01
前沿導讀
2022年，美國發佈針對中國半導體產業三大核心領域的出口管制政策，要求對製造18nm及以下記憶體晶片、128層及以上快閃記憶體晶片、14nm及以下邏輯晶片所需的裝置實施出口管制，這一波壓制相當於切斷了中國記憶體晶片和邏輯晶片依靠外部裝置提升競爭力的機會。
隨後美國又開始針對光刻機這種通用製造裝置進一步實施限制，對中國兩家大型的記憶體晶片製造商、兩家大型的晶圓製造商，外加上一家中國老牌的科技巨頭實施全面出口管制，禁止ASML向其繼續銷售浸潤式DUV光刻機，並且要求ASML停止對其現有裝置的維護工作。
這種限制措施看似將中國晶片產業打入谷底，實際上卻推高了中國晶片的技術發展速度。
02
技術加速
據媒體報導指出，長鑫記憶體的LPDDR6記憶體技術已經進入研發驗證的尾聲，有望在今年實現量產。該記憶體技術的規格速率為12800 Mbps，顆粒容量16GB，相較LPDDR5有著明顯技術升級。長鑫記憶體LPDDR6記憶體的技術推進，將會進一步縮短中國記憶體產業與美韓企業之間的差距。
今年1月份，三星在CES（國際消費類電子產品展會）上首發了旗下最新的LPDDR6記憶體產品，該記憶體相比現在的LPDDR5X降低發熱，提升能效，適用於ai計算系統的需求。雖然三星在展會上對新記憶體進行了展覽，但官方並未透露預計的量產時間。
美光則是在會議上表示將會把現在的LPDDR5記憶體逐步過渡到LPDDR6，但是並未透露LPDDR6的技術進展和預計量產時間。
而技術進度最快的則是韓國SK海力士，SK海力士在今年3月宣佈完成LPDDR6的開發驗證工作，計畫上半年進行量產，下半年開始交付終端客戶。
在記憶體晶片的技術進度上面，中國企業不但追上了國際老牌巨頭，甚至還隱隱有些與其並駕齊驅的姿態。
全球記憶體產業常年被三星、SK海力士、美光這三家巨頭瓜分，這三家企業也擁有強大的產品定價權，後來者想要打開這個市場非常難。
並且韓國記憶體企業最擅長的發展思路就是“逆勢投資”，在產業較為低迷的時候砸錢擴充產品、開發新技術。一旦市場需求回暖，韓國企業將會在產能、技術水平等多個方面佔據優勢，其他競爭對手無力應對來自韓國企業強大的晶片競爭力，只能被迫走向倒閉或者被收購。
德國奇夢達、日本爾必達都是受到了這種“逆勢投資”的影響，最終宣告破產。
而如今記憶體市場的需求旺盛，三大記憶體巨頭將產能大部分轉移到製造ai產業所需的高頻寬記憶體（HBM），這讓消費級普通記憶體的市場缺口增大，給了中國記憶體企業一個市場發展的機會。
03
抓住機會
記憶體晶片的製造與邏輯晶片不同，消費級記憶體晶片並不太依賴尖端的EUV光刻機，主流的方法就是使用浸潤式DUV光刻機通過多重圖案化技術進行製造。只有記憶體速率較強的HBM晶片，依賴於EUV光刻機製造內部的核心關鍵層，除此之外只需要DUV光刻機足矣。
長鑫記憶體在資本層面的表現亮眼，這不僅僅代表了長鑫記憶體獲得了市場認可，更是讓中國半導體產業進入到一個更加深度的協同發展當中。
據媒體報導指出，作為全球第四、國內第一的記憶體晶片廠商，長鑫記憶體正在向更加高端的市場進行拓展。
國產超節點系統是中國ai產業重點推進的技術項目，超節點需要大量的國產算力晶片，同時也需要大量的記憶體晶片。此前標配的方案大多是以SK海力士、三星為主，現在已經開始根據客戶需求進行國產記憶體的適配。作為中國記憶體的“明星企業”，長鑫記憶體首當其衝。
除此之外，大量本土供應鏈企業也正在與長鑫記憶體進行戰略配售。
據《21世紀經濟報》指出，中微公司、瀾起科技、安集科技、通富微電、西安奕材、拓荊科技、屹唐股份、滬矽產業這八家與長鑫記憶體有關聯的公司格外引人注目。這八家企業基本覆蓋了記憶體生產的全套流程，從上游的材料，到刻蝕、沉積等製造裝置，再到記憶體介面和封裝測試。
中國半導體產業已經不是在單打獨鬥了，而是大家“抱團推進”。
目前為止，西方國家對中國半導體的打壓依然還是老一套的方案：針對特定的中國企業實施先進製造裝置的出口管制。
可以說整個先進製造產業鏈的裝置，幾乎都被美國封鎖了一大圈，但是這麼多年的封鎖下來，中國晶片產業並沒有被打垮，反而越來越強。此前被“卡脖子”的製造裝置環節也實現了部分裝置的國產化替代，只剩下光刻機這一個難點了。(逍遙漠)