從45%到100%，美國始料未及，中國儲存芯或要完全使用中國國產裝置了

當美國在2022年聯合日本、荷蘭實施尖端半導體裝置出口管制時，多數外國研究人員普遍認為中國高端儲存晶片產業將遭遇沉重打擊。然而三年後的今天，長江儲存為代表的國內企業不僅沒有倒下，反而在自主化的道路上走出了令人驚訝的速度——從被迫“自力更生”到建成首條全本土裝置產線，中國儲存晶片的逆境突圍揭示了一個被忽視的真相：技術封鎖往往催生出意想不到的產業韌性。

2022年的裝置禁令像一道突如其來的閘門，切斷了中國儲存晶片企業獲取先進製造工具的管道。長江儲存作為國內領先者，彼時剛推出領先全球的232層3D NAND晶片，卻在擴產關鍵時刻遭遇美系裝置斷供。二期工廠產能從預期10萬片驟降至4萬多片，市場份額在2025年二季度一度跌破5%——這是制裁立竿見影的“陣痛期”。

然而，困境往往孕育著轉折。企業被迫做出的戰略調整，反而加速了原本可能需要十年才能完成的供應鏈本土化處理程序。當應用材料、科磊等美國供應商退出後，長江儲存迅速轉向國內夥伴。北方華創的刻蝕裝置、中微半導體的薄膜沉積、上海微電子的光刻技術開始進入主流產線。這種“被迫聯姻”在短期內雖面臨工藝適配挑戰，卻為本土裝置商提供了寶貴的迭代機會。

2023年荷蘭深紫外光刻機也被列入禁售名單後，長江儲存牽頭組建的中國國產裝置聯盟顯示出更強的戰略意義。這個覆蓋離子注入、化學機械拋光等關鍵環節的協作網路，不僅解決裝置“有無”問題，更通過聯合研發推動技術升級。2024年上半年，試驗線中國國產化率突破92%，北方華創單家企業就獲得超50億元訂單。

值得注意的是，這種合作並非簡單的裝置採購，而是深度工藝協同。針對3D NAND高深寬比刻蝕的精度要求，裝置商與製造企業共同開展數百次聯合測試，最終形成自主工藝規範。2025年提交國際委員會審議的3D NAND中國國產整合標準，標誌著中國正從被動適配轉向主動參與規則制定。

中國國產化率的提升並非以犧牲技術先進性為代價。長江儲存採用Xtacking 4.0架構，通過雙層堆疊實現294層等效密度，對裝置精度提出更高要求。本土裝置經過兩年密集迭代，已能支撐複雜工藝需求。2026年計畫推出的X5系列晶片將完全基於中國國產裝置開發，這既是技術驗證，也是市場宣言。更值得關注的是，2025年開始建設的第三工廠已規劃DRAM產線，顯示出從單一產品向全儲存品類拓展的雄心。

2024年底，長江儲存全球市場份額回升至8%，看似不起眼的數字背後是結構性變化：其訂單拉動國內裝置市場規模將在2026年突破250億美元，北方華創等供應商的技術升級速度比預期快30%以上。這種“製造商—裝置商”協同創新模式，正在複製韓國半導體崛起期的產業聯動經驗。

美國製裁的本意是延緩中國技術進步，卻客觀上催生了更完整的本土生態。當長江儲存2025年下半年試產全本土裝置產線時，一個悖論顯現。裝置禁運反而減少了中國企業對海外技術的路徑依賴。儘管在產量一致性和成本控制上仍面臨挑戰，但自主供應鏈的“學習曲線”正快速縮短。

長江儲存2025年底起訴老美，不僅是法律抗爭，更是技術自信的體現。即便訴訟結果難料，這一姿態已向全球市場表明，中國企業不會被動接受技術隔離。

從更宏觀視角看，AI與資料中心爆發的儲存需求，正創造新的市場窗口。中國本土產能若能在2026年實現15%市場份額目標，全球NAND供應格局將迎來深刻調整。 (W侃科技)