儲存晶片漲價潮仍在持續。
研究機構DigiTimes在最新發佈的報告中指出，受AI（人工智慧）需求激增、產能結構性瓶頸影響，高頻寬記憶體（HBM）價格預計2027年實現翻倍。與此同時，SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-jung)表示，預計2027年將成為儲存晶片行業供應短缺最嚴重的一年。
種種跡象表明，儲存晶片行業的漲價潮正愈演愈烈。儲存模組大廠威剛的董事長近日透露，2026年第三季度，儲存晶片繼續漲價。
價格或將翻倍
當地時間7月10日，DigiTimes最新報告援引業內人士觀點稱，受AI算力需求爆發、產能結構性緊缺雙重因素影響，HBM價格預計2027年實現翻倍。
行業消息人士稱，下一代HBM4的價格可能從2026年下半年約2美元/千兆位元飆升至4至5美元，甚至更高。
據介紹，漲價核心源於兩大生產原因：一方面，HBM4工藝製造難度極高，生產周期長達4至6個月，初期良品率偏低；另一方面，生產HBM所需晶圓面積是普通DDR5記憶體的3倍，現有產線產能釋放空間被大幅壓縮。
當前全球HBM三大主要生產商——三星電子、SK海力士和美光科技正通過與一級AI客戶簽訂為期三到五年的長期協議，鎖定全球記憶體供應。
DigiTimes預判，2027年全球近半數DRAM產能將被大客戶包攬，中小廠商難以拿到供貨份額。
與此同時，供應鏈有消息透露，2027年AI硬體將持續存在根本性供貨缺口。2026年底晶片廠商議價權將拉滿，未提前簽訂長期供貨協議的消費電子企業，或將遭遇嚴重記憶體斷供危機。
今年，部分供應商的DDR5利潤率已突破80%，迫使晶片製造商不得不要求更高的HBM定價，以證明從傳統DRAM生產線轉移的合理性。
緊縮供應、漲價敘事正在成為儲存晶片類股的強大催化劑。
美東時間7月10日，韓國儲存晶片巨頭SK海力士通過美國存托憑證（ADR）在美股市場首次亮相，創下歷史紀錄的265億美元發行規模，其ADR價格大漲超12%，較韓股普通股股價存在顯著溢價，顯示出美股儲存晶片類股巨量交易的強勁延續態勢。
SK海力士首席執行長郭魯正表示，全球儲存晶片行業正邁向史上最嚴重的供應短缺，預計2027年將成為行業供應最緊張的一年。儘管公司正積極擴充產能，但他預計，儲存晶片需求仍將持續超過公司的生產能力，並一直延續到2030年以後。
儲存模組大廠釋放重磅訊號
全球第二大儲存模組企業——威剛董事長陳立白近日透露，2026年第三季度儲存晶片繼續漲價。
陳立白表示，2026年第三季度，DRAM與NAND Flash價格將再度大幅上調，兩大產品線漲勢明確，儲存產業的上升通道仍在加速。
陳立白透露，儲存器原廠已通知第三季度DRAM合約價將上漲20%至30%，NAND Flash將調漲35%至40%；兩大產品線價格均維持上升趨勢，將持續助力威剛業績表現。
陳立白稱，當前三大儲存原廠2026年絕大部分產能早已提前訂滿售出，不少客戶已經開始洽談2027年及更長期的供貨合約。
威剛表示，隨著AI算力需求持續擴張，廠商分配給通用DRAM、消費級固態硬碟NAND快閃記憶體的產能持續縮減，本就處於供給最緊張階段的儲存市場供需矛盾將進一步加劇。2027年記憶體、固態硬碟產品的供貨緊缺問題或將進一步惡化。
在此之前，多家機構也發表報告預計2026年第三季度儲存晶片價格將繼續上漲。
據TrendForce（集邦諮詢）最新發佈的儲存器價格調查報告，第三季度整體DRAM格局持續極度緊缺，但因消費級應用需求下修及高價格基數原因，合約價漲幅收斂，預計將季增13%—18%。
NAND Flash方面，集邦諮詢認為，主要需求仍由AI推理與大型資料中心建設支撐，但因合約價格已達歷史高點，消費端客戶在需求放緩的情況下，對價格承受力已達極限，預計整體NAND Flash合約價將季增10%—15%，漲價幅度較前幾季明顯縮減。
瑞銀在7月發佈的最新報告中大幅上調儲存晶片價格預期，稱DRAM報價會在第三季度上漲32%（此前預期17%）、第四季度再漲18%（此前預期12%）；NAND Flash報價預計會在第三季度上漲30%，第四季度將再漲12%。 (券商中國)