或許我們對當前的內存危機過於擔憂。
據TrendForce預測，明年NAND閃存的供應增長將超過需求，供應限制將在2027年下半年緩解。又或許我們擔憂得還不夠：Adata董事長表示，DRAM短缺將持續十年，內存和電力將成為全球最稀缺的兩種資源。
TrendForce 最新發布的 NAND 閃存報告對於那些希望 SSD 價格最終回歸正常水平的用戶來說，無疑是個難得的好消息。這家分析公司表示，由於人工智慧需求的蓬勃發展與產能擴張的侷限性相沖突，市場在 2026 年仍將持續供不應求，供應缺口預計在 4% 到 5% 之間。
值得慶幸的是，這種情況有望在明年下半年開始好轉。供應商正在轉向更新的製造工藝，穩步提高位元產量，並有選擇地升級現有生產線。中國製造商也在安裝新設備，預計這將使其在全球NAND位元產量中的份額提升至近19%。
目前服務器佔NAND閃存消費量的40%以上，預計英特爾和AMD下一代服務器平台的出貨量將推動今年服務器總出貨量增長17%。然而，智能手機和筆記本電腦的需求量合計接近40%，但市場依然疲軟。TrendForce預計，到2026年，智能手機產量將下降15%至20%，而筆記本電腦出貨量將下降約10%。
與Silicon Motion近期發出的警告相比，TrendForce的預測更為樂觀。Silicon Motion此前警告稱，由於雲服務公司優先於消費產品，2027年將是NAND閃存供應最糟糕的一年。TrendForce也認為產能將在明年繼續受限，但相信供應增長最終將在下半年超過需求。
DRAM的情況似乎截然不同。Adata董事長陳立白表示，業界低估了人工智慧基礎設施的未來需求，儘管三星、SK海力士和美光都有擴張計劃，但他認為DRAM短缺的情況可能還會持續十年。
陳表示，計劃在2028年至2035年間投產的新工廠可能仍無法滿足市場需求。他還駁斥了有關人工智慧泡沫的擔憂，認為在2040年甚至2050年之前，不應認真討論這一話題。他認為，Meta和xAI租賃過剩計算能力的報導並不意味著需求正在放緩，因為人工智慧正在擴展到更多商業和政府應用領域。
據近期報導，SK海力士預測內存短缺將在2027年達到頂峰，並持續到2030年；美光也預計內存短缺將持續到2027年以後。這場危機已經將DDR5內存套裝的價格從100美元左右推高至400美元以上，重新刺激了對DDR4內存的需求，並引發了內存成本上漲可能導致PC和智能手機價格上漲高達8%的警告。
SK海力士CEO發出警告
如果你認為目前消費電子領域由記憶體晶片通膨引發的混亂局面已經到了最糟糕的地步，SK海力士的CEO希望你重新考慮一下，尤其是在不斷有報導稱記憶體領域在未來很多年內都不會達到供需平衡的情況下。
2027年晶圓供應量將增長12%，但其中一半增長將用於HBM，這將限制非HBM DRAM位增長至15%，而需求量卻激增22%。
具體來說，SK 海力士首席執行長郭魯正預測，即使在經歷了目前與內存相關的動盪之後，未來仍將面臨更加艱難的時期，並表示從供應角度來看，2027 年「將是該行業歷史上最糟糕的一年」。
與此同時，為了更好地理解現狀，《商業時報》最近的一篇報導披露，預計 2027-2028 年與記憶體器相關的晶圓供應量將以每年約 12% 的速度增長，但其中約一半的供應量將用於 HBM。
因此，三星將在 2026 年出貨約 120 億 Gb 的 HBM，並在 2027 年將其增至 200 億 Gb。與此同時，SK 海力士將在 2026 年供應 180 億 Gb 的 HBM，並在 2027 年供應 240 億 Gb 的 HBM。
因此，2027-2028 年非 HBM DRAM 位增長將限制在每年 15% 的增長率，而預計屆時需求將增長 22%。
與此同時，為了更好地理解現狀，《商業時報》最近的一篇報導披露，預計 2027-2028 年與記憶體器相關的晶圓供應量將以每年約 12% 的速度增長，但其中約一半的供應量將用於 HBM。
因此，三星將在 2026 年出貨約 120 億 Gb 的 HBM，並在 2027 年將其增至 200 億 Gb。與此同時，SK 海力士將在 2026 年供應 180 億 Gb 的 HBM，並在 2027 年供應 240 億 Gb 的 HBM。
因此，2027-2028 年非 HBM DRAM 位增長將限制在每年 15% 的增長率，而預計屆時需求將增長 22%。 (半導體行業觀察)