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RexAA
2026/09/19
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HBM之後,HBF來了:3D NAND+TSV+UCIe,512GiB與3.072TB/s重構AI記憶體架構!
🔷不取代HBM,而是擴展HBM:高頻寬Flash將TB級容量進一步推向xPU身邊 🔷模型權重、KV Cache與MoE成為關鍵場景,AI記憶體層級迎來重新劃分 隨著大模型參數規模持續膨脹、Context Length不斷拉長,AI晶片面臨的挑戰已經不只是“算力夠不夠”,Memory Wall正在成為制約GPU/TPU/xPU繼續擴展的重要瓶頸。HBM雖然擁有極高頻寬,但容量擴展壓力越來越突出;傳統NAND容量足夠大,卻又很難滿足AI計算對近端高頻寬資料訪問的需求。正是在這樣的背景下,High Bandwidth Flash(HBF)開始走向台前——它試圖把Flash從傳統記憶體層直接搬到xPU身邊,在HBM與SSD之間建立一個全新的高頻寬、大容量Memory Tier。 這次,小編就帶大家詳細看看這份HBF High-Level Base Die Specification。從3D NAND Stack、Base Die、TSV,到16通道Wide-I/O、UCIe/AXI互連,再到512GiB+容量與最高3.072TB/s目標有效頻寬,HBF正在嘗試用“高平行NAND+先進封裝+Chiplet互連”重新定義Flash的性能邊界。
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美股艾大叔
2026/09/11
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摩根大通首次覆蓋SK海力士ADR:較美國同行折價20%,當前估值非常便宜
摩根大通認為,SK海力士ADR相較美光存在明顯估值折價,隨著ADR提升全球投資者准入、流動性及資訊披露,這一折價有望縮小。與此同時,AI記憶體上行周期或持續至2028年後,HBM領先地位、長協鎖定產能及股東回報提升,有望共同驅動盈利增長與估值重估。 摩根大通首次覆蓋SK海力士美國存託憑證(ADR),給予超配評級,目標價245美元,較當前股價185.55美元隱含約32%的上行空間。摩根大通認為,AI驅動的記憶體器上行周期將持續5年以上,SK海力士憑藉HBM技術領導地位與長期供應協議(LTA)鎖定的盈利能見度,具備顯著的估值重估潛力。 據追風交易台,摩根大通分析師Jay Kwon在報告中指出,SK海力士 ADR目前較美國同行美光折價約20%,這一差距難以從基本面角度得到合理解釋——SK海力士在DRAM利潤率、絕對規模及HBM執行力上均與美光相當甚至更優。摩根大通預計,隨著ADR上市帶來的全球投資者准入改善、流動性提升及資訊披露頻率提高,這一估值折價將逐步縮小。 在股東回報方面,SK海力士於2026年8月將股東回報政策從"不超過累計自由現金流(FCF)的50%"上調至"超過50%",並宣佈40兆韓元的股票回購及註銷計劃。摩根大通預計,公司2026至2028年累計總股東回報(TSR)收益率約為41.8%,這一水平將對估值形成有力支撐,並推動市場對SK海力士的周期性認知向長期結構性成長轉變。
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江國中
2026/09/07
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🎯【小心買錯】9月選股「不選市」!「獲利成長」才是關鍵,這幾類股可能先噴! Line@連結: https://lin.ee/mua8YUP 🎯上週五美國非農數據強到超乎預期,
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RexAA
2026/09/01
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企業級SSD與DDR5—AI記憶體的"隱形冠軍"
當所有人都在盯著HBM時,企業級SSD和DDR5正在悶聲發大財。2026年,伺服器DRAM佔比將首次超過50%,企業級SSD成為NAND最大應用,AI訓練伺服器單機eSSD容量4年增長4倍。DRAM吃的是AI的"計算紅利",NAND吃的是AI的"記憶體紅利"——AI的記憶體需求,遠不止HBM。打破"HBM才是全部"的認知偏差,才能看清AI記憶體需求的全景圖。 開篇:聚光燈之外的"隱形冠軍" HBM,是AI記憶體當之無愧的"明星"——它的價格暴漲、產能售罄、技術迭代,佔據了所有頭條。但聚光燈之外,一場同樣深刻的變革正在發生。2026年的兩個資料,足以讓"HBM中心論"動搖:伺服器DRAM佔比將首次超過50%(伺服器取代手機成為記憶體需求最主要市場);企業級SSD(eSSD)成為NAND最大應用(佔NAND總需求48%)。2026年8月12日,市場調研機構Counterpoint Research發佈2026年第二季度記憶體與記憶體市場追蹤報告,揭示了行業格局的深刻變化。報告顯示,企業級固態硬碟(eSSD)已佔全球NAND總位元出貨量的48%,較去年同期的26%幾乎翻倍。這一轉變源於AI工作負載從訓練階段向推理階段的遷移,資料集與KV快取對高速、低功耗記憶體的需求激增,直接推高了企業級產品的採購量。 這兩個"隱形冠軍"——企業級SSD和DDR5——正在悄悄改寫AI記憶體的格局。當大模型參數從千億邁向兆,記憶體需求是指數級增長的,而HBM只是這條增長曲線的一小段。
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#企業級SSD
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美股艾大叔
2026/08/31
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美光COO、CTO:雙雙升任總裁!
美光科技重磅調整領導層:兩位核心高管升任總裁,加速AI時代業務增長 2026年8月26日,美光科技宣佈一項重要領導層調整:馬尼什・巴蒂亞(Manish Bhatia)出任總裁兼首席營運官,斯科特・德波爾博士(Scott DeBoer)出任總裁兼首席技術與產品官,兩項任命即日起生效。 此次調整的核心背景,是AI產業持續爆發後,全球市場對高容量、高性能、高頻寬記憶體的需求快速增長。尤其是在AI伺服器、資料中心等場景中,DRAM、HBM等高性能記憶體的重要性不斷提升,美光也正在通過組織架構升級,進一步強化營運、技術和產品之間的協同。 一、兩位核心高管升任總裁,美光重構領導架構
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MK陪跑學苑x陪你練穩現金流節奏
2026/08/18
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00406A 高配息與 AI 成分股的矛盾:年化17%之後,投資人該看什麼? 00406A 單期配息換算成年化逼近 17%,投資組合又帶有 AI、記憶體與半導體題材,但上市後仍曾跌破發行價。本文從上市時點、收益來源、掩護性買權與風山漸四幅圖象,建立三個市場觀察指標:資金是否留下、成長是否反映在淨值與績效、價格是否逐步站回發行價。 ## 正文 一、先拆開「年化17%」的意義
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00406A 年化配息率 17%、AI 成分股卻仍破發:配息真的等於賺錢嗎? Podcast Platforms - Flink by Firstory
風山漸的市場觀察:從望竿、藥爐、登梯官人與落地花枝,看收益熱如何一步一步變成真正承接 00406A 單期配息換算成年化逼近 17%,投資組合又帶有 AI、記憶體與半導體題材,為什麼上市後仍曾跌破發行價? 因為收到配息,不等於整體投資已經賺錢。 本集借用風山漸的四幅圖像,重新理解市場的「漸」:望竿,是遠方的目標;藥爐,是有了材料,還要等待煉化;登梯的官人,是方向正確,也得一步一步往上;落地的花枝,則是故事已經開花,成果卻還沒有真正站穩。 節目中也用果園主人的故事解釋掩護性買權:先收取權利金,可以增加一部分收益;但如果市場大漲,也可能因此讓出部分上漲空間。權利金能提供緩衝,卻不能消除下跌風險。 最後留下三個觀察問題:配息之後資金有沒有留下?AI 與半導體成分股的成長,有沒有反映在 ETF 的淨值與績效?價格能不能逐步站回發行價,形成連續而穩定的承接? ## 章節 00:00 開場:17% 年化配息率卻仍破發 03:45 風山漸的四個市場圖像 05:10 收益率很高,成果是否站穩? 06:10 AI 與半導體成分的成長與波動 09:25 上市時點與 7 月市場震盪 14:14 登梯官人:如何觀察承接是否延續 16:12 落地花枝:故事開花但成果尚未站穩 17:23 掩護性買權寓言 21:56 三個承接檢核 22:49 本集收束 ## 延伸閱讀與 CTA 想進一步建立自己的市場觀察方法,可以從這裡開始: https://school.happy2brich.com/join-v2?utm_source=podcast&utm_medium=shownotes&utm_campaign=daily_podcast_20260818&utm_content=join_v2_cta [https://school.happy2brich.com/join-v2?utm_source=podcast&utm_medium=shownotes&utm_campaign=daily_podcast_20260818&utm_content=join_v2_cta] ## 邊界聲明 本集內容為市場教育與觀察分享,不構成任何金融商品的買賣建議。年化配息率不等於保證報酬;實際配息來源、淨值、持股與相關風險,請以基金公司、交易所及公開說明書的最新資料為準。 Podcast powered by Firstory.
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美股艾大叔
2026/08/18
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美銀證券-HBM並未真正降規格,現貨價格上漲正在驗證AI記憶體需求
8月14日,美銀證券在全球記憶體科技周報中提出,不能把部分低容量方案的評估簡單理解為HBM全面降規格。對於包括NVIDIARubin Ultra在內的新一代GPU,研究團隊預計HBM4e和HBM5在2027年至2030年仍將圍繞500GB至1000GB容量演進;由於8-hi、192GB方案的TSV產能已經不再具有顯著意義,而Rubin Ultra在288GB至500GB記憶體容量下的性能下降較大,1000GB配置仍可能是物理AI場景的重要需求。 低容量方案存在,但更像邊緣化選擇 美銀證券給出的判斷是,部分低端GPU、TPU和ASIC仍可能使用192GB至288GB HBM,但這些更可能對應遺留應用或部分推理任務。對於需要更高平行度、長上下文和複雜物理互動的工作負載,記憶體容量與頻寬仍然是系統性能的重要約束。 這意味著HBM需求的關鍵不是單純看堆疊層數,而是看不同加速器的工作負載分層。若頭部訓練和物理AI繼續追求更高容量,HBM4e、HBM5的單位產品價值量可能繼續提升;若一部分推理場景向低容量方案遷移,行業增速會出現結構分化,但不等於整體規格快速下移。
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2026/08/09
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Memory記憶體晶片競爭不只靠容量,【全端掌控】成為核心勝負手
半導體行業的最新態勢已經很清晰地表明,下一代 AI 記憶體的競爭邏輯已徹底改變。決勝的關鍵不再是單一記憶體容量,而是對 HBM、DRAM、先進封裝到智能調度的完整記憶體棧的掌控能力。 頭部格局,競速與分化並存 記憶體頭部企業已完成戰略卡位,技術路線分化明顯。 三大巨頭中,三星憑藉 4nm FinFET 工藝基底加速 HBM4 落地,將 2026 年單顆出貨容量預期從 3.5Gb 上調至 4Gb,以製程節點優勢激進擴產,搶佔早期市場份額與定價主導權;SK 海力士則主動放緩 HBM4 爬坡節奏,在良率提升、風險控制與盈利紀律間尋求平衡,走穩健路線;美光低調推進研發,持續縮小與頭部廠商的 HBM 技術差距。
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