每隔幾天,半導體圈就會冒出一條關於HBM的"好消息":某家公司推出"國產首台量產級混合鍵合裝置",某家"12英吋裝置批次交付",某家材料"通過海力士驗證"。
單看每一條,都讓人振奮。但把它們攢在一起,容易得出一個危險的結論——國產HBM好像快成了。
這恰恰是HBM這門生意最需要警惕的地方。HBM(高頻寬記憶體)不是一顆孤立的晶片,而是一個系統工程:它是先進DRAM的延伸,要靠TSV打孔、靠堆疊鍵合摞起來、再靠CoWoS級先進封裝才能和GPU組裝到一起。它是一隻木桶,容量由最短的那塊板決定。 任何一個環節落後,整顆HBM就差一檔。
所以,判斷國產HBM到底走到那一步,不能數"突破"的條數,而要把產業鏈拆開,逐環體檢。這篇文章,就把國產HBM產業鏈拆成7個核心環節,一環一環看:國際在什麼水平、中國在什麼位置、到底卡在那。
先給結論:國產HBM處在"起步追趕、局部突破"的階段;而整條鏈上真正最弱的一環,不是大家最擔心的DRAM製程,而是後端的先進封裝。
一、先承認：底座立住了，閉環開始形成
講差距之前,得先承認成績——否則就是不誠實。
第一,DRAM底座基本立起來了。
HBM不是憑空造的,它是先進DRAM的3D堆疊版。沒有大規模、穩定的先進DRAM產線,HBM就是空中樓閣。這兩年長鑫儲存把月產能拉到了約28萬片12英吋晶圓量級,產能利用率長期保持在90%以上,DDR5、LPDDR5X都已量產,其中LPDDR5X最高速率做到了10667Mbps,擠進了國際先進水平。這個底座,是國產HBM唯一的起跑線。
第二,HBM本身進入了驗證和量產倒計時。
長鑫的HBM3已經交付樣品給國產AI晶片廠商驗證,外部機構把它HBM3E的量產時點上調到了2026年。與此同時,長鑫正在上海新建一座HBM封裝廠,計畫2026年底投產。也就是說,國產HBM真正意義上的"量產時刻",大機率落在2026—2027年這個窗口。
第三,也是最關鍵的——應用牽引的閉環開始形成。
過去國產儲存最大的問題不是做不出來,而是做出來沒人敢用。這一點正在被打破。2026年一季度,華為昇騰950PR上市,這是國產算力晶片第一次明確搭載自研HBM。疊加大基金三期3440億元注資、50億元規模的國產儲存生態聯盟專項基金,國產HBM第一次形成了"算力晶片 + HBM + 先進封裝 + 裝置"的協同閉環。
有了下游買單方,上游才有持續迭代的動力。這件事的意義,不亞於某個單點技術突破。
二、把產業鏈拆成7環，逐環體檢
承認完成績,接下來是這篇文章的核心:把HBM產業鏈拆開。我把7個環節歸成三層——地基層、三座大山、支撐層。
地基層：DRAM顆粒
這是第1環,也是HBM的地基。
國際頭部已經在用1b/1c nm製程、EUV量產高端DRAM;中國主力還在17nm/16nm節點,靠DUV多重曝光硬頂。多重曝光意味著更多工序、更高成本、更難控制的良率——這是沒有EUV帶來的結構性劣勢。
產能上的差距同樣直觀:海力士DRAM月產能約50萬片、三星約60萬片,長鑫約28萬片,而且這28萬片是全部DRAM產能,真正分給HBM的專屬產能更少。
這一環的核心卡點,是先進DRAM製程加上EUV。 HBM不是單獨的晶片,DRAM製程不到位,HBM永遠差一代。這是地基,繞不開。
三座大山：TSV、堆疊鍵合、先進封裝
如果說DRAM是地基,那麼從DRAM顆粒到一顆能用的HBM,中間還橫著三座大山。這三座山,是HBM區別於普通DRAM的真正技術壁壘,對應第2到第5環。
第一座山:TSV(矽通孔)。 HBM要把多層DRAM晶片垂直摞起來,就得在矽片上打出成千上萬個微米級的孔,再用銅填滿,做成層與層之間的"電梯"。深矽刻蝕環節,中微、北方華創已經能批次供貨;銅電鍍填充,盛美上海、上海新陽也有產品。但整體看,TSV的國產化率大約只有30%—40%,銅填充能不能做到無空洞、高深寬比能不能穩定,仍是短板。任何一個孔沒填好,整片報廢。
第二座山:堆疊鍵合。 這是把多層晶片真正"焊"在一起的工藝,也是HBM最難的環節之一。國際上,海力士靠MR-MUF工藝主導8—12層堆疊,三星、美光用TC-NCF做更高層數,下一代則指向混合鍵合(Hybrid Bonding)。問題在於:MR-MUF被海力士的專利和Know-how牢牢鎖住,國內幾乎空白;混合鍵合方面,拓荊的Dione 300、邁為的裝置已經交付,但精度還在100nm等級,而國際龍頭BESI已經規劃到50nm以下。更現實的約束是,國內用於研發的混合鍵合機台數量極其有限,據報導僅約10台。
第三座山:先進封裝(2.5D/3D,CoWoS體系)。 這是HBM"用起來"的最後一公里——HBM必須通過CoWoS這類2.5D封裝,才能和GPU整合在一起。而這一環,恰恰是整條鏈最弱的一環。CoWoS全球85%以上的產能握在台積電手裡,2026年的產能早已排滿。國內長電、通富、華天雖然在建2.5D/3D產線,但產能不足國際的十分之一,矽中介層很多還得靠台積電代工,大尺寸光罩封裝還停在2倍光罩量級,而台積電已經規劃14倍光罩。
這三座大山裡,最危險的不是TSV,而是先進封裝。 因為TSV做不好,是HBM"做不出來";而封裝跟不上,是HBM"做出來了也用不起來"。
支撐層：裝置與材料
第6、第7環,是支撐整條鏈的裝置和材料。
裝置這一環,要警惕一個錯覺:覆蓋度看著很全,深度其實不夠。
刻蝕(中微、北方華創)、薄膜沉積(拓荊)、電鍍清洗(盛美上海)、CMP減薄(華海清科)——這些環節國產化程度確實不低,在先進製程上也有局部突破。這也是"國產裝置全面突破"這類標題的來源。
但兩個最關鍵的環節幾乎是空白:一是EUV光刻機,完全沒有國產方案;二是高端檢測量測,KLA、Advantest這類裝置依然不可替代。這兩環卡住,HBM的良率上限和代際上限就被鎖死。 裝置國產化不能只看"覆蓋了多少種",更要看"最難的那兩種有沒有"。
材料這一環,則是分散但關鍵。 聯瑞新材的低α球矽球鋁、華海誠科的環氧塑封料、雅克科技的前驅體、鼎龍股份和安集科技的CMP耗材,都已切入或進入認證——華海誠科的HBM封裝材料甚至通過了海力士HBM4的驗證。但高端光刻膠、ABF高層載板、HBM級EMC封裝料,仍是材料端的三大短板,高端部分大量依賴進口。
三、祛魅：三個容易踩的認知陷阱
把7環拆完,可以做一次"祛魅"。關於國產HBM產業鏈,有三個流行的誤解,值得說破。
陷阱一:把"國產首台"等同於"國產化完成"。 "國產首台量產級裝置"是真實的進步,但"首台"和"規模化、高良率、可對標國際"之間,還隔著很長的路。覆蓋度全,不等於深度夠。
陷阱二:把"做出HBM"等同於"用得起來"。 長鑫能驗證HBM3,是好事。但HBM要真正進入算力晶片,得過封裝這一關。先進封裝是國產鏈最弱的一環,這意味著:HBM"造出來"和"高效率用起來"之間,還有一道明顯的坎。
陷阱三:把"長鑫突破"等同於"產業鏈成了"。 HBM是木桶。長鑫這塊板再長,只要TSV、鍵合、封裝、裝置、材料裡有一塊明顯短,整桶水就裝不滿。這是一場團體賽,不是個人英雄主義。
把三個陷阱去掉,真實的卡點就清晰了:國產HBM產業鏈最硬的兩個卡點,一個是EUV和高端檢測量測,一個是CoWoS級先進封裝。 前者決定HBM4、HBM5能不能跟上,後者決定HBM能不能被高效地用起來。
四、公司層面：長鑫，和它身後的一長串名字
既然是團體賽,就值得把這支"國產HBM隊"的陣容擺出來。
唯一的主攻手,是長鑫儲存。 作為中國大陸唯一規模化量產DRAM的IDM廠商,長鑫是國產HBM繞不開的核心。它2025年營收預計550—580億元,首次扭虧為盈,剛向科創板遞交了募資295億元的IPO——這是科創板史上第二大IPO項目。可以這麼說:長鑫成不成,基本等於國產HBM成不成。
但主攻手身後,是一長串配套夥伴。
封測端,長電科技、通富微電具備2.5D/3D量產能力,深科技是國內較早實現HBM3量產封測的企業;裝置端,拓荊科技(沉積+混合鍵合)、邁為股份(混合鍵合)、北方華創和中微公司(刻蝕)、華海清科(CMP減薄)、盛美上海(電鍍清洗)、華卓精科(高端裝備)各守一段;材料端,聯瑞新材、華海誠科、雅克科技、鼎龍股份、安集科技分別切入填料、塑封料、前驅體和CMP耗材;介面晶片上,瀾起科技是全球記憶體介面龍頭,已在佈局HBM相關協議。下游的應用牽引方,則是華為昇騰、摩爾線程這些國產算力晶片,寒武紀、燧原、壁仞是中長期的潛在採用方。
這份名單的意義在於:國產HBM不是長鑫一家的事。 它能不能成,取決於這一長串公司能不能同步跟上節奏——任何一環掉隊,長鑫都獨木難支。
五、前瞻：三種情景，五個變數
那麼,這條產業鏈未來會走向那裡?
決定走向的關鍵變數其實只有五個:EUV與高端檢測量測能否突破、混合鍵合精度能否做到50nm以下、CoWoS級封裝能否規模化國產、國產AI晶片能否持續放量、外部出口管制會不會進一步加碼。
圍繞這五個變數,大致是三種情景。
悲觀情景——管制持續加碼、裝置材料被卡死,國產HBM在2033年之後才摸到世界一流邊緣,屆時全球份額僅3%—5%。
**基準情景(最可能)**——維持當前節奏,2030—2032年摸到世界一流邊緣,全球份額5%—10%,國內份額25%—40%,長鑫為主、另有1—2家新玩家補位。
樂觀情景——管制不再惡化,2029—2030年接近並跑,全球份額10%—15%,國內份額40%—55%。
三種情景的分野,幾乎全壓在那五個變數上。其中EUV和CoWoS,是最難撬動、也最關鍵的兩個。
六、我的判斷
最後,落到幾條明確的判斷。
第一,國產HBM不是"某一個點沒攻下來",而是"整條鏈都在追趕"。 媒體喜歡報單點突破,但HBM是系統工程,要看的是最短板。真正需要盯緊的,是先進封裝和EUV/高端量測這兩個最硬的卡點——不解決這兩個,HBM4、HBM5就跟不上,前面環節的突破也會被鎖住上限。
第二,產業鏈最弱的一環不在前端,而在後端。 大眾的直覺是"國產差在製程、差在DRAM",但拆完7環會發現,DRAM底座反而是相對最紮實的;真正的整鏈最弱環節,是CoWoS級先進封裝。HBM能不能"用起來",比能不能"做出來"更難。這是我想強調的、稍微反共識的一點。
第三,衡量國產HBM,別用"打破韓美壟斷"這把尺子。 短期內,國產HBM的KPI不該是搶全球份額,而是能不能讓昇騰、摩爾線程這些國產算力晶片不被"斷糧"。它的現實使命,是給國產AI晶片續命、保證供應鏈安全,而不是去正面挑戰海力士、三星的寡頭格局。基準情形下,2030年前後拿到國內25%—40%、全球5%—10%的份額,就已經是相當不錯的成績。
國產HBM這盤棋,拼的不是某一條"突破"新聞有多亮眼,而是這條產業鏈上的一長串公司,能不能在未來五到七年裡,把7個環節同時往前推。
少一環,都不行。 (理工館-AI Infra分館)