一篇韓國媒體報導，引發全球儲存股連鎖暴跌，美光收跌13%。據報導，輝達Rubin晶片生產預測下調，SK海力士放緩HBM4擴產、轉向利潤率反超HBM逾15個百分點的通用DRAM市場，令AI基礎設施需求前景驟生疑雲。
韓國一篇行業報導在全球市場引發連鎖反應，將高頻寬儲存晶片供應前景的隱憂推至台前。
據韓國媒體23日報導，SK海力士正在放緩第六代高頻寬儲存晶片（HBM4）的量產擴張節奏，並將資源重新傾斜至通用型DRAM市場。
這一消息成為觸發儲存股大幅回呼的導火線。彭博社與CNBC均援引消息稱，"交易員將矛頭指向一篇韓國媒體報導——SK海力士正在放緩AI儲存晶片擴產，並將重心轉回通用型DRAM"。
由於儲存股約佔韓國綜合指數（KOSPI）權重的60%，韓國股市隨即暴跌逾10%，並觸發熔斷機制，恐慌情緒隨後向全球市場蔓延。
報導援引一名熟悉SK海力士內部情況的人士表示，鑑於輝達下一代晶片"Rubin"的生產預測持續下調，該公司管理層已無必要加速推進向HBM4的產線轉換。此番表態令市場對高端AI基礎設施的需求前景產生質疑，並對輝達等相關產業鏈構成壓力。
周二美光收跌13%，西部資料收跌8.5%。
通用DRAM利潤率反超HBM，促使SK海力士重新配置資源
韓國媒體報導的核心邏輯在於儲存市場內部的盈利結構變化。
截至今年一季度，通用型DRAM與HBM之間的營業利潤率差距已擴大至逾15個百分點，通用DRAM反而佔據優勢。大信證券預計，通用DRAM的營業利潤率在年內理論峰值可達90%。
在此背景下，SK海力士據報正延遲將部分第五代HBM（HBM3E）產線轉換為HBM4的計畫，轉而加大對通用DRAM市場的供應響應能力。SK海力士管理層不得不正視競爭對手三星電子已通過通用DRAM獲取豐厚利潤這一現實。
SK海力士在一季度業績中亦披露，DRAM平均售價已升至60%中段水平，並與微軟簽署了一份為期三年的DDR5供應合同，外界普遍將此解讀為公司在通用DRAM領域鎖定長期收益能見度的舉措。
華爾街看多DRAM周期，HBM市場份額存分歧
多家海外投行的研判與上述戰略取向相互印證。
高盛認為，SK海力士至少在2026年前維持HBM3及HBM3E合計逾50%的市場主導地位即已足夠；
摩根士丹利則將整體儲存價格周期而非HBM份額保衛戰視為SK海力士估值的核心驅動因素，並基於DRAM均價至2026年將上漲62%的預測，將盈利預測上調56%至63%。
然而，HBM4擴產放緩也為競爭對手打開了窗口。
據Counterpoint Research資料，SK海力士去年四季度HBM市場份額為57%，但若三星電子在今年下半年成功實現HBM4量產，SK海力士的份額或逐步縮小至50%至60%區間。
高端AI供應鏈壓力浮現，輝達Rubin系統備受關注
此次報導引發市場波動，折射出投資者對高端AI基礎設施建設節奏的深層擔憂。
SK海力士知情人士在報導中明確提及，輝達下一代"Rubin"晶片的生產預測正在下調，這一表述直接衝擊了市場對HBM4需求強勁的預期。
從更宏觀視角來看，這一動向也與高端輝達系統的推進困境相呼應。搭載HBM4的Vera Rubin機架因儲存價格大幅攀升推高整體成本，令超大規模資料中心營運商的利潤空間承壓。
SK海力士此次放緩HBM4擴張，究竟是主動管理定價節奏的戰略選擇，還是終端需求走軟的訊號，目前市場尚存分歧，但其觸發的全球風險規避情緒已然真實落地。 (富途牛牛)