7月，台積電、三星電子、力積電先後宣佈新一輪晶圓代工漲價計畫。台積電預計2027年初實施全面調價，先進製程、成熟製程漲幅5%‑10%，針對HPC晶片追加訂單額外加收10%‑15%；三星電子面向新客戶上調4nm、5nm以及部分車規8nm製程報價約15%；力積電大幅上調DRAM記憶體代工加工費45%，同步將邏輯代工價格上調10%‑15%。晶圓代工集體提價，或將推高全半導體產業鏈整體成本。
記憶體晶片漲價已經連續三個季度，行業呈現量價齊升態勢，多項價格指標創下歷史新高。根據TrendForce集邦諮詢預測，2026年第三季度DRAM市場供需依舊高度緊張，但受消費端需求走弱、高價格基數影響，合約價格漲幅有所收斂，預計季度環比上漲13%‑18%。NAND‑Flash需求主要依靠AI推理、大型資料中心建設支撐；當前合約價格已經處於歷史高位，消費端需求走弱，下遊客戶價格承受能力接近上限，預計Q3 NAND‑Flash合約價環比上漲10%‑15%，漲價幅度較前期明顯回落。
月報快覽
華強電子產業研究所
1. 行業總量
5月全球半導體銷售額首次突破1200億美元
上半年算力需求大幅增長，推動國內電子行業利潤同比增長96.9%
預計2026年中國半導體市場規模將超8000億美元
機構預估今年全球晶片裝置銷售額有望增長23.2%，到2028年達到2295億美元
2. 半導體供應鏈
台積電明年將全面上調晶圓代工價格
三星電子對新客戶特定製程漲價約15%
力積電7月起上調DRAM記憶體代工報價45%，邏輯代工漲價10‑15%
機構預估26Q3全球記憶體晶片價格漲幅將收斂
下半年SLC NAND價格將翻倍式上漲
華潤微啟動年內第二輪調價，全品類漲價15%起
基本半導體宣佈最高漲價25%
國巨全系列電容產品漲價，首次納入直接客戶
太陽誘電、三星電機MLCC新一輪漲價
高通SoC晶片漲價9月生效，或影響手機產品定價
3. 企業風向標
輝達與SK海力士擴大AI領域記憶體合作
三大記憶體原廠放棄自研CXL記憶體控製器
SK海力士計畫重啟大連二廠擴建工程
台積電業績超預期並大幅上調全年資本開支
美光科技計畫2035年前將對美本土投資總額增至2500億美元
英特爾投資50億歐元擴大歐洲晶片製造
博世首座美國晶圓廠啟動樣品生產
ADl完成對Empower Semiconductor的收購
SK海力士登陸納斯達克，募資265億美元創外國企業赴美IPO紀錄
長鑫科技科創板上市，開盤市值3.31兆
4. 產業政策
美國對DRAM裝置及其下游產品和元件啟動337調查
1. 行業總量
5月全球半導體銷售額首次突破1200億美元
美國半導體行業協會（SIA）7月6日公佈資料顯示，2026年5月全球半導體銷售額達到1206.1億美元，同比增長104.1%，環比增長9.2%。
SIA總裁兼首席執行長John Neuffer表示，全球半導體市場在5月繼續保持大幅增長，創下歷史最高月度銷售紀錄，並且實現了連續第15個月的環比增長。銷售增長持續受到美洲、亞太地區和中國強勁的同比漲幅驅動。
上半年算力需求大幅增長，推動國內電子行業利潤同比增長96.9%
國家統計局工業司首席統計師於衛寧表示，上半年，人工智慧與各領域加速融合，算力需求大幅增長，推動電子行業利潤同比增長96.9%，拉動全部規模以上工業企業利潤增長8.5個百分點，是規模以上工業企業利潤較快增長的重要支撐。其中，伺服器、高性能工作站相關領域中，電腦整機製造、電腦外圍裝置製造行業利潤分別增長689.3%、305.8%；電子器件製造領域中，積體電路製造、半導體分立器件製造行業利潤增長2579.5%、31.2%；電子元件及電子專用材料製造領域中，電子專用材料製造、電子電路製造行業利潤增長209.7%、26.9%。
預計2026年中國半導體市場規模將超8000億美元
據Omdia資料顯示，2026年中國半導體市場預計同比增長率將大幅上修至92.9%，達8120.8億美元，相較於2025年四季度預期資料（2026年中國半導體市場規模將達到5465億美元，增長31.26%）整體上調了2656億美元，增幅達到48.6%。
機構預估今年全球晶片裝置銷售額有望增長23.2%，到2028年達到2295億美元
受人工智慧（AI）、基礎設施投資增加的推動，全球半導體製造裝置市場預計將在2028年達到歷史最高水平。根據全球半導體行業協會（SEMI）發佈的報告，2026年全球半導體裝置銷售額預計將增長23.2%，達到1659億美元，到2028年將創下歷史新高，達到2295億美元。
2. 半導體供應鏈
台積電明年將全面上調晶圓代工價格
7月21日消息，台積電計畫在2027年初全面上調晶圓代工價格，這是近年來首次對全線製程進行系統性調價。調價涵蓋先進製程和成熟製程，基礎漲幅為5%-10%，具體幅度視客戶和產品而定。對於超出客戶原先預期的高性能計算（HPC）晶片追加訂單，將在基礎漲幅之上再加收10%-15%的溢價。因此，部分先進製程訂單的整體漲價幅度可能超過10%，甚至高達25%。
三星電子對新客戶特定製程漲價約15%
7月9日，據韓媒消息，三星晶圓代工對新客戶上調部分製程報價約15%，調價集中在需求旺盛的4nm、5nm先進製程以及部分車用8nm節點；本次調價僅面向新增客戶，存量長期合作客戶並未統一漲價，三星官方尚未公開發佈調價公告。
力積電7月起上調DRAM記憶體代工報價45%，邏輯代工漲價10‑15%
7月14日，晶圓代工廠力積電（PSMC）在2026年第二季度法人說明會上披露，自2026年7月起上調DRAM記憶體晶圓代工報價45%；同步上調8英吋、12英吋邏輯代工價格，漲幅區間10%‑15%。這是本輪記憶體景氣周期以來，代工環節的單次最大漲幅，超出市場此前預期。漲價效應預計伴隨11月新產能投產逐步反映至營收；公司同時判斷DRAM供需缺口或將延續至2027年。
機構預估26Q3全球記憶體晶片價格漲幅將收斂
記憶體晶片漲價進入連續第三個季度，量價齊升態勢明顯，多項價格資料刷新歷史記錄。TrendForce集邦諮詢資料顯示，2026年第三季整體DRAM格局持續極度緊缺，但因消費級應用需求下修及高基期因素影響，合約價漲幅收斂，預計將季增13%至18%。
NAND Flash主要需求仍由AI推理與大型資料中心建設支撐，但因合約價格已達歷史高點，消費端客戶在需求放緩的情況下，對價格承受力已達極限，預估整體NAND Flash合約價將季增10%至15%，幅度較前幾季明顯縮減。
CFM快閃記憶體市場也表示，一季度，多數原廠已將手機客戶NAND、DRAM砍單的部分產線轉移至伺服器市場，但上半年原廠供應優先順序仍以北美伺服器客戶為重心，優先提升北美客戶的供應滿足率；下半年得益於Q1產能轉移的紅利逐步兌現，疊加產線製程迭代升級帶來新增產能釋放，原廠將適度提升國內網際網路廠商的供貨配額，國記憶體儲供應相較上半年將有所改善，不過，伺服器市場仍由賣方主導。預計Q3伺服器價格維持雙位數百分比漲幅，並向其他市場傳導。
下半年SLC NAND價格將翻倍式上漲
TrendForce集邦諮詢調查顯示，由於高層數3D NAND等高附加價值產品排擠成熟製程產能，MLC NAND供給極度短缺，迫使部分工控、車用和網通客戶計畫改採用SLC NAND，將導致原已吃緊的SLC供應情況更加緊繃。同時，AI邊緣運算、資料中心、汽車電子等對SLC的需求持續提升，供需缺口急劇擴大，預估將推升2026年下半年SLC合約價格較上半年調漲120%-170%，不排除有上修空間。
華潤微啟動年內第二輪調價，全品類漲價15%起
7月1日，華潤微電子正式向全管道客戶下發產品調價通知，宣佈當日起旗下全部產品線統一上調價格，漲幅最低15%；本次調價為華潤微年內第二輪全品類提價，核心源於全產業鏈成本持續走高，疊加功率半導體供需缺口持續擴大，企業內部降本空間已完全見底。
基本半導體宣佈最高漲價25%
7月13日，基本半導體正式宣佈，自2026年第三季度起對部分產品銷售價格進行適度調整，上調幅度最高不超過25%，覆蓋其核心的車規級/工業級碳化矽功率半導體模組、半導體分立器件及功率半導體柵極驅動晶片。
國巨全系列電容產品漲價，首次納入直接客戶
7月1日，國巨發佈調價通知，自當日開始調漲全系列電容產品價格，包括鉭電、MLCC、鋁電、固態鋁電、薄膜電容、超級電容等。調價涉及的產品覆蓋國巨約50%營收，且漲價對象首次納入直接客戶（EMS/OEM）。
太陽誘電、三星電機MLCC新一輪漲價
7月下旬，太陽誘電與三星電機均已正式宣佈上調MLCC產品價格。其中，三星電機將於8月1日起調漲MLCC產品價格，調幅達30%；太陽誘電也將調漲MLCC價格，擬於9月1日起生效，具體幅度視產品線而定。
高通SoC晶片漲價9月生效，或影響手機產品定價
高通在2026財年第三財季業績電話會議上宣佈，自9月1日起對全線晶片產品實施價格上調，漲幅為兩位數百分比。調價範圍覆蓋手機、PC、可穿戴、物聯網等全品類晶片產品。
此前，聯發科已於6月下旬向客戶發佈漲價函，全線產品（含手機SoC、電源管理晶片等）預估漲幅約在10%至15%區間。
本輪漲價是半導體產業鏈成本壓力向下游傳導的直接體現，將直接衝擊下半年Android旗艦新機定價。業界預測搭載新款驍龍晶片的Android旗艦手機起售價將普遍上漲1000元以上，部分機型起售價可能站上6000元甚至衝擊萬元區間。
3. 企業風向標
輝達與SK海力士擴大AI領域記憶體合作
SK集團和輝達在7月25日宣佈了一項超過5000億美元的全面合作計畫，以建立人工智慧基礎設施，滿足全球計算需求的激增。雙方簽署了意向書，正式確定了從人工智慧工廠建設到人工智慧記憶體供應的協議。
SK電訊計畫使用輝達Vera Rubin晶片和SK海力士HBM4記憶體建構2吉瓦AI資料中心。SK海力士還與輝達建立了長期的AI記憶體合作夥伴關係，兩家公司將共同開發和最佳化包括HBM在內的下一代人工智慧記憶體解決方案，用於AI訓練、AI代理及物理AI應用。
三大記憶體原廠放棄自研CXL記憶體控製器
7月20日，據韓媒報告，三星電子、SK海力士、美光均已相繼縮減或叫停CXL（Compute Express Link）記憶體控製器的自主研發項目，瀾起科技、Astera Labs、Prime Mass等廠商有望承接相關市場。
其中，美光最先調整，解散獨立CXL控製器自研團隊，全面採用Prime Mass方案；SK海力士通知合作夥伴終止自研項目，相關研發人員調配至存內處理PIM（Processing In Memory，存內處理）方向；三星不再推進自研控製器商業化路線，僅保留內部前沿學術探索。行業分析認為，原廠顧慮自研CXL控製器會擠壓自有通用DRAM產品市場，因此轉向採購第三方Fabless晶片方案。
SK海力士計畫重啟大連二廠擴建工程
近日，據行業媒體報導，SK海力士計畫重啟大連第二工廠擴建項目，擬自2026下半年啟動裝置搬入，2027年上半年分階段完成產線建設；規劃新增一條V8（238層NAND快閃記憶體）產線，月產能目標3‑5萬片晶圓。SK海力士對外表示大連二廠重啟可能性有所提升，但項目具體時間尚未最終確認。
台積電業績超預期並大幅上調全年資本開支
7月16日，台積電召開2026年第二季度業績說明會。受益於AI與高性能計算需求拉動，公司二季度營收、毛利率、淨利潤均創下歷史新高，同步上調全年營收增速指引與資本開支規劃。
台積電宣佈，計畫在美國亞利桑那州追加1000億美元投資，建設2nm及更先進製程晶圓廠與先進封裝工廠；董事長暨總裁魏哲家表示，新增投資預計可新建至少4座工廠。公司將2026年資本開支由原先520‑560億美元上調至600‑640億美元；其中70%‑80%投向先進製程，10%‑20%用於先進封裝等配套業務。
美光科技計畫2035年前將對美本土投資總額增至2500億美元
7月9日，美光科技發佈公告，受益於AI驅動記憶體需求快速增長，計畫到2035年將美國本土累計投資提升至2500億美元；長期目標將美國本土產出佔自身DRAM總產量比重提升至40%。該投資佈局反映公司看好高端記憶體產品長期需求，強化美國本土半導體供應鏈。
英特爾投資50億歐元擴大歐洲晶片製造
7月13日，英特爾宣佈向愛爾蘭萊克斯利普（Leixlip）製造園區追加50億歐元投資，擴充先進晶片製造產能，匹配AI、高性能計算需求。資金用於現有晶圓廠升級、新增尖端生產裝置與自動化產線擴建；愛爾蘭工廠為Intel3製程核心基地，本次擴產既服務全球客戶，也強化歐洲本土晶片供給能力與產業韌性。
博世首座美國晶圓廠啟動樣品生產
7月13日，博世（Bosch）位於美國加利福尼亞州羅斯維爾的8英吋碳化矽（SiC）晶圓廠已啟動樣品生產，預計2026年內實現商業化量產；該廠聚焦高壓功率半導體，面向新能源汽車、資料中心、國防市場，是博世在美國第一座半導體製造工廠，也是博世全球SiC供應鏈重要佈局。
ADl完成對Empower Semiconductor的收購
近日，模擬大廠ADI宣佈公司已完成對Empower Semiconductor的收購。本次收購進一步鞏固ADI面向AI全鏈路從電網到核心電源晶片的方案能力，擴大公司在AI算力供電賽道市場空間。
SK海力士登陸納斯達克，募資265億美元創外國企業赴美IPO紀錄
當地時間7月10日，韓國半導體巨頭SK海力士正式在美國納斯達克掛牌交易。此次發行的美國存托憑證（ADR）共募集資金265億美元，超過2014年阿里巴巴的250億美元的上市規模，成為美股歷史上規模最大的外國企業首次公開募股。SK海力士在美股上市，預計將對全球記憶體晶片行業的估值格局與擴產周期產生長遠影響。
長鑫科技科創板上市，開盤市值3.31兆
7月27日，國產DRAM龍頭長鑫科技正式在上交所科創板掛牌，是科創板史上規模最大IPO。上市首日集合競價開盤漲幅471.59%，對應總市值3.31兆元，開盤階段總市值超越工商銀行，登頂A股；本次IPO落地將為國產DRAM擴產、技術研發提供資金支援，加速國記憶體儲自主供給能力建設。
4. 產業政策
美國對DRAM裝置及其下游產品和元件啟動337調查
7月15日，美國國際貿易委員會（ICT）投票決定對DRAM裝置及其下游產品和元件啟動337調查。申請人為加州爾灣的記憶體技術公司Netlist, Inc.，被申請人不僅包括三星電子及其兩家美國子公司，還包括三星的下遊客戶——Google、輝達、博通和超微電腦。
美國國際貿易委員會將於立案後45天內確定調查結束期。除美國貿易代表基於政策原因否決的情況外，美國國際貿易委員會在337案件中發佈的救濟令自發佈之日生效並於發佈之日後的第60日起具有終局效力。 (華強電子產業研究所)