近日，一則來自韓國的消息引發全球半導體行業的高度關注。
韓國政府正式啟動“超級創新經濟項目”，計畫投入5000億韓元國家資金，專項攻關碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等下一代功率半導體技術。若算上民間配套資金，該研發項目總規模預計將膨脹至7500億韓元。
在當地時間6月14日召開的緊急經濟指揮部會議上，韓國副總理兼經濟財政部長官具允哲敲定了該項目細則，更是直接將下一代功率半導體定義為“堪比儲存晶片的核心戰略產業”，與小型模組化反應堆、AI感測器並列為未來三大增長引擎。
談及韓國半導體，世人的第一印象基本都是儲存——三星與SK海力士掌控著全球七成以上的DRAM市場，NAND Flash領域同樣稱霸全球，AI浪潮下的HBM更是讓韓國半導體賺得盆滿缽滿。
然而，輝煌的另一面是結構性的偏科：在邏輯晶片、模擬晶片乃至功率半導體等非儲存賽道，韓國的存在感遠不及歐美、日本和中國市場，這種過度依賴單一賽道的隱患，在地緣政治與技術博弈日益複雜的當下愈發凸顯。
或許正因如此，當韓國政府高調啟動“超級創新經濟項目”，將功率半導體拔高至與儲存晶片同等的戰略地位時，外界既感意外，更生好奇。
那麼，韓國緣何選擇此時發力功率半導體？此番舉國加碼是臨時起意的跟風，還是一場面向產業未來的戰略豪賭？轉向背後，韓國能否成功探索出儲存賽道之外的第二增長曲線？
起底韓國功率半導體產業的真實家底
長期以來，外界對韓國半導體產業的印象幾乎被三星電子和SK海力士的儲存晶片所佔據。這並不奇怪——韓國在全球DRAM市場的佔有率超過70%，在NAND快閃記憶體市場的份額也超過50%，是名副其實的儲存器霸主。
然而，功率半導體對於韓國而言，卻是一個長期被忽視的薄弱環節。
相關資料顯示，全球功率半導體市場當前仍由歐洲、美國和日本企業主導。2024年全球功率半導體市佔率前十的企業中，英飛凌、恩智浦、安森美、意法半導體、瑞薩電子等傳統巨頭牢牢佔據前列。相比之下，韓國雖然在儲存器領域具備世界最高水平的競爭力，但在IGBT、MOSFET等功率半導體領域卻長期缺席主流玩家行列，這一點在韓國頂級國策智庫的報告中也被坦承。
但這並不完全意味著韓國缺乏功率半導體相關的積累和佈局。
事實上，韓國在化合物半導體領域的技術積澱可以追溯至上世紀90年代。據報導，韓國早在1992年便開始投入化合物半導體技術的研發，但因長期預算不足，產業發展始終未達預期。
直到近年，隨著全球對SiC、GaN等第三代半導體材料需求的爆發式增長，韓國才真正開始發力。
2016年，韓國圍繞矽基GaN與SiC器件啟動功率電子國家專項，重點攻克高純SiC粉末、單晶生長、外延材料等上游卡脖子環節；2021年，韓國產業通商資源部發佈先進功率半導體研發與產能提升計畫，明確將SiC、GaN、氧化鎵列為三大核心材料方向，提出支援6-8英吋晶圓產線建設。
從早期的技術跟蹤到如今的舉國攻堅，韓國功率半導體已形成了巨頭引領、中小企業補位、公共平台支撐的產業格局，第三代寬禁帶半導體更是成為核心發力點。
雙巨頭帶隊：三星與SK集團的差異化路徑
作為韓國半導體的兩大支柱，三星與SK集團不約而同將功率半導體視為第二增長曲線，但選擇了截然不同的切入方式。
三星電子採取的是“代工+IDM雙線平行”的策略。在SiC領域，三星早在2023年便啟動了相關佈局，後受儲存行業下行周期影響一度放緩，2026年正式全面重啟。
三星路徑清晰且激進：直接跳過6英吋階段，瞄準8英吋SiC產線建設，2026年第三季度將推出首款面向車規與工業應用的平面柵SiC MOSFET樣品，2027年建成試點產線驗證工藝，2028年實現規模化量產。
為補足技術短板，三星還聘請了擁有25年功率半導體經驗的安森美前高管洪錫俊執掌業務，同時在溝槽型MOSFET、超結SiC等前沿技術上多線佈局，累計申請多項核心專利。
在GaN賽道，三星定位為晶圓代工服務商，8英吋矽基GaN產線已進入量產前準備階段，預計2026年第二季度全面投產，覆蓋消費電子、資料中心與汽車應用場景，試圖承接台積電退出GaN代工後的市場空缺。
相較之下，SK集團則依託自身產業鏈基礎，走垂直整合的路線。
其旗下SK Siltron作為韓國襯底龍頭，2019年通過收購杜邦SiC事業部快速切入賽道，目前在美國與韓國均建有6英吋SiC襯底產線，遠期年產能規劃達50萬片，同時推進8英吋襯底技術研發。
代工端，SK Keyfoundry擁有一座月產能約10萬片晶圓的工廠，主要從事模擬混合訊號晶片的代工業務，產品包括顯示驅動晶片（DDI）、微控製器（MCU）和8英吋功率分立器件等，適用於小批次多樣化產品生產。
2025年3月，SK keyfoundry通過收購SK Powertech獲得成熟SiC工藝技術，已完成1200V SiC MOSFET研發，計畫2026年第一季度實現量產，重點面向汽車動力系統與工業電源市場；同時同步開發650V GaN工藝，與韓國本土汽車供應鏈合作驗證800V系統下的DC-DC轉換應用。據悉，SK Powertech前身為Yes PowerTechnics，2022年被SK Inc.納入旗下，其核心優勢在於碳化矽功率半導體的設計與製造技術。
器件端，SK控股的Yes Power Technix是韓國本土SiC器件先行者，擁有浦項與釜山兩大生產基地，SiC年產能達2.9萬片，產品覆蓋二極體、MOSFET與功率模組，已進入工業與車載供應鏈。
能看到，從襯底、代工到器件，SK集團已搭建起相對完整的SiC產業鏈條，也是韓國政府“超級創新項目”的核心牽頭企業。
除了兩大巨頭，韓國還湧現出一批深耕功率半導體的中小企業，構成了產業生態的中堅力量。
Power Master Semiconductor
Power Master Semiconductor（PMS）是韓國本土為數不多的功率IDM廠商，核心團隊來自仙童半導體，擁有韓國唯一的8英吋矽基+6英吋SiC晶圓廠。2022年，PMS推出韓國首款1200V SiC MOSFET，開關損耗與品質因數對標國際一線廠商，產品主打工業電源、太陽能逆變器與車載充電器場景，同時深耕中國市場，與多家國內企業達成供貨合作。
DB HiTek
DB HiTek（東部高科）是韓國功率半導體領域的代表性企業之一。作為領先的8英吋純晶圓代工廠，DB HiTek於2025年12月正式啟動了SiC和GaN工藝的多項目晶圓流片，為十余種客戶產品生產了樣品，並計畫於2027年啟動全面規模化量產。
DB HiTek還在韓國忠清北道上隅園區擴建無塵室，新設施建成後月產能將增加3.5萬片8英吋晶圓，總產能將從目前的15.4萬片提升至19萬片，增幅達23%。這一產能擴張計畫，清晰地勾勒出了DB HiTek意圖在全球功率半導體代工市場中佔據一席之地的野心。
EYEQ Lab
值得關注的還有EYEQ Lab，這家成立於2018年的功率半導體設計公司，走上了一條與眾不同的轉型道路。
2025年9月，EYEQ Lab在韓國釜山舉行了總部及8英吋SiC生產設施的落成儀式，標誌著韓國首座能夠實現8英吋SiC功率半導體全流程本土化生產的工廠正式竣工。該工廠總投資1000億韓元，將從設計公司發展為集設計、製造於一體的IDM企業，也是韓國首個所有環節均在本土完成的8英吋SiC生產基地。
據悉，新工廠計畫2026年正式投入生產，初期目標為每年生產3萬片8英吋晶圓。該工廠不僅將進行內部生產，也接受外部代工訂單，旨在進一步提升韓國在SiC功率半導體全球供應鏈中的競爭力。
同時，EYEQ Lab在2025年初宣佈與韓國科學技術院（KAIST）等國內頂尖學府建立研發合作關係，共同開發下一代SiC半導體材料，以探索更高功率、更高頻率的應用潛力。
EYEQ Lab的崛起，填補了韓國本土SiC從設計到全流程製造的空白，折射出韓國功率半導體產業逐漸從追趕走向自建的內在邏輯。
Power Cube Semi
Power Cube Semi則以工藝差異化見長，其開發的SiC肖特基二極體可通過一次離子注入完成製造，減少工序顯著提升成本競爭力，目前6英吋1200V SiC二極體已實現量產。同時，該公司還承接韓國國家級項目開發溝槽型1700V SiC MOSFET，並與現代汽車合作研發氧化鎵功率器件，提前佈局下一代材料技術。
此外，長期深耕功率半導體領域的KEC Corporation，於2025年11月入選了面向電動汽車和可再生能源的下一代功率半導體核心器件開發國家項目；ChipScale成功量產650V氮化鎵功率半導體，成為韓國首家實現這一技術的公司；TRinno Technology在SiC JBS與MOSFET領域擁有自主工藝，積極推動韓國本土技術自主化。
此外，韓國產業生態中還活躍著約20多家功率半導體IC設計企業，它們構成了一股不容忽視的創新力量。
生態支撐：政策搭台與產業叢集
為補齊中小企業的研發與產能短板，韓國政府搭建了完善的公共支撐體系。釜山功率半導體商用化中心（PSCC）是核心載體，該中心建立了可共享的韓國國內第一個6英吋碳化矽功率半導體原型製造工廠，配備23套SiC前道工序裝置、5套後道裝置與22套可靠性認證裝置，可為Fabless企業提供原型開發、流片測試與可靠性驗證服務，能將研發生產成本降低50%-60%。同時，釜山、浦項等地的專業產業園持續升級，重點承接8英吋化合物半導體產線落地，推動上下游企業集聚發展。
釜山市政府還計畫在園區增建8英吋化合物功率半導體的生產設施，該項目已於2024年獲得國家及市級基金資助。此外，PSCC的約20家相關子公司計畫投資1.1兆韓元，用以建立下一代功率半導體生態系統。
政策層面，韓國已完成從資金補貼到立法保障的全面升級。2026年1月，韓國審議通過《關於加強半導體產業競爭力和扶持力度的特別法》，設立直屬的半導體產業競爭力強化特別委員會，每五年制定產業發展基本計畫，為功率半導體等戰略賽道提供製度保障。
2026年3月，韓國產業通商資源部（MOTIE）成立了“下一代功率半導體推進小組”，由光雲大學具相謨教授領銜，明確2030年將技術自主率從當前10%提升至20%的目標。
為何選擇此時豪賭功率半導體？
上文勾勒出了韓國功率半導體產業的現有拼圖，但是韓國為何選擇此時發力功率半導體？可以從幾個角度來分析：
需求端強力牽引
一方面，AI時代催生了功率半導體的價值重估。
在AI算力爆發的背景下，資料中心成為功率半導體的核心應用場景之一。AI伺服器向800V高壓直流架構演進，固態變壓器等新應用不斷湧現，正在加速拉動高端功率器件需求。
中信建投的分析報告明確指出，SiC/GaN市場已進入高增長通道。換句話說，功率半導體正從過去默默無聞的基礎元器件，一躍成為決定AI基礎設施競爭力的關鍵變數之一。
此外，韓國擁有現代、起亞兩大全球車企，2030年純電動車銷量目標超過300萬台，其中800V高壓平台車型佔比持續提升，對SiC功率器件有著剛性需求。
依託本土終端市場，韓國可以通過內需牽引+本土配套的模式，快速推動功率半導體技術迭代與量產落地。這對於急需找到第二增長引擎的韓國而言，是一條不能錯過的賽道。
全球供應鏈重構窗口期縮小
當前全球功率半導體行業競爭日趨激烈。歐洲依託成熟的汽車產業基礎，在碳化矽材料的商業化應用領域佔據領先地位；美國則將高性能功率半導體列為國家戰略資產重點管控。
中國市場同樣在快速崛起，2024年全球功率半導體市佔率前十的企業中，士蘭微以3.3%的市場佔比躍升至全球第六，比亞迪以3.1%位居全球第七，成為前十中唯二市佔率同比提升的企業，且中國功率半導體企業正在繼續高歌猛進。
而目前韓國功率半導體進口依賴度高達90%-95%，下一代寬禁帶器件的技術自主率僅10%。作為能源進口大國，韓國的新能源汽車、國家電網、AI資料中心等核心基礎設施高度依賴海外功率器件，一旦供應鏈出現波動，將直接衝擊產業穩定。
在這樣一個競爭激烈的產業格局中，韓國若再不主動出擊，很可能面臨被徹底邊緣化的風險。事實上，有韓國媒體早已發出警告：“韓國功率半導體產業正面臨邊緣化危機”。
對此，韓國政府在2026年2月正式啟動下一代功率半導體國家戰略，成立“下一代功率半導體推進小組”，明確提出到2030年將本國技術自主率從目前的約10%提升至20%。
這一戰略的核心邏輯在於，在當前地緣政治風險加劇的背景下，若功率半導體供應鏈長期依賴進口，不僅將制約AI、電動汽車等新興產業的競爭力，更可能對國家安全構成潛在威脅。
值得注意的是，與以往先研發、後找應用的模式不同，韓國此次戰略採取了“需求導向”的全新策略——在電動汽車、國家電網、AI資料中心等重點需求行業的規劃階段，就提前明確對功率半導體的性能標準與規格要求，再反向制定技術研發路線圖，實現研發與需求的精準對接，避免技術與市場脫節。
這種從“技術驅動”轉向“需求驅動”的策略調整，直接指向了韓國國內的一個長期痛點：下游企業對已穩定使用的進口功率半導體零部件缺乏替換動力，導致國產產品難以落地應用。
打造儲存之外的第二增長曲線
AI浪潮雖然為韓國儲存產業帶來了空前繁榮，但繁榮之下，隱憂同樣暗流湧動。儲存行業固有的周期性波動從未消失，而來自中國等競爭對手的追趕步伐亦在加快——DRAM與NAND領域的技術差距正被迅速縮小。對三星和SK海力士而言，過度依賴單一賽道的業務結構，註定難以在行業周期的潮起潮落中獨善其身。
而功率半導體恰好處在一個截然不同的增長通道中。據市場研究機構預測，全球SiC功率半導體市場規模年複合增長率超過20%，2030年有望突破百億美元。更為關鍵的是，高端功率器件毛利率可達50%以上，遠超傳統儲存產品。高增長疊加高利潤，讓這條賽道具備了承接韓國半導體“第二增長引擎”的想像空間。
由此，韓國此番加碼，或許意在複製其儲存產業曾經走過的“舉國投入+規模降本+全球壟斷”的成功路徑。這套打法在DRAM和NAND上已被驗證有效，如今被移植至功率半導體領域，目標不言自明：打造出繼HBM之後的又一增長極，以此避險儲存周期的波動風險，為韓國半導體尋找一條更穩健的出路。
韓國突圍之路，挑戰重重
韓國發力功率半導體的決心不可謂不大，但它所面臨的挑戰同樣不容忽視。
韓國科學技術企劃評價院2025年發佈的一項針對39名當地半導體領域專家的調查結果，給出了一個令人震驚的結論：韓國在半導體技術領域的整體水平已被中國反超。具體到功率半導體領域，中國技術成熟度得分為79.8%，韓國為67.5%。
更引人深思的是，韓國專家自身也承認，兩年前的判斷已全面翻車，韓國在基礎研究和設計環節的落後尤為明顯。
在功率半導體這一細分賽道，中國廠商追趕的速度確實令人側目。國內自2014年起便推動功率半導體自主化，已建構起從材料到終端產品的完整製造體系。在中國企業的產能擴張和價格攻勢面前，一眾歐美巨頭都紛紛調整應對策略，加緊擴產佈局步伐，角逐新一代功率半導體技術標準。
正是在這樣的背景下，業界甚至有觀點直言：“韓國功率半導體跟中國競爭沒機會，不止韓國，日美韓在功率半導體領域都沒機會。”
這種說法雖然激進，卻點出了韓國面臨的核心困境——作為後發者，韓國既要突破歐美日的專利壁壘，又要面對中國產業鏈的規模與成本優勢，雙重擠壓下的突圍難度遠超當年的儲存賽道。
有行業專家向筆者表示，韓國功率半導體的突圍路上需要面對四座大山。
專利與技術壁壘
當前全球SiC、GaN核心專利與高端工藝牢牢掌握在英飛凌、安森美、意法半導體、Wolfspeed等歐美廠商手中，這些企業擁有數十年的技術積累，建構了嚴密的專利網。韓國企業起步晚，核心專利儲備不足，車規級可靠性驗證、量產良率控制等關鍵環節都需要長期打磨。以溝槽型SiC MOSFET為例，意法半導體研發多年仍選擇暫緩商業化，三星雖多線佈局前沿技術，但要實現穩定量產並通過車規認證，至少需要3-5年時間。
產業鏈基礎薄弱
儘管韓國已佈局全產業鏈，但多數環節仍處於追趕狀態，高端材料、核心裝置依然依賴進口。比如SiC生長爐、MOCVD裝置、高能離子注入機等核心裝備，主要來自德國、美國廠商；高端襯底的良率、一致性與海外頭部企業存在明顯差距。要實現真正的自主可控，需要從材料到裝置的全鏈條突破，絕非短期砸錢就能見效。
市場格局固化與生態短板
高端功率半導體市場尤其是車規級領域，客戶粘性極強，匯入周期長達3-5年，IDM頭部廠商與全球主流車企已深度繫結，韓國企業想要切入供應鏈難度極大。而在中低端市場，中國廠商憑藉龐大的本土市場、工程師紅利與全產業鏈配套，已經形成顯著的成本優勢，產品性價比遠超韓國企業。韓國功率半導體很容易陷入“高端打不過歐美，中低端拼不過中國”的尷尬境地。
專業人才缺口
韓國半導體人才高度集中在儲存領域，功率半導體尤其是寬禁帶半導體的研發、工藝、應用人才儲備嚴重不足。功率半導體是典型的經驗驅動型產業，人才培養需要長期積累，短期內難以通過高薪招聘快速補足，這將成為制約產業擴張的長期短板。
但一個更根本的挑戰可能來自韓國的產業結構自身。
韓國半導體產業過於集中於儲存晶片的偏科結構，使得其在邏輯晶片、模擬晶片和功率半導體等領域的積累遠不如歐美、日本深厚。有韓國媒體評論指出，韓國過去依賴量產工藝吃老本，現在發現設計源頭已經跟不上。這種結構性短板，恐怕不是5000億韓元的政府投資可以短期彌補的。
因為功率半導體的競爭邏輯與儲存截然不同：儲存是標準化產品，靠規模與成本取勝；功率半導體是定製化、場景化產品，靠專利積累、可靠性驗證與客戶深度繫結建立壁壘。韓國熟悉的“砸錢擴產、快速降本”的儲存打法，在功率賽道未必行得通。
寫在最後
綜合來看，韓國此次大規模押注功率半導體，既是被動的防禦戰——回應在該領域的潛在安全風險；也是主動的未來戰——力圖在AI與新能源汽車時代搶佔高端功率器件的話語權。
韓國政府建構的全產業鏈聯盟模式，以及計畫到2030年將功率半導體技術與產能自給率提升一倍的目標，展現了其系統性改革的決心。其本土企業的技術突破和產能擴張，也為韓國功率半導體產業增添了底氣。
然而，在技術與市場的雙重夾擊之下，韓國能否真正走出一條差異化道路，避免在功率半導體領域重演儲存晶片之外長期落後的局面，仍是未知數。正如那句尖銳的業界論斷所揭示的——當中國功率半導體以更快速度、更優成本不斷趕超時，留給韓國的時間窗口，或許並沒有想像中那麼充裕。
但可以確定的是，當全球半導體產業的競爭版圖從儲存晶片延伸到功率晶片，從傳統矽基拓展到SiC和GaN新材料，這場關於“下一代半導體”的競賽，正迎來競爭關鍵期。韓國選擇在這個時間節點上全力押注，本身就是對時代變局的最直接回應。
未來數年，我們或將親眼見證，這次轉身能否為韓國帶來繼儲存晶片之後的第二張半導體王牌。 (半導體行業觀察)