本周四，三星電子公佈第一季度淨利潤，折合超過 300 億美元。這不僅大幅刷新公司歷史單季盈利紀錄，甚至已接近這家韓國企業過去全年利潤的最高水平。
三星第一季度營業利潤中，約 94% 來自半導體業務。
三星在儲存領域的主要競爭對手——韓國 SK 海力士與美國美光科技，近期也交出了同樣驚人的成績單。這三家公司主導著全球儲存晶片市場，而儲存晶片正是與輝達處理器搭配、支撐 AI 運算的核心器件。
儘管市場對於 AI 服務未來能否真正實現高額盈利的擔憂正在增加，但圍繞 AI 基礎設施建設的企業，卻正持續獲得巨額利潤。
而這場歷史級高景氣行情，短期內似乎仍難結束。
三星儲存業務執行副總裁金宰俊表示，根據公司目前已鎖定的訂單情況，明年的供貨緊張局面還將進一步惡化。他在周四財報電話會議中表示：“目前可供市場的產能，遠遠無法滿足客戶需求。”
自今年年初以來，三星電子股價累計上漲 72%，SK 海力士上漲 90%，美光科技上漲 65%。
市場研究機構 TrendForce（集邦諮詢）資料顯示，2026 年第一季度儲存晶片價格較上一季度上漲近 100%，約為此前市場預期漲幅的兩倍。
近幾年，儲存廠商優先擴大 AI 專用高頻寬記憶體（HBM）的產能，這也限制了智慧型手機、個人電腦以及通用伺服器所使用傳統儲存晶片的供應。大語言模型訓練通常需要將輝達 GPU 與 HBM 搭配使用。
而近期，AI 推理需求持續升溫——也就是讓已經訓練完成的大模型響應使用者請求的計算場景。這進一步帶動了通用伺服器需求，而此類伺服器主要使用傳統儲存晶片，也將三星、SK 海力士和美光的盈利能力推升至新的高度。
根據 FactSet 的預測，這三家企業 2026 年合計淨利潤預計將達到約 3500 億美元。屆時，它們都將躋身全球利潤最高的十大上市公司之列，其中三星甚至有望超過 Alphabet、微軟與蘋果，躍居全球第二。而就在一年前，這三家儲存廠商還沒有一家進入全球利潤前十。
業內分析師指出，一座晶片晶圓廠的建設成本通常超過 200 億美元，且建設周期長達數年。雖然三星、SK 海力士和美光都在擴建新產線，但新增產能預計要到 2027 年末甚至 2028 年才能完全釋放。同時，大量產線資源正被分配給 HBM，而 HBM 相比傳統儲存晶片需要佔用更多產能。
儲存晶片主要分為兩大類：
- DRAM：為伺服器、PC 及其他電子裝置提供臨時資料儲存，以實現高速資料處理；
- NAND 快閃記憶體：負責長期資料儲存，例如手機照片、檔案等內容保存。
HBM 則是通過將多層 DRAM 晶片垂直堆疊，再與輝達等廠商的處理器共同封裝，從而提升 AI 運算性能。輝達目前與三星、SK 海力士、美光均保持緊密合作關係。
市場研究機構 Counterpoint 半導體分析師黃敏秀（MS Hwang）表示，目前 DRAM 與 NAND 兩大產品的營業利潤率，相比正常水平幾乎翻倍：DRAM 利潤率已達到約 80%，NAND 快閃記憶體最高接近 60%。
她還表示，伺服器、PC 與智慧型手機行業的大型企業，如今正願意支付更高價格，大規模採購並囤積儲存晶片，以限制競爭對手獲取供應。
“現在市場的邏輯是：誰掌控儲存供應，誰就有機會主導 AI 產業。”她說。
全球電子元器件分銷商 FusionWorldwide 執行副總裁 Marcus Chen 表示：“當前市場正在經歷史上最嚴重的儲存晶片短缺。”
他稱，其服務的大多數客戶，目前只能拿到自身需求量 30% 至 50% 的儲存晶片，“有些甚至更少”。
過去，客戶與儲存廠商之間長期依賴口頭協議鎖定供貨，但如今部分合作已經轉向具有法律約束力的長期合同。
花旗半導體分析師 Peter Lee 表示，部分合同期限長達五年，客戶不僅需要預付約 30% 款項，甚至還要分攤新建儲存晶圓廠的投資成本。
“我們正在看到客戶願意做到這種程度。” Lee 表示。 (EETOP)