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巨頭搶灘，HBM4倒計時
2026年將是儲存巨頭又一個里程碑之年，而這場躍遷的核心賭注，落在了HBM4身上。
SK海力士在2025年財報會上宣佈，其HBM4已於9月完成開發並啟動量產，2026年全面放量；三星在2026年新年致詞中直言：“我們的HBM4展現了真正的差異化競爭力，甚至有客戶感慨：Samsung is back。（三星回來了）”；美光則在2025年9月的電話會議中確認：HBM4將於2026年Q2正式量產出貨，下半年進入產能爬坡。
HBM4的量產衝刺，已在2026年初正式啟程。
01. HBM4，亮相
截至目前，美光、三星和SK海力士均已通過不同活動展示了各自的HBM4產品。
SK海力士正式展示了其新一代HBM4高頻寬記憶體，採用16層堆疊、容量達48GB。相比此前推出的12層36GB版本（曾以11.7Gbps的速率創下行業紀錄），新器件在容量和頻寬上均有明顯提升，整體頻寬突破2TB/s。
實現16層堆疊的同時，還要滿足JEDEC對HBM封裝總高度不超過775微米的要求，這對製造工藝提出了極高挑戰。SK 海力士的一大亮點是其自研的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術：通過將單顆DRAM晶圓減薄至僅30微米，並在一次回流焊過程中完成多層晶片的垂直互連，既提升了整合密度，也增強了結構穩定性。SK海力士16層HBM4器件的另一大亮點是，與台積電合作將12奈米邏輯晶片整合到HBM4晶片的基礎晶片中，作為HBM4堆疊的控制邏輯或“大腦”。
三星：1c DRAM + 混合鍵合 + 全流程自研
與SK海力士和台積電合作生產HBM4邏輯晶片不同，三星是在自家4nm工藝上生產邏輯晶片，並且在同一廠區內完成3D封裝。三星是目前唯一在自有晶圓廠完成DRAM、邏輯晶片製造及3D封裝全鏈條的HBM4供應商。
封裝技術上，三星未採用MR-MUF，而是加速推進混合鍵合技術；同時，三星在HBM4 的另一個突破在於選擇採用1c DRAM工藝技術。三星的HBM3和HBM3e都是基於1a奈米製程的DRAM，到了HBM4採用1c DRAM工藝技術以形成對SK海力士的競爭優勢。（SK海力士、美光目前仍採用1b DRAM工藝）。三星電子內情的相關人士透露，三星電子1c DRAM良率已接近60%，超過盈虧平衡點，為量產奠定基礎。
2025年底，三星已完成HBM4的量產準備認證（PRA），產品達到內部量產標準，正加速推進進入輝達供應鏈的處理程序。在博通主持的技術性測試中，三星HBM4運行速度達到中低段11Gb/s水平，表現位列三大儲存廠商之首。
此外，三星計畫在2月舉行的ISSCC（國際固態電路會議）上發佈一款更高性能的HBM4晶片。其首款36GB HBM4頻寬為2.4TB/s，新款產品頻寬預計將達3.3TB/s，較上一代提升37.5%。
美光：11Gb/s+ 自研CMOS基地晶片 + 台積電邏輯晶片
美光CEO桑傑·梅赫羅特拉在2025財年第四季度及全年財報中證實，公司新一代HBM4記憶體將於2026年推出，多項性能指標超越JEDEC基礎規範。
美光12層堆疊的HBM4正按計畫推進，以支援客戶平台的擴展。近期，美光已向客戶交付HBM4樣品，其頻寬超過2.8TB/s，資料速率突破11Gb/s，處於行業領先水平。美光科技聲稱，新款HBM4產品在性能和效率方面將超越所有競爭對手。美光CEO表示：“我們成熟的1b DRAM、創新且節能的HBM4設計、自主研發的先進CMOS基地晶片以及先進的封裝技術，是成就這款一流產品的關鍵所在。”值得一提的是，美光的HBM4E將與台積電合作生產邏輯晶片（對，和SK海力士類似），計畫會在2027年上市。
02. 產能格局，分化加劇
據TrendForce預測，預計到2025年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星電子65.5萬片，SK海力士54.5萬片，美光科技34萬片。其中，採用TSV工藝（HBM）的晶圓加工能力（月產量）預計分別為：三星15萬片，佔DRAM總產量的23%；SK海力士15萬片，佔28%；美光5.5萬片，佔16%。
預計到2026年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星67萬片，同比增長1.5萬片；SK海力士 60萬片，同比增長5.5萬片；美光36萬片，同比增長2萬片。其中，SK海力士的產能增長尤為顯著。
SK海力士採取“HBM3E+HBM4”雙代平行策略，在鞏固當前市場優勢的同時，全力衝刺下一代產品。目前已鎖定2026年全部DRAM與NAND產能的客戶需求，預計全年DRAM出貨量同比增長超20%，管理層判斷HBM供應緊張局面將持續至2027年。
美光對HBM市場的長期前景保持高度樂觀。其CEO在2025年底業績電話會上表示，預計2025年至2028年全球HBM總潛在市場（TAM）復合年增長率（CAGR）約為40%，規模將從350億美元增至1000億美元。為抓住這一窗口期，美光計畫今年將其HBM4產能提升至每月1.5萬片晶圓。
面對AI驅動的爆發性需求，三大廠商正以前所未有的力度推進產能建設。
03. 全球佈局加速
SK 海力士
SK 海力士目前在全球設有多個半導體生產基地，主要分佈在韓國、中國和美國，從分佈來看，最尖端的HBM和先進製程DRAM集中在韓國，成熟DRAM依賴中國無錫廠支撐，而美國工廠主攻先進封裝。
重點來看韓國這邊，SK海力士在利川有三家工廠：M10、M14和M16。M10工廠聚焦基礎DRAM和HBM晶圓製造，2025年完成產線改造（M10F），承擔HBM記憶體封裝任務；M14工廠與M16廠協同擴產，最新建成於2021年的M16工廠主要專注於生產DRAM產品。
在韓國清州地區，SK 海力士有M15工廠，主攻NAND快閃記憶體製造，是清州園區的核心生產設施。配套還有M15X工廠，是M15擴建計畫的一部分，生產HBM，2025年Q4投產，總投資20兆韓元。
最新進展顯示，SK海力士已將M15X的量產時間從原定的2026年6月大幅提前至2026年2月，初期月產能約1萬片，目標到2026年底提升至5.5萬–6萬片。該廠將同時生產HBM3E與HBM4，並已通過1b DRAM工藝認證。值得注意的是，M15X還將為下一代HBM4E鋪路，未來將匯入10nm級第六代（1c）DRAM技術。
此外，在清州地區SK海力士今年會投資19兆韓元，建設一個P&T7工廠。主要面向HBM等AI記憶體的需求的先進封裝後端晶圓廠。這個晶圓廠佔地面積7萬坪（約合 23.14 萬平方米），計畫於 2026 年 4 月開工建設，預計於2027 年底竣工。其將與SK 海力士的清州M15X DRAM 前端晶圓廠構成有機整體。
更長遠看，SK海力士在京畿道龍仁市啟動了規模空前的龍仁半導體叢集項目，規劃四座大型晶圓廠，總投資高達600兆韓元。首座工廠已於2025年2月動工，預計2027年5月投產。
在美國方面，SK 海力士在印第安納州準備建設一個先進封裝中心，投資38.7億美元，負責半導體產品的封裝和測試，計畫於2028年下半年開始營運。
在中國有兩家工廠，一家在無錫、一家在重慶。其中無錫廠是SK海力士的儲存晶片生產主力之一，佔其全球DRAM總產量的30%–40%。目前該廠12英吋晶圓月產能達18萬–19萬片，已升級至1a工藝。
三星
三星在美國和韓國都有工廠。韓國這邊，華城工廠位於京畿道華城市，是三星在韓國的重要儲存晶片生產基地，主要生產DRAM和NAND Flash儲存晶片。器興（Giheung）工廠是三星早期建立的晶圓廠，主要生產成熟工藝節點的儲存晶片及相關半導體產品，支援從350奈米到8奈米的工藝，為三星儲存業務提供基礎產能支援。平澤工廠是三星儲存業務的戰略核心。該基地已建成P1至P4晶圓廠，並正在重啟P5建設（預計2028年投產）。其中，P4工廠被明確指定用於1c DRAM的量產，計畫用於HBM4等高端儲存產品。
同時，三星在美國有奧斯汀和泰勒晶圓廠，奧斯汀主要生產65nm至14nm邏輯晶片，產品應用於移動裝置、通訊等領域；泰勒專注於先進製程晶片生產，準備生產特斯拉AI6晶片（預計基於2nm工藝）。
據韓國《每日經濟新聞》報導，輝達團隊已訪問三星，通報了HBM4系統級封裝（SiP）的測試結果。結果顯示，三星HBM4在運行速度與功耗效率兩大核心指標上，表現優於所有競爭對手。“與HBM3E時期不同，我們在HBM4開發上處於領先地位，”一位三星內部人士表示。
據悉，三星正綜合評估平澤P4產線的擴產進度與交付能力，計畫於2026年第一季度敲定最終供應合同，並於第二季度啟動正式量產交付。
美光
前兩天，美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia在接受採訪時表示：“我們當前看到的短缺情況，確實是前所未有的。”
Bhatia在最新的講話中指出，用於人工智慧加速器的HBM（高頻寬儲存）“消耗了整個行業大量可用產能，導致傳統行業領域，例如智慧型手機和個人電腦，出現巨大的供給缺口”。
在HBM的巨大需求下，美光同樣也在瘋狂擴產。美光的HBM工廠分佈在新加坡、日本、美國，其中大多都是新建工廠。
去年年初，美光就在新加坡投資70億美元，準備建設一家專門的HBM先進封裝工廠。這個工廠原計畫是2026年開始營運，並且從2027年開始擴大美光的先進封裝總產能。
後來，美光又宣佈在日本建廣島工廠，這家則是專門生產HBM晶片。工廠在2025年5月正式動工，預計2028年左右實現HBM晶片的規模化出貨。該工廠將採用先進製程技術，是美光自2019年以來規劃的首個新生產基地。當然，日本政府說要給美光的新工廠提供最多5,360億日元的補貼（約合人民幣259億元）。
之前，美光承諾將其40%的DRAM製造產能轉移到美國本土。
在美國，美光投資了1000億美元建設的大型晶圓廠綜合體，規劃四座晶圓廠，其中兩座已動工，預計2030年開始投產。今年1月，美光在紐約州奧農多加縣為其晶圓廠舉行正式開工儀式。之前美光還宣佈，還會在自家總部的愛達荷州博伊西市建設第二座記憶體製造工廠，提升美國國內半導體生產和研發能力。
從新建工廠來看，處理程序在明後年才能實現投產。面對當下的生產需求，美光決定直接買工廠。也就是最近宣佈的，以18億美元現金收購力積電苗栗銅鑼P5晶圓廠，交易預計於2026年第二季完成。
在銅鑼廠之前，美光已收購AUO台南廠2座、AUO Crystal在台中的廠房，以及Glorytek的台中廠房，作為Wafer Probe（晶圓測試）、Metallization （金屬化）、HBM TSV等各項用途。此外，美光還規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用於DRAM Metallization。
值得一提的是，雖然SK海力士和美光都在積極擴張產能，但三星的擴張步伐卻顯得較為謹慎。據TrendForce預測，預計到2026年底，三星的TSV工藝（HBM）晶圓加工能力（月產量）將與去年持平，為15萬片；SK海力士的產能將同比增長5萬片，達到20萬片；美光的產能將同比增長4.5萬片，達到10萬片。 (半導體產業縱橫)