5月27-29日，無錫國際會議中心，“重構玻璃基板技術路線”iTGV2026國際玻璃通孔技術創新與應用論壇盛大啟動。作為提前場免費論壇——CoPoS技術峰會在5月27日為您呈現玻璃基板與面板級封裝的可落地的融合方案。
從CoWoS到CoPoS：先進封裝技術的物理極限挑戰與玻璃基板革命
在半導體產業的漫長征途上，封裝技術從來不是配角，而是決定AI、HPC與下一代運算效能的關鍵戰場。TSMC的CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）技術，曾以矽中介層（Silicon Interposer）實現高密度2.5D異質整合，成功支撐NVIDIA H100、H200乃至Blackwell系列GPU的爆發式成長，讓數千億電晶體在單一封裝內高速互聯。然而，隨著AI晶片規模持續擴大，圓形晶圓的reticle尺寸限制（目前約3.3X至9.5X）已成為物理瓶頸。CoPoS（Chip on Panel on Substrate）應運而生，它將圓形矽中介層轉換為方形玻璃面板（Panel），尺寸可達310×310mm甚至更大，實現更高產能、更低成本與更高密度的3D IC整合。
這一轉變看似順理成章，卻在材料與製程層面遭遇兩大致命挑戰：材料熱脹冷縮導致的“翹曲”（Warpage）與膠體固化縮水造成的“晶片偏移”（Die Shift）。本文將深入剖析這兩大問題的成因、影響，以及產業如何通過玻璃核心基板、TGV（Through Glass Via）塞滿銅導通技術、Buffer Layer緩衝層與Nikon數位投影曝光機等創新解法，完成從CoWoS到CoPoS的華麗轉身。這些突破不僅是工程細節的堆疊，更是人類對物理極限的頑強徵服。
