一則傳聞引爆!3400億龍頭狂拉13%!

AI速讀
中微公司近日因市場傳聞三星與 SK 海力士評估引入其刻蝕裝置以對沖美國政策風險,刺激股價大幅上漲。雖然三星隨後否認,但該事件凸顯了國產半導體設備在技術成熟後,具有替代海外供應商的潛力。同步發布的半年報顯示,中微公司營收增長約 34.89%,歸母淨利潤爆增至 282%-310%,且研發投入佔營收比重達 30.52%,顯示其在高端設備開發上具備強大的競爭力與市場擴張潛力。

中國國產半導體裝置龍頭突傳大消息!

受韓國兩巨頭評估裝置傳聞刺激,中微公司今日盤中大幅飆漲。

截至午盤,該股漲超13%報361元,最新市值3457.81億元。

今年上半年,中微公司漲勢十分強勁,半年累計漲幅超150%。

不過隨後中微便開始陷入回呼,7月至今已跌超20%。

傳聞引爆!

今日市場突傳:三星電子、SK 海力士正在評估中微裝置。

報導稱,韓國兩大芯片巨頭計畫測試中國中微半導體(AMEC)的晶片製造裝置,以便可能在其中國工廠使用。

據悉,兩家韓企早在兩年前便啟動了中微公司刻蝕裝置的相關測試工作。

美國的出口管制政策、避險供應鏈的不確定性,是推動韓企尋求備用方案的核心誘因。

2023年,美商務部將三星、SK海力士的中國工廠納入“經驗證的終端使用者(VEU)”體系,給予其部分受管制美國裝置的進口豁免權限。

2025年美國又突然撤銷了豁免,後續雖向兩家企業發放年度許可證,但反覆的政策變動,讓其對長期供應鏈穩定性產生極大疑慮。

另一方面,中微半導體裝置的成熟商用表現,也為此次測試評估奠定基礎。

該裝置已在長江記憶體等中國頭部晶片企業實現規模化量產應用,經過長期工藝驗證,性能與穩定性均達到行業商用標準。

這也讓三星、SK海力士具備充足信心開展裝置適配測試。

公開資訊顯示,三星西安NAND快閃記憶體工廠、SK海力士大連、無錫晶片廠區,核心生產裝置長期依賴海外供應商。

而從產能來看,三星西安廠承擔三星全球NAND產能的40%以上,是全球單個產能最高的NAND快閃記憶體工廠。

SK海力士無錫工廠貢獻其全球30%以上的DRAM產能,大連工廠佔全球NAND產能的40%-45%。

不過針對市場傳聞,三星電子發佈聲明否認曾在中國工廠測試、考量引入中微半導體裝置;SK海力士則拒絕置評。

淨利暴增310%

海外記憶體巨頭尋求替代,引爆中國國產裝置“出海”邏輯重估。

業內認為,這印證了中國國產高端半導體裝置的技術成熟度,為中國國產裝置國際化落地帶來新的發展機遇。

日前,中微公司預告了相當“炸裂”的上半年業績。

公告顯示,預計公司上半年實現營收約66.91億元,同比增長約34.89%。

歸母淨利潤27億元-29億元,同比增長282.48%-310.81%;扣非淨利潤10億元-12億元,同比增長85.61%-122.73%。

公司Q2淨利潤預計17.7億-19.7億,Q1淨利潤9.3億。據此計算,Q2淨利潤預計環比增長90%-111%。

中微公司稱,業績變動主要系營業收入同比增長約34.89%,以及對外股權投資產生公允價值變動收益和投資收益合計約19.82億元。

研發投入方面,上半年中微公司投入約20.42億元,同比增長約36.89%,研發投入佔公司營業收入比例約為30.52%。

目前在研項目涵蓋六類裝置,超二十款新裝置的開發。


據悉,公司已開發出54種高端半導體裝置,其中包括26種高能和低能電漿體刻蝕機裝置,刻蝕和薄膜裝置的加工精度已經達到了原子級水平。

截至2026年6月底,中微公司累計已有超過8800個反應台在中國外220 余條生產線實現量產。

公司表示,公司研發新產品的速度顯著加快,過去通常需要三到五年開發一款新裝置,現在只需兩年或更短時間就能開發出有競爭力的新裝置,並順利進入市場,公司有望在未來幾年更大規模地推出新產品。

國金證券指出,目前中微多款自主研發裝置已完成客戶端驗證,關鍵性能指標達到國際先進水平,部分指標優於海外標準配置,商業邏輯成立。(格隆)