超兆！晶片裝置市場將破紀錄！

國際半導體產業協會（SEMI）與TechInsights聯合發佈的最新《全球晶圓廠裝置支出報告》顯示，受3D NAND層數競賽、DRAM製程升級及先進邏輯產能本土化驅動，2027年全球晶片製造裝置銷售額將首次突破1560億美元，較2024年大增42%；其中中國大陸、台灣和韓國合計拿下72%的市場份額，成為拉動裝置需求的三駕馬車。

報告指出，2025—2027年間，全球將新增300mm晶圓產線合計超過110條，年復合投片增速達9.8%。先進邏輯方面，台積電、三星、英特爾三家將相繼匯入High-NA EUV光刻機，單台售價約3.8億美元，預計貢獻220億美元增量；3D NAND陣營為突破400層堆疊，長江儲存、三星西安、SK海力士大連將大量採購高深寬比蝕刻與原子層沉積裝置，相關細分市場年復合增速高達18%。

中國大陸繼續扮演“最豪買家”。SEMI資料顯示，2027年中國大陸裝置支出將達490億美元，佔全球31%，連續五年蟬聯第一大市場。增量主要來自中芯國際、長鑫儲存、長江儲存的產能爬坡，以及粵芯、芯粵、上海臨港等新主體擴產。值得注意的是，在美國出口管制持續收緊背景下，中國廠商加快對成熟製程與特色工藝的“補缺口”式投資——45nm至28nm節點的DUV浸沒式光刻機2026年交付量將同比提升60%，ASML、尼康、佳能三家合計向中國客戶交付180台。

台灣方面，台積電2nm及A16（1.6nm）新竹寶山、高雄、台中三大基地同步建設，2027年裝置支出預計430億美元，佔全球28%，其中EUV相關投資就達140億美元。供應鏈透露，台積電已鎖定ASML 2026全年120台0.33 NA EUV與首批6台0.55 NA High-NA產能，用於2027年試產1.4nm原型。

韓國則憑藉三星、SK海力士的DRAM與3D NAND擴產，2027年裝置支出將達310億美元。三星平澤P4、P5兩期工廠將匯入新一代GAA電晶體與400層V-NAND工藝，單廠年裝置預算超80億美元；SK海力士則在龍仁未來產業叢集新建M15X DRAM產線，全面採用EUV光刻+High-k金屬柵，目標2027年實現1cnm（約10nm級）DRAM量產。

分裝置類型看，2027年蝕刻、薄膜、光刻三大核心裝置銷售額將分別達280億、260億、250億美元，合計佔市場半壁江山。其中，原子層蝕刻（ALE）與電漿體增強ALD年復合增速超20%，成為3D NAND與GAA電晶體的關鍵瓶頸。國內裝置廠商亦加速“補位”：北方華創、中微公司、盛美半導體2026年本土市佔率有望由2024年的15%提升至25%，但EUV、High-NA光刻機與超高深寬比蝕刻仍依賴進口。

SEMI全球總裁Ajit Manocha指出，1560億美元只是“保守數字”，若美國、歐洲、日本進一步加碼本土化激勵，裝置支出峰值可能提前至2026年出現。對於高度分工的全球半導體供應鏈而言，裝置需求爆發意味著“製造再全球化”正式開局，誰能在EUV、High-NA、3D整合與先進封裝四大戰場搶到產能，誰就將在下一個十年掌握晶片話語權。 (晶片行業)