匯入門檻高，難以完全替代低介玻纖。

JX 金屬（光電 / 金屬靶材 / 鉭粉龍頭）

6 月 16 日公告：至 2031 財年 3 月末，InP 基板產能擴充至現有最高 10 倍。需求上修：原預期年增速 25%，當前上調至 30%-40%。需求邏輯：2026 年資料中心僅機櫃間、跨機房使用光通訊；2028 年後伺服器內部、機櫃內部電互聯全面轉向光互聯，光收發模組需求爆發，拉動 InP 基板持續放量；市場實際需求或超過 10 倍擴產產能。資本開支：累計約 1450 億日元，公司希望快速收回投資，定價策略優先順序顯著提升。我們獨立預判，後續價格談判或實現 2-3 倍漲價幅度。

未來 GPU 最大熱功耗（TDP）將提升至當前 3 倍，峰值功耗擴大 8 倍；伺服器供電穩定性要求激增，鉭粉、鉭電容需求迎來爆髮式增長。

現有垂直磁記錄（PMR）市場份額 50%-60%，新一代熱輔助磁記錄 HAMR 領域市佔率進一步提升，全球龍頭地位穩固。

旗下 METEORWAVE 系列覆銅板面向 PCB 廠商供貨：

基礎款採用自研 PPE 聚苯醚樹脂；

高端 ELL 系列搭載自研碳氫樹脂，無需 Q 玻纖，搭配第二代 NER 低介玻纖即可達標，與日東紡 NER 生命週期延長邏輯相互印證。ELL 產品當前用於 1.6T 交換機（224Gbps×8 通道）客戶驗證。自研低介氟樹脂：分子結構接近 PTFE，但規避 PTFE 層間難粘合的缺陷，無需粘接層即可多層復合，現已向覆銅板廠商送樣評測。

聚酰亞胺 PI 樹脂是先進封裝 CoWoS-S/R/L 全代際核心重布線（RDL）材料，頭部客戶獨家高份額供貨，供給嚴重跟不上需求，公司提前推進擴產。CoWoS 迭代層數持續增加，直接拉動 RDL 樹脂需求持續擴容。玻纖佈局：新增第二代低介 L 玻纖紗供應商，提升採購量；低 CTE 玻纖樣品已交付客戶，預計 2027-2028 財年實現量產。公司 “纖維 + 化工” 一體化技術壁壘突出，客戶優先選擇第二代低介玻纖，Q 玻纖需求逐步萎縮，與日東紡、AGC 判斷一致。

三井金屬（超薄銅箔 / 超低輪廓銅箔 HVLP）

Micro Thin 超薄銅箔：傳統手機主機板、儲存需求穩定，新增光模組 PCB 需求快速放量。HVLP 超低粗糙度銅箔：HVLP4 規格行業第一，HVLP5 市佔率 80%，高速高頻 PCB 核心材料。

PTFE 材料行業共性痛點（JPCA 展會調研）

PTFE 擁有行業頂級低 Dk、低 Df 介電性能，是高速大容量低延遲 PCB 理想基材，但四大硬缺陷限制量產普及：

剛性差，大尺寸板材極易翹曲變形；

表面能極低，多層壓合時層間粘接難度大；

熱膨脹係數（CTE）高，受熱形變嚴重；

解決方案：基材填充低膨脹填料改善剛性與熱穩定性，行業正在研發改良配方。

圖表 3. JX 金屬在資料中心（尤其是 AI 伺服器）中的產品展開

圖表 4. 具有低介電特性的樹脂與 OPE 的採用領域

圖表 5. AGC 的半導體封裝用解決方案

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