近日，西安紫光國芯半導體股份有限公司（下稱紫光國芯）向北交所遞交招股書並獲受理，保薦機構為中信建投證券。

沿著股權鏈往上看，紫光國芯控股股東為北京紫光儲存，持股比例為59.63%。後者由新紫光集團100%持有。而新紫光集團的董事長，是曾參與多起半導體併購投資的李濱。

再往前追溯，則是那場曾牽動半導體產業和資本市場神經的紫光集團重整。

如今，李濱掌舵的新紫光，把旗下DRAM（動態隨機存取儲存器）資產推向北交所。紫光國芯要講的故事，也從單純的國產儲存替代，變成了紫光重整之後的一次資本市場再定價。

但要打好這張牌並不輕鬆。2023年、2024年，紫光國芯連續虧損。直到2025年，開始扭虧。2026年一季度，該公司淨利潤達到2.76億元。

這意味著，紫光國芯此次闖關北交所，不只是一次上市申報，也是一場關於新紫光重整成色、DRAM周期彈性和國產儲存資產商業化能力的考試。

紫光集團1988年創辦，旗下有紫光股份、紫光國微等多家上市公司。截至7月3日，紫光股份市值為866億元，紫光國微市值695億元。

紫光國芯選擇在此時遞表，首先踩中的是DRAM周期回暖窗口。

招股書顯示，紫光國芯是一家以DRAM技術為核心的產品和服務提供商，採用Fabless模式，核心業務包括儲存產品研發、銷售和積體電路設計服務，產品覆蓋晶圓、晶片、系統產品等形態。

這類公司天然吃周期飯。行業上行時，價格、銷量、毛利率會同步改善；行業下行時，庫存、跌價、現金流壓力也會集中暴露。

紫光國芯過去三年的業績，正好是一條典型的周期曲線。

2023年至2025年，該公司營業收入分別為9.12億元、11.82億元和18.3億元；毛利率分別為11.55%、19.01%和22.98%；淨利潤分別為-2.02億元、-2874.23萬元和1.12億元。

換句話說，2023年公司仍處在儲存行業下行周期的壓力裡，2024年虧損縮小，2025年才真正完成扭虧。

更值得關注的是2026年上半年業績預告，紫光國芯營收預計21.86億~24.16億元，歸母淨利潤為6.16億~6.81億元，漲幅超107倍，僅半年淨利潤已遠超2025全年。

這也解釋了它為何此時衝刺北交所。

招股書顯示，紫光國芯選擇適用北交所上市規則中“預計市值不低於2億元，最近一年淨利潤不低於2500萬元且加權平均淨資產收益率不低於8%”的上市標準。2025年，公司扣非後歸母淨利潤為1.01億元，扣非後加權平均淨資產收益率為12.48%。

2026年的資料則進一步放大了這種反轉感。一季度，該公司實現營業收入8.68億元，同比增長232.14%；實現淨利潤2.76億元。

該公司還預計，2026年上半年營業收入為21.86億元至24.16億元，歸母淨利潤為6.16億元至6.81億元。

這是一份適合IPO敘事的成績單。

但問題也在這裡。紫光國芯的吸引力來自周期，風險同樣來自周期。招股書提示，若未來DRAM需求不及預期、供給端擴產釋放產能，或宏觀經濟波動導致市場需求萎縮，公司未來業績可能再次下滑甚至虧損。

對北交所而言，這是硬科技公司的成長性。對投資者而言，則是儲存晶片公司繞不開的強波動。

紫光國芯的故事，不能只看一家公司。它真正的戲劇性，藏在紫光集團的前後兩段歷史裡。

2009年後，紫光集團開始以高舉高打的方式進入半導體產業，先後圍繞晶片設計、儲存、通訊等領域擴張。那一時期，紫光集團一度是中國半導體產業最具辨識度的資本平台之一。

但高槓桿擴張最終沒有持續下去。2021年7月，紫光集團進入破產重整程序。此後，智路資本和建廣資產聯合體成為重整戰略投資人，並設立智廣芯承接紫光集團股權。

公開資料顯示，戰投方曾向債權人承諾的600億元投資款到位，紫光集團完成重整交割。

新紫光時代的主角，換成了李濱。新紫光集團官網顯示，李濱畢業於清華大學經濟管理學院，曾任中芯國際高管、安世半導體董事長、瑞士富巴董事長等，現任新紫光集團董事長。官網還稱，其曾主導多起過百億元的大型半導體及核心技術產業跨境併購投資與投後管理。

這也是紫光國芯此次上市最具故事性的地方。它不是一家孤立的北交所申報企業，而是新紫光體系裡一塊正在被重新推向資本市場的DRAM資產。

不過，必須注意邊界。招股書披露，紫光國芯控股股東為北京紫光儲存，紫光儲存是新紫光集團的全資子公司，而新紫光集團由智廣芯100%持有。由於智廣芯股權分佈較為分散，不存在單一股東或存在一致行動關係的股東控制股東會、董事會和管理層的情形，因此紫光國芯無實際控制人。

也就是說，這不是一個“某位富豪實控公司”的傳統敘事。

更準確的說法是，在李濱掌舵的新紫光體系裡，紫光國芯是率先衝刺北交所的儲存晶片資產之一。

而資本市場真正要看的，也正是重整之後的新紫光，能否把昔日龐雜的半導體版圖，重新拆解成一個個能夠獨立融資、獨立盈利、獨立接受估值的產業單元。

如果說遞表北交所是紫光國芯的資本動作，那麼募資投向就是它的產業答案。

招股書顯示，紫光國芯本次擬募集資金11.5億元，投向四個方向，包括：新一代標準儲存器研發及產業化項目擬投入約5.17億元、新一代定製儲存器研發及產業化項目擬投入約2.2億元、新一代儲存模組研發及產業化項目擬投入約1.7億元、補充流動資金擬投入2.6億元。

這組安排很直接：一邊投研發和產業化，一邊補現金流。

標準儲存器、定製儲存器、儲存模組，對應的是紫光國芯希望繼續擴展的產品矩陣。

該公司稱，其已形成DRAM晶圓、晶片和系統三大核心品類，覆蓋多介面、多容量、多規格產品，主要面向通訊、物聯網、AI、車規等領域。

但對一家Fabless儲存晶片企業來說，產品矩陣越鋪開，對資金和供應鏈管理的要求也越高。

紫光國芯自己也把現金流風險寫進了招股書。

2023年至2025年，公司經營活動產生的現金流量淨額分別為-1.49億元、-5777.93萬元和-1505.05萬元。

這是一種典型的儲存周期難題。景氣向上時，企業必須搶訂單、搶產能、搶備貨；景氣向下時，庫存又可能變成減值壓力。增長越快，對資金周轉的要求越高。

因此，紫光國芯此次募資不只是為了擴大研發，更像是為下一輪周期準備彈藥。

接下來，市場關注的核心問題也會更具體：2025年的盈利是否具有可持續性，2026年的業績高增是否主要受周期推動，客戶和供應鏈是否足夠穩定，公司能否在持續研發、持續備貨的同時改善經營性現金流等。

這也是新紫光必須回答的問題。

紫光國芯闖關北交所，正是其中一個觀察窗口。風口給了它上市的時機，但真正決定估值的，是它能不能在風停之後繼續賺錢。 (21世紀經濟報導)

6月30日，中國證監會政務服務平台·公開發行輔導公示專欄資訊顯示，西安紫光國芯半導體股份有限公司（下稱“紫光國芯”）向北交所提交招股書，正式啟動登陸北交所的程序，輔導機構為中信建投證券。

消息本身並不算意外。過去一年，DRAM現貨價格幾度走高，儲存板塊成為A股二級市場為數不多兼具週期彈性與產業邏輯的題材，國內廠商集體向資本市場靠攏。長鑫儲存正推進其科創板上市，兆易創新、北京君正、東芯股份此前已分別完成上市動作，紫光國芯遞出材料，更像是這一輪浪潮裡既定的一環。

紫光國芯的故事開端要追溯到2004年。那一年，德國半導體公司英飛凌在西安建立研發中心，把儲存事業部安置於此。這是當時少數幾個落在西部內陸的跨國半導體研發節點，團隊從無到有搭建起一套面向DRAM的設計能力。

兩年後，儲存業務從英飛凌分拆出來成立奇夢達，西安研發中心也隨之轉入新的母體。接著是產業史裡熟悉的一段：2009年金融危機後，奇夢達走向破產，西安這邊的研發部門被浪潮集團接走，更名西安華芯半導體，從此完成了從外資到本土的身份切換。

這場接力還沒結束。2015年，紫光集團旗下紫光國芯微電子收購了西安華芯，將其改名為今天的西安紫光國芯。2022年新紫光集團接手後，國有資本與產業資本相繼入股，發展至今。

把這段歷史放回中國半導體產業的整體節奏看，它並不孤立。一批從外資體系剝離、由本土資本接續的設計公司，構成了今天國產積體電路設計陣營的底層。紫光國芯的特殊之處在於，它接住的是英飛凌、奇夢達體系下完整的DRAM設計團隊，而DRAM恰好是國產化最慢、技術門檻最高的儲存品類之一。在大多數本土DRAM公司起步階段都要從韓國、台灣地區挖人才補技術經驗的年代，這支隊伍是國內為數不多自然延續下來的存量。

紫光國芯是全球首家將片內ECC（On-die ECC）從概念推向商用的DRAM設計公司，這一技術後來被納入JEDEC的LPDDR4國際標準。在DRAM這種幾乎所有規範都由韓美廠商主導的賽道里，一項來自中國廠商的設計功能領先國際標準，並不常見。

另一項被反覆提及的技術是堆疊大頻寬DRAM（SeDRAM），是國內最早實現落地量產的三維堆疊DRAM方案，目前已經迭代到第五代。方案的核心思路是把多顆DRAM芯粒通過WoW（Wafer on Wafer）先進整合堆疊起來，實現滿足應用需求的高頻寬與大容量。這一路徑與HBM原理相通，但產品定位有所不同：HBM服務於GPU等高算力晶片，SeDRAM切入的方向更偏向有特定頻寬與功耗約束的細分場景。

圍繞DRAM主線，紫光國芯還佈局了車規、KGD、CXL等多個產品方向。它的國內首款車規級LPDDR4X，累計出貨量達數百萬顆；它是國內唯一一家提供中小容量KGD DRAM的企業，已實現全系列、全容量覆蓋，累計出貨量突破數億顆；面向高性能計算的CXL記憶體擴展主控技術也已進入產品化階段。累計二十餘款晶片、四十餘款模組在全球量產銷售，業務覆蓋電腦、伺服器、消費電子和工業控制。

放在國內同業裡橫向比較，紫光國芯的產品技術更聚焦。兆易創新橫跨NOR、NAND、DRAM、MCU等多條線，北京君正也覆蓋了儲存晶片、計算SoC晶片等業務；東芯股份與紫光國芯品類有重合，但偏重中小容量FLASH；瀾起科技走DDR記憶體介面與PCIe Switch路線，與DRAM設計是協同配套關係。紫光國芯幾乎所有研發方向都圍繞DRAM展開，這種對技術的聚焦在國內極少見。

外界對國產DRAM的關注，長期被長鑫儲存吸走。長鑫走的是IDM路線，從設計到晶圓製造一手承擔，對應的是DRAM行業過去的主導模式。三星、SK海力士、美光都是這套模式的樣本。

紫光國芯走的是另一條路。不自建晶圓廠，專注晶片設計與產品定義，把製造交給晶圓代工廠，這是典型的Fabless模式。國內目前在A股、港股上市或擬上市的儲存設計公司，包括兆易創新、北京君正、東芯股份在內，幾乎都採用這一模式。把範圍放到全球，過去十年Fabless儲存設計公司在NOR Flash、利基型DRAM等細分市場湧現出一批中等規模玩家。

IDM與Fabless的分野，並不在高下，而在產品邏輯與市場定位的不同。

IDM以重資產換規模，做的是DDR4、DDR5、LPDDR5這類規格高度統一的標準品，核心命題是把巨額產能填滿、把單位成本壓到最低。其產品節奏跟隨大客戶路線圖走。

Fabless則把主要資源投向設計與產品定義環節，研發的創新性、迭代的靈活性以及對客戶特定需求的貼合度，是這一模式最核心的資產。立項一款新品的代價更低、轉向也更快，使得Fabless廠商能更靈活地切入主流之外的細分市場——那些規格不統一、單一批次有限、卻願意為差異化付溢價的需求。

紫光國芯現有的技術和產品方向，恰好都落在第二類。車規DRAM對可靠性與生命週期承諾要求嚴苛，單顆利潤高、出貨量穩定；KGD面向需要自主封裝的客戶，主流IDM廠商一般不願單獨供給；面向大模型場景的三維堆疊DRAM方案，則是在HBM主線之外切出的一條差異化路徑。

AI算力的到來，並沒有讓兩種模式分出勝負，反而把分工顯得更清楚。一頭是被HBM和高規格DDR5佔據的標準品戰場，IDM繼續憑藉產能規模與先進工藝迭代取勝，做的仍是大批次、大宗的生意；另一頭是AI應用擴散後湧現的大量碎片化、定製化、對頻寬與功耗有特殊要求的需求。Fabless更早察覺、更快立項、也更敢試錯。兩條路線並非替代關係，而是各自承擔AI儲存版圖中的不同一側。

2025年到2026年的DRAM市場，正在經歷過去十年最強的一輪上行。

支撐這一輪週期的，不再是消費電子的季節性回暖，而是AI算力對記憶體的結構性渴望。美銀證券預計2026年全球超大規模雲廠商資本開支將超過8000億美元，全年生產的記憶體近七成將被資料中心消化，部分產能已被長期協議鎖定至2028年。三星、SK海力士、美光把先進產能優先轉向HBM和高規格DDR5，留給通用型DRAM和利基品類的供給被顯著擠壓，市場更像在做一次結構性重估。

A股反應同樣劇烈。2026年一季度，兆易創新歸母淨利潤同比增長522.79%，江波龍增長2644%，佰維儲存扭虧為盈；今年以來，兆易創新、江波龍、佰維儲存、香農芯創等儲存產業鏈公司股價相繼創出歷史新高，資金湧入建立在業績兌現與供需缺口之上。

政策面也給出同向支援。科創板八條、新國九條把積體電路尤其是儲存晶片列為資本市場重點服務對象；第五套上市標準擴圍、IPO預先審閱機制，是為硬科技企業搭建的一整套資本通道。北交所2025年也完成從小而美到強而優的升級，A股正在為有核心技術、有產業戰略價值的硬科技公司打開更寬的門。

把政策線、產業線、資金線疊加看，紫光國芯在此時啟動北交所IPO，時點上的契合度相當高。它處於一個國家戰略需要補足的賽道，有二十年的技術積累與已經形成的產品出貨能力，落在了北交所對強而優企業的畫像之內。

從英飛凌的研發分支走到北交所門口，紫光國芯的故事在國產半導體裡不算極速版本，卻走完了一條相對完整的產業鏈路徑：技術引進、本土化、資本重組、自主研發、產品迭代，再到資本化。這條路徑在A股市場上正在變得越來越稀缺。   (半導體行業觀察)

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