突飛猛進，中國半導體技術正在悄然逆襲

“制裁只會加速中國自主研發。”

這是輝達創始人黃仁勳和ASML總裁多年前就發出的警告，如今正在以超乎外界想像的速度變為現實。

一年前，或許還有人對中國半導體能否突破重圍心存疑慮。

而如今，一系列悄然發生卻又意義深遠的技術突破，正勾勒出一幅清晰的圖景：中國半導體產業正站在歷史性飛躍的前夜。

長期以來，光刻機一直是中國半導體產業最明顯的短板。

美國從2018年開始施壓對華高端光刻機出口，隨後聯合日本、荷蘭共同對華進行產業封鎖，EUV光刻機和先進型號的DUV光刻機成為重點限制對象。

這種局面正在被打破。在2025年9月舉辦的中國國際工業博覽會上，國產光刻機領域傳出了多個突破性消息。

上海微電子首次公開展示了EUV光刻機參數圖，儘管還處於概念驗證階段，但標誌著國產EUV光刻機已進入原理機搭建階段。

更令人振奮的是，國產28nm浸沒式DUV光刻機已進入量產測試階段，核心部件國產化率超過70%。

中芯國際測試資料顯示，該裝置良率穩定在90%以上，成本較ASML同類產品低30%。

與此同時，英國金融時報報導稱，中芯國際已在測試由上海初創企業宇量異生產的DUV光刻機。

通過多重曝光技術，這種光刻機在極限情況下可以製造5奈米的晶片。

如果這一消息屬實，意味著中國晶片製造能力將實現質的飛躍。

當晶片製程工藝逼近物理極限，先進封裝技術正在成為提升晶片性能的新賽道。

在這一領域，中國企業與世界先進水平的差距遠小於晶片製造領域。

日月光半導體銷售與行銷資深副總張尹在開放運算平台峰會上指出，先進封裝技術正成為決定AI晶片競爭力的關鍵戰場，誰掌握了封裝創新，誰就握有未來十年的話語權。

面對這一趨勢，中國企業已經積極佈局。在今年工博會上，芯和半導體科技公司憑藉其3DIC Chiplet先進封裝模擬平台Metis獲得工博會最高獎項CIIF大獎。

該工具在模擬速度上達到全球領先水平，“在同等計算精度和滿足工程要求的條件下，我們的模擬速度是全球第二名的10倍，記憶體佔用僅為後者的1/20。”芯和半導體創始人代文亮表示。

這意味著傳統需要1個月完成的模擬任務，現在只需3天就能完成。

在晶片設計領域，中國企業的創新策略也日益成熟。

華為在全聯接大會上公佈的昇騰AI晶片發展路線圖，展示了一條 “非對稱突圍”路徑。

華為選擇不單純追求單顆晶片算力追趕輝達，而是通過系統架構和互聯技術創新彌補單芯性能短板。

華為的靈衢互聯協議實現了“萬卡超節點，一台電腦”的系統架構，在物理層到傳輸層引入高可靠機制。

中國AI晶片產業已形成多元發展格局。除了華為，阿里巴巴、百度、騰訊、字節跳動等企業也以不同路徑切入AI晶片生態。

百度崑崙芯系列中標中國移動十億元級訂單，阿里巴巴的倚天710伺服器CPU已在阿里雲部署，為國產CPU廠商打開了市場空間。

半導體產業鏈上游的裝置與材料領域，中國同樣取得了一系列突破。

凱世通作為國產離子注入機領域的核心企業，其自主研發的國產12英吋大束流離子注入機累計過貨量已突破500萬片。

這一資料標誌著國產半導體裝置已從“可用”階段全面邁入“好用”和“穩定量產”的新階段。

在半導體材料領域，國產化率也在穩步提升。

資料顯示，2025年矽材料國產化率已超過70%，但光刻膠與封裝材料仍處於追趕階段，國產化率分別約為20%和30%。

為突破瓶頸，國家積體電路產業投資基金三期800億元專項額度中，35%定向投入材料領域。

在新型半導體材料研發方面，中國科研團隊也在積極佈局。

碳奈米管材料在高頻電晶體領域實現能耗降低40%的突破，中國科學院開發的仿生圖案化光催化材料面板，將可見光利用率從不足20%提升至58%，為半導體製造綠色能源供給開闢新路徑。

隨著AI算力需求在未來幾年狂飆25倍，全球半導體產業格局必將迎來更深層次的重構。

從光刻機到先進封裝，從晶片設計到裝置材料，中國半導體產業在多條戰線上的突破正在匯聚成一股不可忽視的力量。

技術突破從來不是一蹴而就的，但它確實正在發生。

正如日月光半導體張尹所言：“到2030年，半導體將成為價值1兆美元的產業。”在這條賽道上，中國正從被迫跟跑轉變為並跑甚至在某些領域領跑。

半導體產業的競爭是一場馬拉松，而不是短跑。中國半導體產業的故事，現在才剛剛翻開精彩的下一章。 (小柴侃侃)