韓國和日本研究人員在2026年IEEE/JSAP VLSI技術與電路研討會上，同時提出了兩種全新的HBM（高頻寬記憶體）方案，核心思路驚人一致：把DRAM（動態隨機存取記憶體）晶片豎起來放，解決AI晶片越來越嚴重的散熱瓶頸。
韓國方案叫V-Die，由蔚山國家科學技術研究所（UNIST）提出。這套設計把定製DRAM晶片旋轉90度豎直放置，用TSV（矽通孔）釋放晶片面積來塞更多記憶體單元，每個晶片底部獨立走I/O通道，相鄰晶片之間還塞了液冷散熱通道。
模擬測試中，同樣容量下V-Die跑GPT-3等級負載達到540 tokens/s，而傳統HBM4隻有296 tokens/s，性能翻了近一倍。
日本方案叫MOSAIC，由東京大學團隊主導，思路類似但重點不同，它用正交晶片堆疊加上無接觸晶片間介面，資料傳輸不靠物理觸點，而是通過微型電感線圈耦合，每個通道速率跑到4 Gbps。
研究團隊稱這種結構能讓DRAM-on-GPU配置下的容量達到HBM4的兩倍。
兩種方案直指同一個痛點，AI晶片被記憶體卡脖子，現代AI加速器算力夠強，但大模型要頻繁在記憶體和計算單元之間搬運海量資料，HBM靠垂直堆疊DRAM晶片靠近處理器來緩解這個矛盾，輝達Blackwell Ultra B300就配了288GB HBM3E。
但堆得越高散熱越難，V-Die和MOSAIC本質上都是用"側放"換散熱空間，順便還把頻寬和容量一起拉上去了。
不過這兩項技術目前還停留在論文階段，距離量產還有距離。
前沿儲存創新技術仍處於理論研發階段，短期無法落地商用，國記憶體儲產業的實力突破更多依託成熟工藝的規模化落地。國產儲存龍頭持續推進資本化與產能擴張，加速自主 DRAM 產業規模化發展。
據上交所披露的完整發行公告，國內DRAM儲存龍頭長鑫科技正式敲定申購時間，網上、網下申購統一安排在7月16日，將登陸科創板。
公司證券程式碼688825，普通投資者網上申購程式碼為787825，本次發行總量66.88億股，佔發行後總股本一成，同時授予保薦機構最高15%超額配售選擇權。
全額行使後總發行量可達76.91億股，整體募資規模295億元，資金將全部投向12英吋晶圓產線擴建、HBM高端儲存晶片研發及配套產能建設。
本次發行採用戰略配售、網下詢價與網上打新結合的模式，半數新股優先向戰略投資者定向配售，剩餘份額拆分給機構與散戶投資者。
7月13日開啟網下初步詢價，7月15日正式披露最終發行價格，7月16日全天開放申購通道，參與網上申購需要持有滬市A股對應市值。
申購完成後，投資者需在7月20日收盤前完成足額繳款，逾期視為放棄中籤資格。
長鑫科技2016年在合肥成立，是國內唯一實現DRAM晶片自主研發、製造一體化的IDM廠商，全資子公司長鑫儲存完成DDR4、DDR5、LPDDR5全系列記憶體顆粒量產。
產品覆蓋伺服器、PC、智慧型手機、智能汽車算力等賽道，打破三星、海力士、美光長期壟斷全球DRAM市場的格局，旗下三座12英吋晶圓廠持續釋放產能，深度供貨小米、聯想、國內頭部雲服務商等客戶。
上市募資完成後將加速高端算力儲存HBM產品落地，進一步縮小與海外儲存巨頭的技術代差。
(硬體世界)