美光，爆雷！

美光徹底出局HBM4市場，訂單被韓系雙雄清零

剛刷到SemiAnalysis 2月10日的最新報告，越看越唏噓。

作為行業權威分析機構，它的這份披露，直接改寫了下一代高頻寬記憶體（HBM4）的市場格局。

美國儲存大廠美光，因技術路線失誤，徹底錯失輝達下一代Rubin晶片的HBM4供應訂單。

HBM4市場將被韓系廠商SK海力士與三星徹底主導，美光在輝達Rubin平台的供應份額被“清零”。

這意味著，美光將完全無緣這一高端記憶體核心市場，顆粒無收。

要知道，HBM4是輝達Rubin晶片的核心配套記憶體，直接決定其AI算力表現。

韓系雙雄的瓜分格局，已經基本鎖定。

市場預計，SK海力士將拿下約70%的HBM4訂單，成為絕對的最大贏家。

剩餘30%的份額則被三星收入囊中，兩家攜手，實現對HBM4高端市場的全面壟斷。

這一格局，也鞏固了韓系廠商在全球高端記憶體領域的主導地位，短期內難以撼動。

美光的翻車，絕非偶然，核心癥結就是技術路線選偏了。

為了降低生產成本、掌控供應鏈主動權，它選擇了“單打獨鬥”的策略。

全程由內部自主設計、製造HBM4基礎裸片（Base Die），不與任何外部廠商合作。

這種選擇，恰恰與SK海力士、三星的合作模式形成了鮮明反差。

SK海力士聰明得多，選擇與台積電強強聯手，借力對方的先進製程能力。

三星則依託自身成熟的邏輯代工能力，實現HBM4裸片的自主可控。

反觀美光，獨立研發生產的模式，不僅引發了嚴重的散熱問題，性能也不達標。

其HBM4產品的引腳速度，未能達到輝達的客戶標準，這是最致命的硬傷。

更關鍵的是，美光的固執，讓它徹底落後於競爭對手。

面對性能差距，它不願轉向更先進的外部製程節點，一味堅守自身路線。

美光曾在財報會上宣稱，其HBM4引腳速度將超過11Gbps，但實際未能達到輝達要求。

最終，在關鍵性能指標上，被SK海力士、三星遠遠拉開差距，失去競爭資格。

如果說技術失誤是導火索，那時間差，就是壓垮美光的致命一擊。

當地時間2026年1月5日，輝達CEO黃仁勳已宣佈，Vera Rubin晶片正式進入“全速生產”階段。

Rubin平台作為輝達下一代旗艦AI晶片，其供應鏈合作名單早已基本鎖定。

美光的技術調整，來得太晚，已經錯失了進入該供應鏈的最佳窗口期。

美光並非完全放棄，還在做最後的掙扎。

它計畫重新設計基礎裸片、最佳化供電網路，全力彌補技術短板。

預計在2026年第二季度，再次提交輝達進行資格測試，試圖挽回訂單。

但從當前市場格局和時間節點來看，它挽回訂單的希望，已然十分渺茫。

三星能順利拿下30%左右的訂單，也算一次漂亮的逆襲。

回顧HBM3時代，三星曾因技術問題遭遇供應延誤，一度落後於SK海力士。

三星半導體業務負責人此前也承認，在HBM業務上錯過早期市場機會。

而此次，它率先達到了輝達要求的HBM4引腳速度，成功擺脫此前的陰影。

三星的突破，也讓韓系雙雄的壟斷地位更加穩固。

兩家廠商憑藉各自的優勢，分工協作，徹底堵死了其他廠商的突圍之路。

這也意味著，未來一段時間，全球高端AI晶片的HBM4供應，將完全掌握在韓系廠商手中。 (1 ic芯網)