快科技7月11日消息，韓國和日本研究人員在2026年IEEE/JSAP VLSI技術與電路研討會上，同時提出了兩種全新的HBM（高頻寬記憶體）方案，核心思路驚人一致：把DRAM（動態隨機存取記憶體）晶片豎起來放，解決AI晶片越來越嚴重的散熱瓶頸。
韓國方案叫V-Die，由蔚山國家科學技術研究所（UNIST）提出。這套設計把定製DRAM晶片旋轉90度豎直放置，用TSV（矽通孔）釋放晶片面積來塞更多記憶體單元，每個晶片底部獨立走I/O通道，相鄰晶片之間還塞了液冷散熱通道。
模擬測試中，同樣容量下V-Die跑GPT-3等級負載達到540 tokens/s，而傳統HBM4隻有296 tokens/s，性能翻了近一倍。
日本方案叫MOSAIC，由東京大學團隊主導，思路類似但重點不同，它用正交晶片堆疊加上無接觸晶片間介面，資料傳輸不靠物理觸點，而是通過微型電感線圈耦合，每個通道速率跑到4 Gbps。
研究團隊稱這種結構能讓DRAM-on-GPU配置下的容量達到HBM4的兩倍。
兩種方案直指同一個痛點，AI晶片被記憶體卡脖子，現代AI加速器算力夠強，但大模型要頻繁在記憶體和計算單元之間搬運海量資料，HBM靠垂直堆疊DRAM晶片靠近處理器來緩解這個矛盾，輝達Blackwell Ultra B300就配了288GB HBM3E。
但堆得越高散熱越難，V-Die和MOSAIC本質上都是用"側放"換散熱空間，順便還把頻寬和容量一起拉上去了。
不過這兩項技術目前還停留在論文階段，距離量產還有距離。
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