據快科技，長鑫記憶體旗下的最新LPDDR6內存項目取得重大進展，目前已進入風險試產階段，在製造工藝與技術迭代進度上，基本追平三星、SK海力士、美光等國際記憶體巨頭。據透露，長鑫目前正積極向主流手機廠商和計算平台分發樣品進行驗證，一旦原型測試達到預期，中國國產LPDDR6有望在年內進入大規模量產階段，且考慮到長鑫以往在產能建設上的高效率，風險試產後的量產窗口期可能被壓縮至數周。此前國內記憶體廠商在先進標準上的跟進速度往往滯後於國際巨頭半年以上，此次長鑫LPDDR6的試產，意味著中國國產內存在低功耗、高帶寬技術領域已成功躋身世界前列，大幅縮短了與全球頂尖水平的時間差。具體規格方面，長鑫首批LPDDR6晶片的速率已經達到了12.8Gbps，而普通LPDDR6的基準速率為10.7Gbps，目前的LPDDR5X也只有在極限超頻狀態下能達到10.7Gbps，這意味著新一代內存即便在常規狀態下，帶寬性能也比上一代提升了約20%。(格隆匯)