2026上半年全球主流DRAM廠商合計營收達到2841億美元，同比增幅超300%。
智通財經APP獲悉，根據群智諮詢的數據顯示，2026上半年全球主流DRAM廠商合計營收達到2841億美元，同比增幅超300%。全球DRAM行業迎來歷史最強景氣周期，AI服務器對HBM、高端DDR5的剛性需求爆發式增長，疊加海外頭部廠商主動收縮消費類成熟產線，行業供需持續緊缺，帶動全產業營收跨越式增長。
AI驅動DRAM上半年營收激增，廠商策略分化拉開業績差距
2026 上半年，DRAM 行業營收呈現 「逐季走高、同比激增」 的核心特徵，AI 算力需求成為全行業增長的核心引擎，行業整體盈利水平創下歷史新高。2026年第一季度全球四大 DRAM 廠商合計營收 892.6 億美元，第二季度合計營收約為 1395.1 億美元，上半年累計營收預計達到2287.7 億美元，較 2025 年上半年同比增長約312.5%，全行業均實現數倍增長，其中長鑫記憶體(688825.SH)同比增速最高，達到503.9%，三星、美光(MU.US)、SK Hynix同比增速也有200%以上。
需求結構也發生根本性轉變，根據群智諮詢的測算，2026年AI服務器DDR與HBM合計需求佔比約為34.9%，較2025年的 20.5% 提升約14個百分點，手機、PC 等傳統消費電子 DRAM 需求佔比持續下滑，行業增長邏輯從消費端驅動徹底轉向算力端驅動，上半年行業供需比低至 - 5.7%，結構性供給缺口貫穿整個上半年，HBM的高溢價以及DDR5服務器顆粒價格持續上行，帶動廠商整體毛利率大幅提升。
在行業整體高增長的背景下，群智諮詢分析認為四大廠商營收、產能表現分化顯著，各家依託自身產業鏈佈局走出截然不同的增長路徑。
三星上半年DRAM累計營收 941.8 億美元，營收規模位居全球第一；一季度營收 356.3 億美元，二季度營收約為 585.5 億美元，環比增長約 64.3%。上半年三星全球DRAM產能份額穩定在 35% 左右，行業龍頭地位穩固。其核心經營思路為主動優化產品結構，上半年持續縮減 Line13/15/17 老製程產能，削減面向手機、PC 的低端 DRAM 產出，將有限產能向高毛利服務器 DDR 與 HBM 傾斜，優先保障 HBM3E、服務器 DDR5 量產交付；全年暫無大規模新增晶圓產能投片，依靠提升高附加值產品營收佔比拉動業績增長，短板是持續讓出消費內存市場份額，通用 DDR 產品供給彈性偏弱。
SK Hynix上半年DRAM累計營收約為 647.5億美元，位居行業第二，其第一季度營收280.1億美元，第二季度營收約為367.4億美元，環比增長約31.2%，上半年SK Hynix全球DRAM產能份額維持 30% 以上。其依靠專屬 HBM 產線放量、雙線並行的模式實現增長，2026 年第二季度 M15X 專屬高端 HBM 產線正式量產並持續爬坡，HBM 全球出貨量位列行業第一，成為營收和盈利增長核心支撐。海外無錫 C2 成熟產線產能保持穩定，僅作為消費內存周期緩衝池，不再追加成熟製程資本開支，依託 「本土高端 HBM + 海外通用內存」 雙線佈局，持續拉開與同行的盈利差距。
美光上半年 DRAM 累計營收約 501.5 億美元，位列行業第三；其中一季度營收約 187.7 億美元，二季度營收環比提升 67.2% 至 約313.8 億美元。公司上半年全球 DRAM 產能份額維持在 18% 上下，整體保持平穩。美光採取車規等長生命周期記憶體產品與 AI 記憶體雙賽道均衡發展的核心策略，美國本土 Fab6 工廠專項改造工作已經啓動，產能佈局逐步向車規、工業、國防等長生命周期記憶體產品傾斜，後續計劃逐步退出消費級市場。與此同時，Fab15 與 OMT 先進產線持續加碼 HBM 與服務器 DDR5 產能投放，企業並未主動縮減成熟製程產能，整體擴產節奏明顯快於韓系兩大廠商。車規類等長生命周期記憶體能夠避險消費電子需求下行帶來的壓力，使得企業業績波動相對平緩。但受限於高端 HBM 產能規模不及三星、SK Hynix，美光 AI 算力相關業務的盈利彈性存在顯著上限。
而國內長鑫記憶體上半年累計營收約為196.9億美元，上半年全球DRAM產能份額從2025 年的 14% 提升至 15.8%，產能持續提升，核心增長策略為逆周期持續擴產加國產替代，作為2026年全球唯一持續擴產的DRAM廠商，季度產能環比增速長期維持在10%以上(海外廠商僅維持0-10%的季度增速區間)，其Fab2先進產線持續爬坡，穩定量產DDR5並小批次導入HBM，定向配套國內信創與AI 算力服務器。長鑫記憶體依靠持續產能擴張搶佔通用內存市場份額，營收同比增速行業第一，但高端 HBM 工藝、產能規模與國際頭部廠商仍存在代差。
整體來看，群智諮詢分析認為四家廠商的核心差異集中在產能規模、產品差異性、技術代際和戰略重心四個維度。三星依靠產能規模和全品類產品線優勢穩固份額，在HBM方面強化與CSP廠商特別是ASIC和NPU客戶群戰略合作。SK Hynix憑藉專屬HBM產線放量實現高增速，美光依靠車規記憶體加 AI 算力雙賽道增長，長鑫依靠國產通用記憶體放量提升營收和利潤；產能方面，三星收縮成熟產線、傾斜先進製程產線；SK Hynix HBM 產線爬坡、成熟產線維穩；美光改造產線保長生命周期記憶體業務、同步擴充算力產線；長鑫新建產線持續爬坡、全製程擴產；核心優劣勢上，三星營收規模第一、全品類佈局，SK Hynix HBM 出貨全球第一、盈利彈性較強，美光經營穩定性強、抗風險能力突出；長鑫增速第一、多產品線拓展，份額持續提升。同時各廠商也分別面臨消費電子內存份額流失、通用DDR供給不足、HBM 產品性能代際差異等短板。
下半年DRAM景氣持續，廠商分化加劇
2026年下半年 DRAM 行業景氣度將持續延續，營收逐季走高，廠商分化格局進一步加劇。根據群智諮詢的測算，2026年第四季度頭部DRAM廠商整體營收將達是第一季度的兩倍，全年營收呈現 「逐季走高」 的走勢，預計下半年累計營收約為3451.7億美元，較26年上半年增長約50.9%。SK Hynix憑藉 HBM 訂單和出貨釋放，下半年營收增速領跑全行業。
產能投放節奏上，三星全年無新工廠投產，持續優化現有產線結構，下半年三星DRAM產能份額維持 36% 左右小幅波動；SK Hynix在 M15X Fab高端 HBM 產線持續爬坡，海外無錫工廠全年產能穩定，下半年產能份額穩定在 31% 左右；美光持續推進 OMT 先進算力產線改造擴產，為中長期產能高增長鋪墊基礎，下半年產能份額小幅回落至 17% 左右；長鑫記憶體 依靠新產能全年持續爬坡，全年產能同比增速約為12.8%，季度擴產速度持續領先海外同業，下半年產能份額維持16%左右持續增長。
供需與價格層面，2026 下半年行業結構性供給缺口將持續延續，全年供需比維持負值，緊缺格局無明顯緩解，全年DRAM 價格維持上行態勢，但下游終端成本壓力持續加劇，預計漲幅持續縮小。
HBM供給競賽，頭部廠商產能份額此消彼長
HBM 作為DRAM增速最高的記憶體產品，產能佈局差異成為三星、SK Hynix、美光業績分化的核心因素。2026 上半年，SK 海力士持續保有全球 HBM 產能龍頭地位，26Q1、26Q2 產能佔比分別為 48%、49%，依託 M15X 專屬產線持續爬坡，穩定佔據近半數供給份額，深度對接 AI 算力客戶，充足產能支撐其充分把握本輪行業高景氣窗口。三星持續推進 HBM 產能擴張，上半年產能佔比維持在 28%-30% 區間，穩步提升 HBM3E、HBM4 供給規模，依託成熟 DRAM 製造體系持續優化堆疊工藝，中長期產能釋放節奏平穩。美光 HBM 產能佔比穩定處於 22%-23%，高端 HBM 堆疊產線擴張節奏相對保守，產能規模顯著低於韓系兩家廠商。從趨勢來看，SK Hynix產能佔比自 2025 年高點逐步回落，三星產能佔比持續抬升，美光緩慢擴容，三者供給格局緩慢重構。現階段三家廠商中長期訂單飽滿，產能基本提前鎖定，行業整體供給持續偏緊，HBM 產能佈局差距將持續影響各家盈利水平。
DRAM格局重塑，HBM成長期壁壘，海外&中國方向分化
2026 年上半年，AI 算力需求徹底重塑了全球 DRAM 行業的增長邏輯，廠商策略的分化直接帶來了經營表現的差距：韓系雙巨頭通過佈局服務器算力需求，提前調整產能結構鎖定了高毛利產品線，美光通過均衡佈局實現了穩增長，長鑫記憶體通過逆周期擴產實現了份額與營收的穩步提升。
2026 下半年，行業景氣度將持續延續，營收逐季走高，預計將在第四季度迎來全年峰值；海外廠商總產能微幅增加，增量主要集中於HBM與服務器用DDR，長鑫記憶體釋放供給增量將支撐國內國產替代進程加速。長期來看，大規模 HBM 先進產能儲備已成為 DRAM 行業的核心競爭壁壘，具備 HBM 大批次量產能力的記憶體原廠將持續掌控行業定價權與核心雲服務客戶群，而海外和中國DRAM市場將分別向高端記憶體、國產自主供給兩大方向轉型。(智通財經)