訪華剛落幕，韓系儲存晶片暴漲70%仍供不應求，中國國產替代能否彎道超車？

2026/01/21

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韓國半導體代表團前腳踏出中國國門，後腳全球儲存市場便掀起滔天巨浪。

據韓國《電子時報》最新披露，三星電子與SK海力士已悄然對高頻寬儲存器（HBM）實施新一輪價格調整——漲幅最高達70%，且訂單排期已延至2026年第三季度。消息一出，三星股價單日飆升7.8%，刷新歷史紀錄；SK海力士同步上揚3.2%，帶動韓國KOSPI指數強勢收漲超3.4%。

更令人震驚的是，在全球AI算力軍備競賽白熱化之際，亞馬遜、微軟、Meta等雲巨頭的採購團隊紛紛“空降”首爾京畿道，包下整棟商務酒店，只為爭搶有限的HBM配額。而中國本土企業卻陷入“有錢也難買芯”的被動局面。

在這場關乎未來十年科技主導權的儲存晶片爭奪戰中，中國究竟還有多少時間窗口？又能否在封鎖圍堵中撕開一道突破口？

儲存晶片，素有“數字時代的血液”之稱。尤其在大模型訓練、AI伺服器叢集等場景中，HBM憑藉超高頻寬與低功耗特性，已成為不可或缺的核心元件。

然而，這片關鍵戰場早已被牢牢掌控。Omdia最新資料顯示，2025年Q3，全球HBM市場幾乎由三家瓜分：SK海力士以57%的份額穩居龍頭，三星佔22%，美光緊隨其後佔21%——合計壟斷率逼近100%。

這意味著，無論中國AI公司如何加速研發，只要用到高端算力，就繞不開這三家企業的技術許可與產能分配。

更嚴峻的是，儘管中國是全球第二大儲存晶片消費國，年需求量超千億美元，但核心高端產品的自給率僅為22.25%。在HBM這一戰略制高點上，中國國產化率甚至不足5%，產業安全命脈懸於一線。

不過，歷史並非沒有轉機。曾幾何時，高端半導體封裝所依賴的奈米銀膠、銅膏等材料，長期被德國賀利氏、日本住友壟斷，價格高昂且供貨受限。而重慶平創半導體團隊通過自主研發，成功量產奈米銅膏，成本直降70%，不僅打破封鎖，還反向出口海外。這一案例證明：技術壁壘並非不可踰越，關鍵在於系統性突破。

韓國科技評估與規劃研究院（KISTEP）近期報告指出，中國在半導體製造、裝置、材料等多個細分領域已具備相當競爭力，部分環節甚至實現局部領先。

但在HBM這一尖端賽道，差距依然明顯。HBM並非傳統DRAM的簡單升級，而是將多顆晶片垂直堆疊，通過矽通孔（TSV）和微凸點（Microbump）實現高速互聯——如同在指甲蓋大小的空間內建造一座12層“資料摩天樓”，每一層都需精準對齊、高效散熱、穩定供電。

目前，SK海力士已量產12層HBM3E，並推進HBM4研發；三星則在頻寬與能效比上持續最佳化。而中國企業雖已邁出關鍵一步，但整體仍處於“從0到1”的驗證階段。

值得振奮的是，中國國產力量正在加速集結：

憑藉Xtacking 3.0架構，將3D NAND堆疊層數推至232層，躋身全球第一梯隊；

正全力攻關HBM原型，預計2026年中完成工程流片；

更是秘密佈局自研HBM，計畫於2026年一季度推出搭載自研HBM的昇騰AI晶片，目前樣品已進入多輪性能與可靠性測試；

正如電商平台助力國貨品牌崛起一樣，中國半導體產業正建構起全球罕見的“設計—製造—封測—裝置—材料”全鏈條生態。這種系統性優勢，或將成為未來反超的最大底氣。

但必須清醒認識到：即便實現“能做”，距離“好用、量產、低成本”仍有鴻溝。尤其在EUV光刻機、高純度特種氣體、先進封裝裝置等領域，外部封鎖仍未鬆動，部分關鍵裝置即便願付溢價，也難以獲得交付。

晶片之爭，本質是國運之爭。

短期看，我們不得不接受HBM高價、限量、排隊的現實；中期看，必須集中資源攻克堆疊良率、熱管理、介面標準等核心技術瓶頸；長期看，則要爭奪下一代儲存架構的話語權——比如CPO（光電共封裝）、存算一體、新型憶阻器等前沿方向。

行業普遍預測，受AI需求持續爆發驅動，DRAM及HBM價格將在2027年前維持階梯式上漲。但與此同時，中國HBM量產處理程序也在提速。多家機構預估，到2027年底，中國國產HBM有望實現小批次商用，2028年或進入規模化放量階段。

這場“芯”戰爭，沒有速勝，只有堅持。

當華為的昇騰晶片搭載自研HBM點亮資料中心，當長江儲存的HBM模組通過輝達認證，當中國AI大模型不再因“缺芯”而限速——那一刻，便是中國國產替代真正站上世界舞台中央之時。 (晶片研究室)