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光模組裡最貴的一個環節： 雷射器晶片，為什麼這麼難做，一文看懂

光模組系列 · 模仿就是妥協出品 從 DFB 到 EML，把原理、卡點和國產突圍講明白 朋友們大家周末好！ 前面幾篇我們把光模組裡的FAU、微透鏡這些小器件拆完了。今天來講整個上游最核心的環節——雷射器晶片，也就是業內說的"光晶片"。
光模組裡最貴的一個環節： 雷射器晶片，為什麼這麼難做，一文看懂
科技#光模組#雷射器晶片#FAU
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野村：市場低估了 CPO應用的進展，scale-up雷射器需求是scale-out 的 5-10倍！

CPO在 scale-up 網路中的雷射器需求，可能達到 scale-out 的 5-10 倍 光器件及光模組公司 Lumentum 於8月17日舉行投資者說明會，光模組及光器件公司 AAOI於8月18日舉行投資者說明會。Lumentum 表示，以每顆GPU計算，CPO（共封裝光學）中的光器件等雷射產品需求，在 scale-up（主要指機架內部的光連接）場景下預計將是 scale-out（主要指機架之間的光連接）的5-10倍（見圖1）。 考慮到康寧等公司此前已經指出，隨著 scale-up 光互連推進，所需光纖數量將大幅增加（見圖2），這一結論本身並不令我們意外；但它為電線電纜公司在這一領域的巨大商業機會提供了新的證據。在我們覆蓋的三家電線電纜公司中，我們認為住友電工將最受益於CPO在光連接產品和光器件領域應用的擴大（見圖3）。從AAOI的表態來看，我們的印象是，該公司正與多家超大規模資料中心客戶進行較深入的討論，以推動CPO市場擴大。 Lumentum長期合同佔比與住友電工光器件業務並無太大差異
野村：市場低估了 CPO應用的進展，scale-up雷射器需求是scale-out 的 5-10倍！
科技#CPO#野村證券#雷射器
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從Pluggable到CPO：AI光互連迎來架構革命，矽光、雷射器、先進封裝產業鏈全面重構！

最近幾年，AI算力一路狂飆，GPU越來越快、叢集規模越來越大，但真正限制下一代AI資料中心繼續擴張的，已經不只是算力本身，而是晶片之間的資料怎麼傳得更快、更遠、更省電。 當單通道速率邁向200G、400G，傳統銅互連正在撞上物理極限，而可插拔光模組的功耗也越來越難忽視。也正是在這樣的背景下，Co-Packaged Optics（CPO，共封裝光學）開始從概念走向真正的產業化拐點。 小編就結合這份報告，帶大家系統看懂CPO為什麼會成為AI高密度互連的重要方向，以及它背後的Silicon Photonics、PIC/EIC、External Laser、FAU、3D封裝與Hybrid Bonding等關鍵技術，進一步看看這場光互連架構升級，究竟會如何重塑下一代AI資料中心和整個光通訊產業鏈。 一、這份材料真正想說明什麼？
從Pluggable到CPO：AI光互連迎來架構革命，矽光、雷射器、先進封裝產業鏈全面重構！
科技#AI資料中心#光互連#矽光
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CPO產業鏈加速崛起：光引擎、雷射器、矽光、先進封裝與測試迎來黃金周期

過去幾年，AI算力的爆發推動了資料中心基礎設施迎來前所未有的升級。從GPU性能提升，到HBM高速記憶體，再到先進封裝技術演進，整個產業鏈都在圍繞“更強算力、更高頻寬、更低功耗”展開競爭。 但隨著AI模型規模不斷擴大，資料中心正在面臨新的挑戰：算力晶片越來越強，資料傳輸卻逐漸成為新的瓶頸。 傳統可插拔光模組雖然長期支撐了資料中心通訊發展，但隨著交換晶片速率不斷提升，SerDes高速電訊號傳輸帶來的功耗、損耗和擴展限制正在逐漸顯現。如何突破光互連瓶頸，成為下一代AI基礎設施必須解決的問題。 在這樣的背景下，CPO（Co-Packaged Optics，光電共封裝）技術正在走向產業舞台中央。它通過將光引擎與交換ASIC晶片進行高度整合，實現光電融合，不僅能夠縮短電訊號傳輸距離，還能提升頻寬密度、降低資料傳輸功耗，被認為是未來AI資料中心光互連的重要發展方向。
CPO產業鏈加速崛起：光引擎、雷射器、矽光、先進封裝與測試迎來黃金周期
科技#CPO#光引擎#雷射器
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本周，準備打新“光”和“芯”！

本周，A股“光”和“芯”新股都來了！8月3日周一可申購的北交所新股傑理科技，被稱為北交所“晶片設計第一股”；8月7日周五可申購的上交所科創板新股頻准雷射，被稱為A股“精準雷射器第一股”。 藍牙耳機晶片龍頭今日申購 傑理科技是一家專注於系統級晶片（SoC）的積體電路設計企業，主要面向藍牙音視訊、智能穿戴、智能物聯終端等領域，為全球市場提供高規格、高靈活性與高整合度的晶片產品，是工業和資訊化部認定的國家級“製造業單項冠軍”企業。 技術方面，傑理科技成立至今，從設計僅包含單一音訊模組的主控晶片，逐步引入射頻、視訊、資訊採集及處理等技術模組，並對技術模組進行深入研究和交叉復用，逐步形成了品類豐富的SoC晶片產品線。憑藉優秀的技術研發團隊、強大的技術創新能力和在積體電路設計領域長期積累的開發經驗，公司在架構設計技術、低功耗技術、射頻技術、音訊技術、視訊技術、智能應用技術等領域形成了多項核心技術。截至2025年末，傑理科技擁有授權發明專利398項（含9項境外發明專利）、積體電路布圖設計66項以及軟體著作權205項。
本周，準備打新“光”和“芯”！
A股#上交所#科創板#傑理科技
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光刻機"卡脖子"3大件突破 傳聞量產計畫已出

01 光刻機進展眾所周知，在EUV光刻機當中，有著三大核心，分別是雙工作台、投影物鏡系統、極紫外線光源、。國內光刻機在雙工台上已經有了進展，華卓精科在2016年的樣機就通過02專項驗收，成為全球第二家掌握該技術的公司，達到了國際水平。干涉儀是光學干涉測量裝置，其能夠基於光的干涉原理，完成線性尺寸、角度以及幾個特徵的精準測量工作。目前在EUV光刻機當中，雷射干涉儀精準度需要達到0.1奈米等級。EUV光刻物鏡裝調干涉儀，從名字不難看出，主要用於光刻物鏡的精密裝配、校準與性能檢測，屬於光刻物鏡系統的關鍵檢測裝置。是投影物鏡的必要支撐裝置。有圖有真相，文字表述不含糊，應該是有了突破性進展。02 LDP三個核心裡面剩下了，極紫外光源。這項目上，咱們是另外的路線，雷射誘導放電電漿體（Laser-Induced Discharge Plasma, LDP）。LDP技術通過雷射將錫球汽化形成雲狀物，然後通過施加高壓的電極將其轉化為電漿體，電漿體與電子碰撞產生13.5nm的EUV光。與LPP（雷射轟擊液態錫滴）技術相比，省去了複雜的液態錫滴控製造系統，轉而依賴電能直接驅動放電過程。但LDP技術，依然需要非常精密的光源來氣化錫球，而光源的關鍵部件是雷射器，而雷射器的挑戰在於功率和脈衝參數。千瓦級高重頻皮秒雷射是EUV光刻機預脈衝光源的核心技術。03 雷射器眾所周知，通快是當前唯一可以實現千瓦級薄片超快雷射器量產的企業，是ASML的EUV光刻機的光源供應商。記住這個詞“千瓦級、薄片、超快”。2023年12月，深圳技術大學牽頭，有大族雷射參與“針對晶體薄片加工及新一代增益器件製備中……高能量薄片超快雷射技術並實現產業化應用。……在國內率先實現了直徑>20mm Yb:YAG薄片晶體封裝，並設計研製了千瓦級48沖程泵浦系統”2024年7月，英諾雷射聯合主流機構開啟了euv光刻機光源產生的核心：高功率薄片超快雷射器的研發與產業化。公司發佈公告稱“項目處於開發過程中……，德國通快公司掌握了該雷射技術並推出系列化產品……”2024年9月，中國雷射雜誌刊文，大連化物所全鏈條自主研發的72通薄片泵浦模組，實現了薄片皮秒雷射再生放大輸出功率超過300W。哈工大團隊的LDP項目，獲2024年高校創新成果轉化一等獎。綜上所述，雙工台、投影物鏡系統，雷射器，簡單說EUV光刻至少大件已經湊齊了。那圖中的說法，似乎也就不是空穴來風了。2025年三季度試生產，2026年量產，時間也不算長，就等等看唄。2025年的SEMICON China大展馬上到，行業內齊聚一堂，應該會有更多小道消息。 (招商行業觀察)
光刻機"卡脖子"3大件突破 傳聞量產計畫已出
科技#光刻機#華卓精科#LDP
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中國科學家突破：光刻機固態雷射器！

據國際光學與光子學學會（SPIE）報導，中國科學院（CAS）的研究人員在實驗室中成功開發了一種“突破性”的固態深紫外（DUV）雷射器，能夠發射193奈米的相干光，用於半導體光刻。這一成果為晶片製造工具的研發提供了新的可能性，儘管其商業化前景仍需進一步探索。目前，ASML、佳能和尼康生產的DUV光刻機普遍使用氟化氬（ArF）准分子雷射器來產生193奈米的光。這種雷射器通過在雷射室內混合氬氣和氟氣，並施加高壓電脈衝，激發氬和氟原子形成不穩定的ArF分子，從而釋放出波長為193奈米的光子。這些光子以短高能脈衝的形式發射，輸出功率高達100W至120W，頻率在8kHz至9kHz之間，適用於現代浸入式DUV工具。193奈米的光束隨後通過複雜的光學系統進行整形、引導和穩定，並最終用於光刻掃描器中的晶片圖案曝光。中國科學院開發的測試裝置採用全固態方法產生193奈米光，完全避免了基於氣體的准分子雷射。該系統首先使用自制的Yb:YAG晶體放大器產生1030奈米的雷射束。隨後，該光束被分成兩條光路，每條光路都經歷不同的光學過程，以產生生成193奈米光所需的元件。在第一條路徑中，1030奈米的光束通過四次諧波產生（FHG）轉換成258奈米的光束，輸出功率為1.2瓦。在第二條路徑中，1030奈米光束的另一半用於泵浦光參量放大器，產生功率為700毫瓦的1553奈米光束。這兩束258奈米和1553奈米的光束在級聯的三硼酸鋰（LBO）晶體中組合，最終產生波長為193奈米的相干光，平均功率為70毫瓦，工作頻率為6kHz。CAS表示，測試系統的線寬小於880兆赫茲，在頻譜純度方面的性能可與目前使用的商用系統相媲美。儘管CAS系統的平均功率為70毫瓦，頻率為6kHz，其輸出功率比ASML基於ArF的生產系統低幾個數量級，後者在9kHz頻率下提供100至120瓦的輸出。這意味著CAS系統目前的低功率輸出使其不適合商業半導體製造，因為高吞吐量和工藝穩定性是半導體製造中不可或缺的。然而，這一初步成果展示了固態雷射器在半導體光刻領域的潛力，未來可能需要幾代技術的發展才能使其成為可行的晶片製造光源。中國科學院的這一突破性成果不僅為半導體光刻技術的發展提供了新的思路，也為未來晶片製造工具的研發奠定了基礎。隨著技術的不斷進步，固態DUV雷射器有望在提高性能和降低成本方面取得進一步突破，從而在全球半導體產業中發揮重要作用。 (晶片行業)
中國科學家突破：光刻機固態雷射器！
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