🔷當AI晶片尺寸不斷突破極限，傳統矽中介層開始逼近物理邊界
🔷CoPoS、TGV與玻璃基板，正在開啟下一代先進封裝新周期
最近這段時間，我越來越明顯地感受到，AI正在把先進封裝推向一個全新的階段。
過去大家討論更多的是CoWoS、HBM和Chiplet，但當GPU尺寸越來越大、HBM堆疊越來越高、資料中心開始邁向“十萬卡互聯”之後，傳統矽中介層似乎已經快要碰到極限了。
而這一次，台積電給出的答案非常明確——從“圓形矽中介層”走向“方形玻璃基板”，CoPoS開始正式浮出水面。
這篇文章，我想重點聊聊：為什麼CoPoS會被視為CoWoS之後的下一代先進封裝？玻璃基板為什麼突然成為AI時代的新核心材料？以及TGV、RDL、CPO背後，到底隱藏著那些真正值得關注的新產業機會。
一、這份材料真正想說明什麼？
CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）正在成為CoWoS之後下一代先進封裝的重要演進方向，而“玻璃基板 + TGV + RDL”有望重塑AI時代先進封裝產業鏈。
二、AI算力繼續膨脹，CoWoS開始逼近“面積極限”
報告認為，隨著AI晶片不斷堆疊HBM與大晶片Die，傳統CoWoS封裝正面臨：
- 中介層面積受限
- 翹曲問題嚴重
- 成本越來越高
- 高速訊號損耗增加
因此，台積電開始推動下一代CoPoS路線，用“方形玻璃基板”替代傳統矽中介層，從“圓形晶圓”走向“面板化封裝”。
報告判斷：
- CoPoS是CoWoS的長期替代方向
- 台積電預計2026年完成中試線
- 真正大規模量產可能在2028年前後展開
三、玻璃基板成為下一代先進封裝核心材料
全文非常強調“玻璃基板”的戰略意義。
相比矽中介層，玻璃基板擁有四大優勢：
1. 面積更大
- 不再受晶圓尺寸限制
- 更適合超大AI晶片封裝
2. 高頻訊號損耗更低
- 更適合1.6T/3.2T高速互連
3. CTE熱膨脹係數更匹配
- 可降低大封裝翹曲問題
4.TGV密度更高
- 有利於更高互連密度與3D封裝
報告認為，未來玻璃基板不僅會用於：
- CoPoS中介層
- IC載板
還會擴展到：
- CPO（共封裝光學）
- 高頻FOPLP
- 光電混合整合
尤其在AI資料中心進入“十萬卡互聯”時代後，玻璃基板可能成為高速光電封裝的關鍵底座。
四、TGV與RDL是CoPoS最核心的工藝環節
報告重點拆解了CoPoS背後的工藝體系，並指出：真正決定產業機會的，不只是“玻璃材料”，而是“TGV + RDL”整套工藝裝置鏈。
1. TGV（玻璃通孔）
類似TSV，但從矽通孔變成玻璃通孔。
核心流程包括：
- 超快雷射打孔
- 濕法刻蝕
- PVD種子層
- 銅電鍍
- CMP拋光
- 退火
而且由於玻璃屬於脆性材料，傳統機械鑽孔難以適用，因此：
飛秒/皮秒雷射、高精度電鍍、CMP、AOI檢測都會成為新增裝置需求。
2. RDL（重布線層）
RDL是實現高密度互連的關鍵。
隨著AI晶片互連複雜度提升：
- RDL層數增加
- 線寬線距縮小
- 光刻、電鍍、CMP次數增加
因此會明顯拉動：直寫光刻、刻蝕、PVD、電鍍、清洗、AOI檢測等先進封裝裝置需求。
五、CoPoS可能重構先進封裝產業鏈格局
報告認為，CoPoS不只是一次封裝升級，而是：一次“產業權力轉移”。
因為：
- OSAT封測廠需要向材料延伸
- 面板廠開始進入先進封裝
- 玻璃廠進入半導體
- 雷射裝置廠切入TGV
- CMP、PVD、電鍍裝置需求暴增
因此，先進封裝產業鏈可能從：“晶圓廠主導”逐漸變成“材料 + 面板 + 封裝 + 裝置”共同驅動的新體系。
六、市場低估了玻璃基板的落地速度
這是全文最重要的“預期差”觀點。
市場普遍認為：
- CoPoS量產要等到2028年以後
- 玻璃基板短期難落地
但報告認為：
玻璃基板會率先在：
- CPO
- 高頻FOPLP
- IC載板
等場景提前滲透，因此，玻璃基板產業鏈的實際爆發時間，可能比市場預期更早。
🏁 小編總結
AI正在把先進封裝從“矽中介層時代”推進到“玻璃基板時代”，而CoPoS、TGV與RDL有望成為下一輪先進封裝產業升級的核心主線。 (芯聯匯)