傳統DRAM與NAND快閃記憶體價格7月雙雙創下多年新高，AI伺服器持續搶佔儲存產能，推動傳統PC及消費電子儲存晶片供應趨緊，儲存漲價週期仍未結。TrendForce旗下DRAMeXchange資料，PC用基準DDR4 8Gb DRAM 7月平均合約價升至24美元，環比上漲14.3%，創2016年6月有統計以來新高；128Gb MLC NAND均價升至30.05美元，首次突破30美元。
TrendForce預計，AI伺服器及高頻寬記憶體（HBM）需求將繼續擠佔傳統DRAM產能，DRAM供應緊張或持續至2027年；相比之下，NAND市場隨著新增產能投放，2027下半年供應有望逐步改善。
一、資料綜述——歷史等級的價格飆升
據TrendForce旗下DRAMeXchange資料顯示，2026年7月，韓國主導的PC用DDR4 8Gb DRAM與128Gb MLC NAND價格雙雙創下歷史新高。
| 24 | +109% | ||||
| 30.05 | +218% |
（貨幣單位：美元）
DDR4價格自1月的11.50美元開始，逐月攀升——3月13美元、4月16美元、5月20美元、6月21美元、7月24美元。對比2016年有統計之初的2.9美元，漲幅已超8倍。NAND方面，128Gb MLC NAND實現連續19個月漲價。部分SLC NAND產品7月單月漲幅高達35%-51%，供需最為緊張。
這一輪漲價的幅度和持續性，在儲存行業過去十年的歷史上極為罕見。
二、漲價原因剖析——供給端的結構性收縮
本輪漲價的核心驅動力並非需求突然暴漲，而是供給的主動收縮。
1. AI對產能的"虹吸效應"
AI伺服器對HBM的需求呈指數級增長。一顆HBM晶片需要大量先進DRAM晶圓，且封裝工藝更複雜，佔用了大量生產資源。全球三大儲存廠商——三星、SK海力士、美光——已將大部分先進製程產能傾斜至HBM，美光約70%的產能轉向HBM與高端伺服器儲存。對於儲存廠商而言，同樣一片晶圓，生產利潤更高的HBM，自然不會優先生產利潤較低的DDR4。
這種產能轉移的結果是：傳統PC DRAM及成熟製程NAND供應持續收縮。"主動減產"是這一輪漲價與以往週期最大的區別——並非需求過旺導致供不應求，而是廠商主動將資源向AI端傾斜。
2. 雲服務商的"鎖定效應"
微軟、亞馬遜、Alphabet和Meta等全球四大雲端運算巨頭持續擴大AI基礎設施投資，HBM和伺服器DRAM需求不斷創出新高。在DRAM供不應求的格局下，下遊客戶已與三星、SK海力士、美光簽訂了多年長期協議，優先鎖定產能供給。目前HBM產能已幾乎全數售罄至2026年底，2027年大部分產能也已提前被主要客戶預訂。
3. 結構性而非週期性的變化
AI已經把儲存晶片從"價格競爭"推向"產能與技術競爭"。這不是短期供需失衡造成的波動，而是AI時代資源重新分配帶來的結構性變化。儲存行業已徹底擺脫過去幾年"價格戰""庫存過剩""虧損競爭"的舊週期，如今市場討論的不再是誰降價，而是誰還能拿到貨。
三、市場展望——DRAM與NAND走向分化
TrendForce對DRAM和NAND的未來走勢給出了截然不同的判斷：
DRAM：緊缺延續至2027年
TrendForce預計，AI伺服器及HBM需求將持續擠佔傳統DRAM產能，DRAM供應緊張或持續至2027年。2026年DRAM供需缺口（sufficiency ratio）落在-1%至-2%之間，2027年由於需求增速超越供給增長，缺口將進一步擴大。
供給端受限的核心原因在於：HBM製造流程所需的晶圓投入遠高於一般型DRAM，導致新增投片量無法等比例轉換為有效位元產出。儘管多家供應商規劃新產能在2027年陸續投產，但受建廠時程、裝置移機等約束，顯著產出貢獻要到2028年才能發酵。
NAND：2027下半年有望改善
NAND市場的供需結構預計在2027年發生反轉。隨著各大廠商加速轉進高層數產品，以及新廠產能逐步釋放，位元供給增長將超越2026年。TrendForce預計2026年NAND市場將錄得4-5%的供給缺口，但2027年下半年供需平衡將由負轉正，供應緊張將逐步緩解。
不過，消費電子終端需求持續走弱構成關鍵變數。TrendForce預測2026年全球智慧型手機產量將同比下降15-20%，筆記本出貨量預計下降約10%，2027年仍可能繼續小幅收縮。智慧型手機和筆記本合計仍佔NAND總需求的近40%，消費市場的疲軟是NAND供需反轉的重要推手。
四、投資分析
核心受益方向
1. 全球三大儲存原廠——最直接的受益者
三星電子、SK海力士與美光三家儲存廠商已相繼站上萬億美元市值門檻，是半導體業界前所未見的紀錄。其中：
- SK海力士憑藉HBM技術優勢，在AI時代持續擴大領先地位，HBM訂單已排到未來數年。目前SK海力士仍以58%市佔率穩居HBM龍頭。
- 三星電子擁有全球最大的DRAM與NAND市場份額，2026年儲存業務資本開支將顯著增加。
- 美光約70%產能轉向HBM與高端伺服器儲存。
2. 國產儲存廠商的"補位"機會
當三大廠將最先進產能全押注在HBM時，DDR3、DDR4、LPDDR以及車用、工規等"非主流"品類反而成為稀缺資源。中國大陸廠商長鑫科技全球市佔率從2025年首季的3%躍升至2026年同期的7.7%，躋身全球第四大DRAM原廠。
3. 半導體裝置供應商
隨著三星、SK海力士、美光持續加大HBM及先進DRAM產能投入，國內長鑫儲存、長江儲存擴產節奏同步加快，平台化半導體裝置商將率先受益。
風險因素
1. 漲價斜率可能放緩
持續暴漲之後，下游品牌客戶採購已開始變得謹慎，追高意願下降。TrendForce預計三季度PC DRAM合約價環比上漲13-18%，漲幅較二季度（58-63%）顯著收窄。
2. 消費端需求疲軟的反噬
PC與智慧型手機等消費終端需求本就偏弱，元件成本的大幅上漲正通過成品漲價傳導至消費者，進一步抑制換機意願。若消費端需求持續惡化，最終可能反過來壓制儲存價格的上漲空間。
3. NAND 2027年可能面臨價格修正
TrendForce已明確指出，NAND在2027年下半年供需格局將轉為寬鬆，價格恐面臨修正壓力。對於以NAND為主營的廠商，2027年後的盈利能見度存在較大不確定性。
4. 估值已大幅擴張
三大儲存廠商市值均已站上萬億美元，短期漲幅巨大。當前股價中已包含了大量對AI儲存超級週期的樂觀預期，一旦漲價節奏放緩或需求出現邊際變化，高估值面臨回呼壓力。
五、總結和展望
2026年7月，DDR4 DRAM與MLC NAND價格雙雙創下歷史新高，年內漲幅分別達109%和218%。本輪漲價的本質是AI時代資源重新分配帶來的結構性變化——儲存廠商主動將產能從傳統產品轉向HBM等高端AI儲存，導致傳統儲存供給持續收縮。TrendForce預計DRAM緊缺將延續至2027年，NAND則有望在2027下半年逐步改善。
對於投資者而言，全球三大儲存原廠仍是這一輪超級週期最直接的受益者，國產儲存廠商在成熟製程領域存在補位機會，半導體裝置商則受益於全球擴產週期。但需警惕漲價斜率放緩、消費端需求疲軟、NAND 2027年價格修正風險以及已大幅擴張的估值水平。 (invest wallstreet)