據透露，整合半導體公司英特爾正在內部考慮採用一種同時利用正面和背面供電的架構，以在1.4nm超精細工藝領域追趕競爭對手。 業內人士稱，英特爾原本計畫在其1.4nm基礎工藝14A中應用專用於背向供電網路（BSPDN）的“PowerDirect”技術；然而，據報導，該公司正在考慮為後續的14A2工藝引入一種同時利用正面和背面供電的“雙面”架構。 這一結構性變化與光刻工藝的侷限性（自顯影缺陷）直接相關，而這些侷限性是由於英特爾追求的最小金屬離子間距（M0）縮小到21nm水平而導致的。 英特爾已正式宣佈計畫將晶片密度在現有18A工藝的基礎上提高1.3倍，以趕上台積電的N2/A14工藝和三星的SF2Z工藝。 14A工藝的目標M0間距為28nm，但據分析，由於半節點技術的改進，14A2工藝的M0間距將下移至21nm。