6 月中旬，花旗與多家日本頭部 AI 材料企業事業部高管開展深度訪談，包括三菱瓦斯化學、日東紡、JX 金屬、旭化成、三井金屬，同時跟進了 AGC 半導體說明會、2026 日本電子電路展（JPCA）PTFE 專題論壇，完整梳理產業鏈現狀。

日本企業核心優勢：本次溝通覆蓋業務一線管理層（不侷限 IR 投資者關係部門），全行業均強調 AI 上游材料需求持續超預期，需求景氣度具備強確定性；實地訪談再次驗證日本在電子基材、半導體核心材料領域的頂尖技術壁壘，當前全球 AI 供應鏈底層核心基材基本由日系企業供給支撐，產業鏈不可替代性極強。

痛點 1：定價策略偏保守，議價力度不足

資本市場普遍反饋日系材料廠商價格談判態度消極，投資者存在明顯不滿情緒。我們已於 6 月 17 日發佈宏觀轉微觀專題《漲價新時代：價格轉嫁開啟日本良性經濟循環》，報告指出日本全行業漲價意願正在抬升，但對比海外競品，化工材料企業定價思路依舊保守。當前 AI 核心基材供需極度緊張，產品屬於產業鏈剛需，疊加全社會成本轉嫁已成常態，企業理應主動追求更高盈利彈性。正面案例：JX 金屬6 月 16 日 JX 金屬宣佈磷化銦（InP）基板產能最高擴產至當前 10 倍。我們判斷公司後續將採取遠超歷史幅度的漲價談判策略；海外投資者普遍給出正面反饋，評價其擴產與定價策略 “一改傳統日系保守風格，進攻性極強”。

痛點 2：下游終端需求洞察能力薄弱

日系企業多為上游原材料廠商，僅能直接感知一級客戶訂單，難以穿透至二級客戶、終端整機的真實需求與技術迭代趨勢。一線管理層普遍反映存在資訊盲區：終端產品結構佔比不明、需求爆發的底層邏輯無法清晰拆解。若能強化下游趨勢研判能力，可提前啟動下一代材料研發，同時規避行業虛假繁榮、重複下單帶來的產能過剩風險。

公司 BT 樹脂全新 RS 規格客戶驗證進展順利，我們判斷該材料在 GPU 用 FC-BGA 封裝基板上匯入確定性極高。歷史阻礙：RS 材低熱膨脹係數（Low CTE）、低介電常數（Low Dk）等基礎物性長期優於競品，但半導體行業替換新材料意願低、量產驗證案例少，是切入 BGA 市場最大門檻。行業變化：過去 1-2 年低 CTE 玻纖布供給持續緊缺，全產業鏈加速尋找替代基材；BT 樹脂本身性能優勢突出，替代窗口全面打開。產品佈局雙線平行：

RS 樹脂 + E 玻纖：面向交換機、電源管理晶片（PMIC）市場；

RS 樹脂 + 低 CTE 玻纖：主攻 BGA 封裝基板，搶佔市場份額。配套低 CTE 玻纖的備選供應商開發、匯入同步推進。OPE 改性聚苯醚新品研發落地：目標實現碳氫樹脂、PTFE 級超低介電損耗（Df），性能超越現有 PPE 體系材料，現已送出樣品給客戶驗證。

各品類供需緊張程度排序：T 玻纖（低 CTE 封裝布）＞第二代低介電 NER 玻纖＞第一代低介電 NE 玻纖。

T 玻纖：行業共識僅日東紡可穩定供貨，下游需求持續上行，公司正在評估新一輪擴產，同步配套強勢價格談判；

NER 第二代低介玻纖：產品生命週期、下游市場規模遠超最初預期。技術變化：M9 等級覆銅板階段，行業原本強制配套第三代低介 Q/NEZ 玻纖；但樹脂端技術迭代突破，NER 玻纖即可滿足指標，產品生命週期大幅拉長；

海外競品追趕速度超預期，但 AI 市場增量空間極大，單一廠商無法完全供給，同業擴產對整體行業並非利空；

PTFE 材料威脅有限：PTFE 剛性不足、板材易翹曲，量產匯入門檻高，難以完全替代低介玻纖。

JX 金屬（光電 / 金屬靶材 / 鉭粉龍頭）

6 月 16 日公告：至 2031 財年 3 月末，InP 基板產能擴充至現有最高 10 倍。需求上修：原預期年增速 25%，當前上調至 30%-40%。需求邏輯：2026 年資料中心僅機櫃間、跨機房使用光通訊；2028 年後伺服器內部、機櫃內部電互聯全面轉向光互聯，光收發模組需求爆發，拉動 InP 基板持續放量；市場實際需求或超過 10 倍擴產產能。資本開支：累計約 1450 億日元，公司希望快速收回投資，定價策略優先順序顯著提升。我們獨立預判，後續價格談判或實現 2-3 倍漲價幅度。

未來 GPU 最大熱功耗（TDP）將提升至當前 3 倍，峰值功耗擴大 8 倍；伺服器供電穩定性要求激增，鉭粉、鉭電容需求迎來爆髮式增長。

現有垂直磁記錄（PMR）市場份額 50%-60%，新一代熱輔助磁記錄 HAMR 領域市佔率進一步提升，全球龍頭地位穩固。

旗下 METEORWAVE 系列覆銅板面向 PCB 廠商供貨：

基礎款採用自研 PPE 聚苯醚樹脂；

高端 ELL 系列搭載自研碳氫樹脂，無需 Q 玻纖，搭配第二代 NER 低介玻纖即可達標，與日東紡 NER 生命週期延長邏輯相互印證。ELL 產品當前用於 1.6T 交換機（224Gbps×8 通道）客戶驗證。自研低介氟樹脂：分子結構接近 PTFE，但規避 PTFE 層間難粘合的缺陷，無需粘接層即可多層復合，現已向覆銅板廠商送樣評測。

聚酰亞胺 PI 樹脂是先進封裝 CoWoS-S/R/L 全代際核心重布線（RDL）材料，頭部客戶獨家高份額供貨，供給嚴重跟不上需求，公司提前推進擴產。CoWoS 迭代層數持續增加，直接拉動 RDL 樹脂需求持續擴容。玻纖佈局：新增第二代低介 L 玻纖紗供應商，提升採購量；低 CTE 玻纖樣品已交付客戶，預計 2027-2028 財年實現量產。公司 “纖維 + 化工” 一體化技術壁壘突出，客戶優先選擇第二代低介玻纖，Q 玻纖需求逐步萎縮，與日東紡、AGC 判斷一致。

三井金屬（超薄銅箔 / 超低輪廓銅箔 HVLP）

Micro Thin 超薄銅箔：傳統手機主機板、儲存需求穩定，新增光模組 PCB 需求快速放量。HVLP 超低粗糙度銅箔：HVLP4 規格行業第一，HVLP5 市佔率 80%，高速高頻 PCB 核心材料。

PTFE 材料行業共性痛點（JPCA 展會調研）

PTFE 擁有行業頂級低 Dk、低 Df 介電性能，是高速大容量低延遲 PCB 理想基材，但四大硬缺陷限制量產普及：

剛性差，大尺寸板材極易翹曲變形；

表面能極低，多層壓合時層間粘接難度大；

熱膨脹係數（CTE）高，受熱形變嚴重；

解決方案：基材填充低膨脹填料改善剛性與熱穩定性，行業正在研發改良配方。

圖表 3. JX 金屬在資料中心（尤其是 AI 伺服器）中的產品展開

圖表 4. 具有低介電特性的樹脂與 OPE 的採用領域

圖表 5. AGC 的半導體封裝用解決方案

眼下全球市場迎來新變化，美伊敲定協議文字，將於6月19日正式簽署和平備忘錄，地緣風險大幅降溫，市場整體風險偏好明顯提升。

但行情分化十分明顯，正如我們在上週在《AI光電歇息+材料縮圈後，國產半導體扛起科技牛？》中強調的：傳統能源、消費、地產大金融等“碳基”資產反彈只會成為血包，不要切換過去成短期接盤陷阱，而我們一直強調主流資金會持續抱團在高景氣度、優業績和高賺錢效應的AI硅基賽道，這條主線將持續牢牢佔據科技牛市的絕對C位。

此前短暫休整的光通訊板塊，如今再度回暖，NPO、MPO、CPO、DSP等相關標的集體發力，重拾上漲勢頭。

而近期有個必須關注的重要市場訊號，作為光之國，我們的9個AI核心硬資產也被海外玩家盯上了，我們千萬要抱緊發揮好自己的主場優勢：

美東時間2026年6月10日，海外槓桿ETF發行商ProShares集中向美國SEC遞交9只單日2倍做多槓桿ETF註冊申請:中際旭創、新易盛、天孚通訊、工業富聯、立訊精密、寧德時代、兆易創新、海光資訊、寒武紀。

而比光通訊走勢更強的，是AI上游各類核心材料（但是有色金屬短期還是會被“含碳量”拖累），堪稱近期市場的最強風口。

PCB板塊的CCL覆銅板、電子布、高端銅箔接連走高，MLCC、超級電容等被動電容價格持續上行，磷化銦、六氟化鎢、高純靶材、鎢合金等半導體材料更是走出翻倍行情。

反映到指數上，科創新材料ETF、光通訊ETF、科創100ETF輪番領漲，資金扎堆硅基產業鏈內部輪動，做多情緒十分濃厚。

在AI全鏈條火熱的大背景下，有一個板塊卻一直處於蟄伏狀態，那就是AIDC電力裝置、電網配套板塊。前段時間，受資料中心建設節奏、電網招標進度放緩，再加上上游原材料漲價影響，AI電力相關標的走勢偏弱，調整也比較充分。

但當下拐點已經臨近。AI算力的核心矛盾早已悄然轉變，算力規模越龐大，電力供給的卡點就越突出。國內DeepSeek等頭部AI企業已經著手佈局GW級超大型資料中心，行業算力軍備競賽再度升級。

與此同時，5月15日華為正式亮出SST固態變壓器戰略，為AI供電技術指明方向。

多重利好疊加上下，前期充分調整的AI電網、SST、HVDC高壓直流賽道，迎來了難得的佈局窗口。

接下來我們具體聊聊AI電力賽道的產業現狀、核心邏輯和細分機會，幫大家理清思路。

先看整體產業邏輯。如今AI伺服器單機功耗動輒上千瓦，傳統工頻變壓器、老舊配電架構早已不堪重負。

傳統供電線路轉換環節多、電能損耗大，還存在佔地過多、負載響應遲緩等問題，根本匹配不了AI叢集毫秒級的功率波動。

而“算電協同”早已被納入新基建重點，資料中心降本、提效、低碳的需求，倒逼供電技術全面革新，SST和HVDC正是當下兩大核心解決方案。

目前整個產業落地節奏在持續加快。2026年以來，伊頓、特銳德、中國西電、四方股份等國內外廠商密集發佈新一代SST產品，產品效率、功率密度大幅提升，部分裝置已經投入示範運行。HVDC高壓直流架構也被位元組、輝達等巨頭認定為下一代資料中心主流方案，800V高壓直流路線逐步從試點走向規模化應用。

簡單區分兩個方向：HVDC高壓直流偏向短期過渡方案，技術成熟、落地快，能快速改造現有資料中心，短期內訂單釋放會很集中；SST固態變壓器則是行業終極形態，用半導體器件替代傳統鐵芯銅線，實現中壓電一步轉換為高壓直流電，體積縮水一半以上，電能轉化效率突破98%，還能相容光伏、儲能，長期想像空間拉滿。

結合細分賽道和核心標的來看，主要分為三大類
（相關個股僅供學習交流，不構成任何投資建議）

第一類是SST整機廠商，也是產業鏈核心環節。

這類企業掌握系統整合與項目落地能力，先發優勢顯著。四方股份早在今年4月就推出資料中心專用SST產品並實現量產，在配網、微電網領域落地案例豐富；金盤科技攻克高頻隔離、全SiC核心技術，產品通過海外認證，出海進度領先；特銳德推出“算電島”預製艙方案，大幅縮短變電站建設週期，適配算力中心快速建設需求；陽光電源依託光儲領域技術積累，穩步推進SST產品研發，客戶資源紮實。

第二類是HVDC高壓直流裝置企業。該路線落地節奏更快，短期業績兌現能力強。

麥格米特打造了從高壓轉換到終端供電的完整產品矩陣，海外客戶訂單持續放量；科士達、科華資料深耕資料電源多年，800V高壓直流產品逐步切入頭部雲廠商供應鏈，受益於老舊機房改造和新機房建設雙重需求。其中科士達：全球核心AIDC電源供應商，率先完成800V HVDC產品迭代，適配AI高功率機櫃需求。產能充足可承接頭部雲廠商訂單，海外算力訂單持續放量，疊加光儲雙重成長屬性，業績確定性高，是HVDC賽道穩健核心標的。中恆電氣：國內HVDC行業龍頭、標準制定單位，智算中心市佔率超30%。自研800V高壓直流模組節能、省空間，精準適配AI算力中心痛點。疊加寧德時代戰略加持，深度受益國內超大規模資料中心建設。

第三類是上游核心零部件，屬於產業鏈隱形受益環節。SST、HVDC的普及，直接帶動高頻磁性元件、碳化硅功率器件、高端電容需求。

可立克、京泉華專注高頻變壓器、電感等磁性元件，深度繫結頭部電源廠商；江海股份的超級電容、薄膜電容適配AI資料中心瞬時功率補償場景，供需缺口明顯；天岳先進作為碳化硅襯底龍頭，卡位第三代半導體賽道，充分受益功率器件放量。

放眼整個AI大行情，內部輪動的大趨勢不會改變。目前AI光電、上游材料、國產半導體裝置依舊是市場主線，短期熱度不會消退。但很多材料、光通訊標的經過連續上漲，估值和位置都不低，後續分化會加劇，盲目追高風險也不小。

反觀AI電力板塊，經過前期深度調整，估值處於低位，又疊加算力擴容、技術迭代、政策扶持多重利好，屬於典型的“低位+高景氣”組合。資金在硅基內部完成一輪輪切換後，電力基建接力上漲是大機率事件。

切記不要陷入“傳統碳基資產再平衡”的誤區，當前市場主線清晰，資金始終圍繞AI硅基產業鏈做輪動。AI材料、光通訊、儲存、半導體裝置草銨膦是當前熱門，而SST、HVDC等AI電力會是下一個潛力爆發點，提前佈局才能把握新一輪行情。  (格隆匯APP)

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