在高頻寬記憶體器（HBM）產能持續擴張的同時，三星電子與SK海力士正把部分新增或可靈活調配的動態隨機存取記憶體器（DRAM）產能優先配置給伺服器DDR5及其他傳統記憶體產品。相關調整併未觸及已向客戶承諾的HBM供應量，而是反映出伺服器DDR5價格快速上漲後，傳統DRAM與HBM之間的盈利差距明顯縮小，記憶體廠商開始重新評估不同產品的邊際收益。
DDR5價格上漲更快傳導至利潤
Dealsite援引半導體與裝置產業消息稱，自2026年第一季度以來，三星電子和SK海力士在分配新增產出、調整不同產品的晶圓投入時，均提高了伺服器DDR5等傳統DRAM的優先順序。市場估計，HBM與伺服器DDR5之間一度達到4至5倍的價格差，可能在2026年底縮小至1至2倍。部分伺服器級64GB DDR5寄存式雙列直插記憶體模組（RDIMM）的每晶圓收入，甚至被估計已超過HBM。
兩類產品的定價機制是盈利變化的重要原因。HBM通常通過年度或長期協議預先鎖定價格與數量，供應商難以即時分享市場價格突然上漲帶來的全部收益；DDR5合約價格在供需收緊時調整更快，價格上漲能夠更迅速反映到營收和利潤中。與此同時，傳統DRAM無需經過HBM所需的多層堆疊與鍵合工序，在減少後端製程複雜度、良率損耗和測試負擔的情況下，即使平均售價較低，也可能形成更高的短期利潤率。
AI資料中心同時拉動HBM與伺服器DDR5
此次產能調整併不意味著AI記憶體需求降溫。AI加速器需要HBM提供高頻寬資料吞吐，與其配套的中央處理器、主機記憶體以及通用伺服器叢集則需要大量DDR5。隨著雲服務商同時擴建AI伺服器和通用計算基礎設施，兩類記憶體產品的需求正在同步上升，此前過度向HBM傾斜的產能配置也加劇了傳統DRAM供應緊張。
Meritz Securities分析師Kim Sunwoo估計，2026年下半年DRAM供應商只能滿足約75%至80%的需求；到2027年，滿足率可能降至60%區間，若剔除部分投機性訂單，則可能維持在約70%。這一判斷屬於證券機構估算，並非記憶體廠商公佈的產能資料，但顯示市場對伺服器DRAM供應缺口的擔憂正在升溫。
三星擴充後端測試能力，緩解出貨瓶頸
隨著DRAM出貨量增加，三星電子也在擴充後端測試產能。公司自2025年開始匯入Exicon的腔體式低頻記憶體測試系統（CLT），並於2026年新增Neosem作為供應商。CLT可在同一腔體內配置多塊測試板，同時測試大量DRAM器件，提高傳統記憶體產品的大批次測試效率。
Exicon披露，其與三星電子簽署了498.5億韓元的CLT及固態硬碟測試裝置供貨合同；Neosem另獲得86億韓元的CLT記憶體測試裝置合同，兩項合同期限均至2026年12月31日。Daishin Securities的報告稱，Exicon的CLT系統可同時測試11520顆器件，而擬替代的舊式海外裝置單次約測試500顆，吞吐量超過20倍。
CLT目前主要用於傳統DRAM，但通過更換介面板而非整機，未來可擴展至HBM和圖形DRAM測試。市場消息稱，HBM測試樣板已經送樣，但尚無證據表明相關裝置已進入商業化HBM測試階段。這也意味著，在晶圓供應之外，後端測試裝置和驗證能力可能成為記憶體出貨擴張的新約束。
SK海力士放緩部分轉換，但未削弱HBM戰略
ChosunBiz援引產業消息稱，SK海力士正放緩部分原計畫由HBM3E轉向第六代HBM4的產線轉換，以保留更多產能生產傳統DRAM。市場估計，2026年第一季度傳統DRAM的營業利潤率在部分情況下較HBM高出15個百分點以上，儘管HBM的每位元售價仍明顯更高。
不過，SK海力士的HBM收入佔比已超過40%，公司仍持續建設面向HBM和其他先進記憶體產品的新廠。三星電子也未縮減HBM佈局，已於2026年2月啟動HBM4量產和商業出貨，並繼續擴充相關產能。兩家公司目前的變化主要針對新增產出和可靈活調整的晶圓配置，既有HBM客戶承諾並未受到影響。
產業觀察：記憶體競爭轉向“每晶圓收益”
記憶體廠商的決策邏輯正在從單純追求高售價產品，轉向比較不同產品的每晶圓收入、製造成本、後端製程複雜度、合約定價彈性與產能周轉效率。HBM仍是AI加速器不可替代的關鍵記憶體，但其堆疊、鍵合和測試流程更複雜，且長期合約限制了短期價格上行的利潤傳導速度。當伺服器DDR5價格快速上漲時，傳統DRAM可能在短期內提供更高的資本回報。
因此，三星電子與SK海力士提高DDR5優先順序，更接近對邊際產能的動態最佳化，而不是從HBM戰略撤退。未來市場需要關注三項變化：伺服器DDR5缺口能否持續、HBM長期合約價格是否上調，以及後端測試產能能否同步擴張。若AI基礎設施繼續同時拉動加速器和通用伺服器，HBM與DDR5平行增長的格局可能延續，記憶體廠商的盈利差異將更多取決於產品組合和執行效率。 (半導體產業研究)