全球晶圓代工龍頭台積電在本周舉行的財報電話會議上,公佈了其下一代先進製程A14(1.4奈米級)的最新進展。資料顯示,該製程在過去三個月內取得了“突飛猛進”的發展,成熟速度顯著領先於此前N2(2奈米)製程在相同開發階段的表現,已引發智慧型手機、AI及高性能計算領域客戶的強烈興趣。
台積電首席執行長魏哲家在會上表示:“A14技術開發正按計畫順利推進。內部類產品測試載具的器件性能已經接近目標水平的90%,256Mb SRAM良率也接近90%。”這一資料較今年4月有了顯著提升——當時A14剛剛達到超過85%的目標電晶體性能和超過80%的256Mb SRAM良率。短短三個月內,器件性能提升了約5個百分點,SRAM良率更是提升了近10個百分點。
與N2製程的對比更能凸顯A14的進度之快。2023年4月,N2在相同開發階段僅實現了超過80%的目標器件性能,而256Mb SRAM測試晶片良率更是剛剛超過50%。直到2024年4月,N2才達到超過90%的目標器件性能和超過80%的SRAM良率。分析認為,這一差異主要源於台積電在GAA(全環繞柵極)奈米片電晶體技術上的經驗積累。N2是台積電首項採用GAA電晶體的製程,而A14則採用了第二代GAA器件,得以充分利用N2開發和量產過程中積累的電晶體設計、製程最佳化和製造經驗。
在性能指標上,與N2相比,A14在功耗和電晶體數量相同的情況下,性能預計可提升10%至15%;在運行頻率和設計複雜度相同的情況下,功耗預計降低25%至30%;混合設計的電晶體密度預計提高約20%,邏輯設計則可提高23%。